SK海力士正与英特尔就在美国（可能在俄亥俄州）生产存储芯片进行谈判。该协议将有助于英特尔和特朗普政府，但首尔方面的反对意见可能成为一大障碍。

2026年9月16日，印度标准时间上午5:56。据三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。

据其中一位人士称，在一种潜在方案中，SK海力士将租用英特尔长期规划的俄亥俄州芯片制造工厂的一部分。另外两位人士称，在另一种方案中，SK海力士可能与英特尔以及希望锁定存储芯片供应的主要云公司成立合资企业。

该协议将缓解英特尔面临的压力，因为该公司一直经营困难；同时，这也将成为特朗普政府的一大胜利。随着对人工智能和数据中心的持续投资引发存储芯片严重短缺，特朗普政府一直在加大压力，要求芯片制造商在美国建厂。但消息人士称，来自首尔的潜在反对意见可能成为重大障碍。

其中一位消息人士将此次谈判描述为探索性阶段，并强调尚未做出任何决定，同时补充称SK海力士也可能考虑其他交易结构方式。

关于SK海力士与英特尔协议可能如何构建的细节，这是首次被报道。然而，记者未能获悉若达成协议，SK海力士可能在俄亥俄州生产何种类型的芯片。

其产品组合包括用于服务器、个人电脑和智能手机的动态随机存取存储器（DRAM）芯片，以及提供长期存储内存的NAND闪存芯片。此外，该公司还是用于人工智能处理单元的高带宽存储器（HBM）的主要供应商。

来自首尔的潜在反对意见：三位不愿透露姓名的消息人士称，由于这些信息尚未公开，任何生产HBM等先进存储产品甚至DRAM的协议都可能遭到韩国政府的反对，因为这些技术被视为敏感领域。

SK Hynix在一份声明中表示，正在“审查各种措施，包括建立额外的生产基地，以加强其存储器业务的竞争力”，但“现阶段尚未确定任何事项。“英特尔拒绝就所谓的猜测发表评论，但补充说，它正在继续在俄亥俄州投资，为该网站做好准备。

当被问及SK Hynix在美国生产芯片的潜在计划时，韩国贸易部表示，任何决定都将由该公司自行决定，但如果涉及“国家核心技术”，则将根据《产业技术保护法》接受审查。美国商务部没有回应置评请求。

在美国建设的良好理由据两位消息人士称，在美国制造半导体的成本远高于韩国。其中一位人士表示，在美国建设需要显着更高的劳动力和建筑成本，而且半导体行业的大部分供应链位于亚洲，这也增加了美国的成本。

即便如此，SK Hynix最近于7月份在纳斯达克完成了二次上市，目前仅在印第安纳州拥有一座正在建设的芯片封装工厂，它有充分的理由在美国制造芯片。

SK Hynix旗下的SK集团董事长Chey Tae-won 7月份表示，该公司面临着来自客户和国家的巨大压力和游说，要求其提供更多芯片。

“我认为我们需要在美国建一家工厂。如果可能的话，我相信我们应该建造它，”他告诉记者。

与SK Hynix的交易还将缓解英特尔的部分财务压力，该公司由美国政府部分持股。

英特尔在2022年宣布，将投资高达1000亿美元在俄亥俄州建设可能是全球最大的芯片制造基地，预计该基地将于2025年开始投产。然而，该基地的两个工厂的建成时间已被推迟至2030年和2031年。

不过，同时满足华盛顿和首尔两方面的要求可能相当困难。尤其是由于首尔方面一直在敦促SK海力士及其竞争对手三星电子加快在韩国西南部建设新的芯片制造设施的进程。

美国商务部长霍华德·卢特尼克威胁称，除非韩国和台湾的公司承诺在美国增加芯片生产，否则将对它们征收高达100%的关税。

两国之间还就韩国去年为换取美国降低关税而作出的巨额投资承诺的执行细节存在分歧：在总共3500亿美元的投资计划中，约有1500亿美元已被用于造船行业，但剩余的2000亿美元尚未确定用途。

两位消息人士表示，这使SK海力士陷入了困境——韩国政府试图将SK海力士在美国的投资作为谈判中的筹码，而华盛顿方面则向该公司施压，要求其尽快在美国扩大业务规模。