中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。

据消息人士透露，长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院，以开发NAND芯片，旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。

此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。

这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。

长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地位，而长江存储在NAND领域领先，但两家公司目前都在向对方的核心业务领域扩张。