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三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年
SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片
据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。 知情人士称，目前讨论中的一种方案是，SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施，并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清
SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片
据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星电子与SK海力士正式拒绝韩国电力公司190亿美元电费预付方案
韩国两大存储半导体巨头三星电子与SK海力士已正式回绝韩国国营电力巨头韩国电力公司提出的一项巨额预付款方案。据韩国国会气候、能源、环境与劳动委员会李喆圭议员办公室披露的官方书面回复文件，两家芯片制造商在内部严谨评估后明确表示，无法接受提前预付高达25万亿韩元（约合187亿美元）电费以协助其建设输电管网的提议。 这项极不寻常的筹资倡议由深陷严重财务困境的韩国电力公司主导提出。根据该方案，韩国电力拟以两
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂
据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态