长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单

中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存

长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场

中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰

长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机

中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺

北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁

随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储

中国长鑫存储表示新内存芯片平台已进入量产阶段

中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破

亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。该公司声称，这一

长鑫总经理回应与苹果合作：保持开放 已具备与国际主流厂商竞争能力

公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会。赵纶指出，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。 关于公司生产经营中所涉及的客户及商业合作细节等信息，请以公司公开披露的信息为准。 被问及LPDDR6今年能否量产时，赵纶则表示，LPDDR 系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升，已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次

PC用DRAM价格连续7个月走高

来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按

中国长鑫存储将为小米即将推出的折叠屏手机供应内存芯片

中国顶级内存芯片制造商长鑫存储（CXMT）周六表示，将为小米即将推出的旗舰折叠屏手机供应其最新的LPDDR6 DRAM芯片。

中国长鑫存储（CXMT）在先进存储芯片上取得突破，据The Information报道

据The Information周一报道，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产先进的高带宽内存。

美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB

人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布，已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块，标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录，也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍，这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s，属于目前性能最强、容量

长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿

按目前节奏，长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市，届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上，可以用长鑫科技作为参照，长鑫科技7月27日登陆科创板，首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股，16个交易日后一度突破4万亿元，目前最新市值约3.72万亿元。 据报道，如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平，那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来

SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺

随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。

长鑫存储加入起诉美国五角大楼黑名单的中国科技公司行列

领先芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）加入了越来越多的中国科技公司起诉美国政府将其列入五角大楼黑名单的行列，法律专家表示，美国法院已表现出追究国防部责任的意愿。 上海协力律师事务所合规律师Mark Shi表示，近期涉及中国科技公司（包括激光雷达传感器制造商禾赛集团、无人机制造商大疆和生物科技公司药明康德）的裁决表明，法官准备审查美国政府的证据并给予临时救济。 其他中国公司也有案件待审——包括科技巨