（中央社旧金山6日综合外电报导）科技媒体The Information今天报导，台积电正考虑扩大业务版图，进军先进记忆体晶片制造，以便在人工智慧（AI）硬体市场中取得更大的市占率。

The Information引述两名知情人士指出，台积电应辉达公司（Nvidia）要求，近期已开始规划一种名为3D DRAM的先进记忆体晶片制造计划。台积电与辉达尚未回应路透社的置评请求。

根据报导，台积电可能选择兴建新的先进记忆体晶片工厂，但目前尚不清楚预计何时开始生产。

报导指出，这家全球最大晶片制造商也正在评估收购现有工厂，将其改建为记忆体生产设施，类似美光公司（Micron）今年收购一座晶圆厂并将其改建为DRAM生产设施的做法。

动态随机存取记忆体（DRAM）晶片用于在电子装置中暂时储存资料。3D DRAM则是一种记忆体架构，透过垂直堆叠记忆体单元以提高容量，而非将其排列在单一水平层上。

根据报导，这项计划由台积电副总经理徐国晋主导，他负责监督台积电的先进封装业务。

在台积电可能进军先进记忆体市场之际，AI快速发展导致记忆体晶片严重短缺，已推升价格，促使晶片设计公司积极寻求额外的供应来源。

若台积电进军先进记忆体市场，将须与三星电子（Samsung Electronics）、SK海力士（SK Hynix）及美光（Micron）等公司竞争。