中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展，而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。

这一突破标志着中国在美国出口限制下，为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定，荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。

据台湾媒体DigiTimes周四报道，引用中国科学院微电子研究所资深专家叶甜春的讲话称，这家国家支持的研究机构已利用较不先进的深紫外光刻技术建立了一条初步的环栅器件开发路径。

叶甜春表示，该研究所已利用DUV设备完成了堆叠纳米片沟道GAA CMOS晶体管的早期集成。据DigiTimes报道，他将这一成果描述为“中国亚3纳米先进制造的新早期MOS晶体管工艺路径”。

这一突破也反映出，尽管中国缺乏尖端设备，但仍在密切跟踪全球半导体领导者的架构路线图。GAA晶体管架构被视为半导体生产在广泛使用的FinFET（鳍式场效应晶体管）设计之后的下一个关键演进方向。

三星电子已利用GAA量产3纳米芯片，而台积电则在2025年底将其2纳米节点转向GAA。

不过，中国科学院的这一突破似乎距离量产还很遥远。叶甜春指出，该开发仍处于早期阶段。该研究所最新的GAA技术能否转化为量产，将取决于未来在实际生产线上的晶圆验证表现。

叶先生是一位经验丰富的半导体技术专家，曾担任 IMECAS 的负责人，同时也参与了中国备受瞩目的“02”项目，该项目是一项旨在提升国内芯片制造设备和工艺水平的重要国家计划。中国科学院（CAS）在周五收到评论请求后并未立即作出回应。

近期，美国的提案威胁要延长对 ASML 公司在中国销售DUV（深紫外）光刻设备的出口禁令。因此，中国的半导体企业一直在探索新的技术路线，试图利用现有的成熟设备来实现更高的性能。

这一最新突破建立在中国科学院多年研究的基础上，旨在开发出能够绕过对先进光刻设备依赖性的新技术。2025年，该研究所成功研制出一种全固态DUV激光器，能够发射出193纳米波长的相干光——这正是当前半导体光刻技术所使用的关键波长。

除了中国科学院之外，今年中国在芯片自给自足方面取得的最大进展来自华为技术有限公司。今年5月，华为发布了“Tau扩展定律”，该定律重新设计了芯片的架构，使其能够实现更高效的性能提升。华为预计，基于这一新扩展定律开发的高端芯片将在2031年达到与1.4纳米工艺相当的晶体管密度。