1CCF

全球要闻
字号 ·· | 护眼

搜索结果

「中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光」共 39 条 · 第 2 页
凤凰网

日韩两大存储巨头抱团,中国企业如何应对?

还记得7年前的日韩半导体大战吗?2019年,日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料,卡住了韩国芯片的脖子,也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施,依然损失惨重,最终在美国的调节下与日本妥协。如今,风向又变了。 最近,韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示,正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存,并计划在日本建设芯片工厂。 要知道,在全球NAND

09/05
联合早报

长鑫新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力

中国晶片制造商长鑫科技星期天(9月20日)宣布,第五代技术平台正式量产。(路透社档案照) (北京/合肥综合讯)中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片(DRAM)技术平台实现量产,新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存,数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力,更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。综合澎湃新闻、路透社等报道,长鑫科技星

09/20
路透社

中国长鑫存储表示新内存芯片平台已进入量产阶段

09/20
凤凰网科技

五项第一!纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队:中国芯+中国存储

快科技9月17日消息,据MLCommons官方公布的最新结果,基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7,在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一,成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景,AS13000G7参

09/17
南华早报

长鑫存储加入起诉美国五角大楼黑名单的中国科技公司行列

领先芯片制造商长鑫存储技术(CXMT)加入了越来越多的中国科技公司起诉美国政府将其列入五角大楼黑名单的行列,法律专家表示,美国法院已表现出追究国防部责任的意愿。 上海协力律师事务所合规律师Mark Shi表示,近期涉及中国科技公司(包括激光雷达传感器制造商禾赛集团、无人机制造商大疆和生物科技公司药明康德)的裁决表明,法官准备审查美国政府的证据并给予临时救济。 其他中国公司也有案件待审——包括科技巨

08/30
法国国际广播电台

回声报:遭中国“窃取”科技机密,韩国强化其“反工业间谍”武器库

据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道,韩国政府周日(9月13日)启动一项新法,严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构,并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称,一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储(CXMT)之前,连续四天用手写在笔记本上,抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免

09/14
cnbeta

长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域

中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC),正在加速进入彼此的核心业务领域,一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中,两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片,而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链,这种业务边界正在被打破。据产

09/23
日经

长鑫存储、中芯国际推动中国芯片行业利润激增620%

上海——得益于人工智能热潮和国家自给自足战略的推动,中国芯片制造商上半年盈利增长超过600%。 据《日经新闻》利用市场情报公司Wind提供的数据进行分析,截至6月底的六个月里,在内地证券交易所上市的约190家半导体相关企业合计净利润同比激增620%。合计营收同期增长68%。随着AI应用迅速普及,数据中心等对半导体的需求,尤其是来自数据中心的需求大幅增长。扩大中国国内供应链的举措也提供了助力。 在8

09/24
semafor

尽管被美国技术拒之门外,中国芯片仍在取得进展

尽管美国限制获取尖端半导体技术,中国科技公司仍展示了在芯片制造方面的进展。 阿里巴巴在发布了其号称中国最强大的芯片后股价上涨,这是其在人工智能生态系统的硬件和软件组件领域进行扩张计划的一部分。 在此次发布的前几天,存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)表示其最新的芯片平台已进入量产阶段,该公司正迅速从三星和SK海力士等全球巨头手中夺取国内市场份额。 此外,研究人员也在尖端领域取得突破:中国科学院的科学

09/22
联合早报

瑞银:中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术

瑞银集团分析师预计,中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展,以开发出可替代阿斯麦(ASML)尖端极紫外光刻(EUV)技术的可行方案。 据彭博社报道,“它们(中国)目前的发展阶段,似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本,以实现自给自足。不过,美国主导的尖端晶片制造设备出口限制,阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦,是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商,这类设备

09/02
路透社

独家:全球短缺之际,中国长鑫存储瞄准闪存布局,将挑战三星与长江存储

三位知情人士称,中国芯片制造商长鑫存储正准备进入由三星电子及其他外国竞争对手主导的蓬勃发展的闪存芯片市场。此举将使其在全球存储芯片短缺之际扩大客户群体。

09/18 受限 全文见 罗塞塔简报
罗塞塔简报

长鑫存储计划进军NAND闪存市场,以应对AI驱动的存储短缺

中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露,长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院,以开发NAND芯片,旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地

09/18
华尔街见闻

全球首发,雷军点赞!长鑫官宣LPDDR6内存量产

“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产,非常了不起!”雷军在微博上说,“这只是开始,将来还会有更多优秀的中国科技企业,强强联合,勇攀高峰!” 时间节奏上,此次官宣,距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声,不到1个月时间。8月1日,接近长鑫的知情人士透露,其LPDDR6研发取得新进展,目前研发验证接近尾声,距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6,意味着中国存储企业首次在高端内存标准上,打破海外

08/29
联合早报

长鑫科技宣布量产高端LPDDR6内存晶片

长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存晶片LPDDR6实现量产,并将首批搭载于小米18折叠旗舰手机。 长鑫科技星期六(8月29日)在社交媒体上公布这一消息。新浪科技报道称,这是全球LPDDR6产品首次落地商用,标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产跨越。 LPDDR6是新一代低功耗内存标准,主要用于智能手机、平板电脑和人工智能终端等设备,可提供更高的数据传输速度和能源效率。这距离该

08/29
路透社

中国长鑫存储将为小米即将推出的折叠屏手机供应内存芯片

中国顶级内存芯片制造商长鑫存储(CXMT)周六表示,将为小米即将推出的旗舰折叠屏手机供应其最新的LPDDR6 DRAM芯片。

08/29
上一页 第 2 页 下一页
1CCF | 全球资讯
正在加载…