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中国长鑫存储利润率超越SK海力士和美光，登顶内存行业
东京——中国芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）在利润率方面已跃居全球竞争对手之首，标志着由韩国、美国和日本供应商主导的内存行业格局正在发生变化。
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
【行业速递】半导体设备板块中报业绩爆发 受益长鑫扩产利好
据专稿】2026年上半年，全球DRAM迎来AI驱动的上行周期，长鑫科技交出上市之后首份财报，营收1503.10亿元，归母净利润776.05亿元，从持续大额亏损一跃成为A股盈利规模前列的制造企业。盈利修复之后，长鑫启动新一轮大规模资本开支，数十亿美元设备采购订单向外释放，半导体设备产业链业绩向好。 A股全部27家半导体设备上市公司半年报披露，板块整体营收566.88亿元，同比增长31.06%，但内部
全球首发，雷军点赞！长鑫官宣LPDDR6内存量产
“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产，非常了不起！”雷军在微博上说，“这只是开始，将来还会有更多优秀的中国科技企业，强强联合，勇攀高峰！” 时间节奏上，此次官宣，距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声，不到1个月时间。8月1日，接近长鑫的知情人士透露，其LPDDR6研发取得新进展，目前研发验证接近尾声，距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6，意味着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外
独家：全球短缺之际，中国长鑫存储瞄准闪存布局，将挑战三星与长江存储
三位知情人士称，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入由三星电子及其他外国竞争对手主导的蓬勃发展的闪存芯片市场。此举将使其在全球存储芯片短缺之际扩大客户群体。
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿
按目前节奏，长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市，届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上，可以用长鑫科技作为参照，长鑫科技7月27日登陆科创板，首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股，16个交易日后一度突破4万亿元，目前最新市值约3.72万亿元。 据报道，如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平，那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来
长鑫存储加入起诉美国五角大楼黑名单的中国科技公司行列
领先芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）加入了越来越多的中国科技公司起诉美国政府将其列入五角大楼黑名单的行列，法律专家表示，美国法院已表现出追究国防部责任的意愿。 上海协力律师事务所合规律师Mark Shi表示，近期涉及中国科技公司（包括激光雷达传感器制造商禾赛集团、无人机制造商大疆和生物科技公司药明康德）的裁决表明，法官准备审查美国政府的证据并给予临时救济。 其他中国公司也有案件待审——包括科技巨
存储涨价拦不住！中国移动直接砸近10亿元：采购4000万片存储芯片
快科技9月24日消息，据中国移动采购与招标网公告，中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示，该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片，采购上限为4000万片（非承诺量），预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制，不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
尽管被美国技术拒之门外，中国芯片仍在取得进展
尽管美国限制获取尖端半导体技术，中国科技公司仍展示了在芯片制造方面的进展。 阿里巴巴在发布了其号称中国最强大的芯片后股价上涨，这是其在人工智能生态系统的硬件和软件组件领域进行扩张计划的一部分。 在此次发布的前几天，存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）表示其最新的芯片平台已进入量产阶段，该公司正迅速从三星和SK海力士等全球巨头手中夺取国内市场份额。 此外，研究人员也在尖端领域取得突破：中国科学院的科学
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
长鑫存储、中芯国际推动中国芯片行业利润激增620%
上海——得益于人工智能热潮和国家自给自足战略的推动，中国芯片制造商上半年盈利增长超过600%。 据《日经新闻》利用市场情报公司Wind提供的数据进行分析，截至6月底的六个月里，在内地证券交易所上市的约190家半导体相关企业合计净利润同比激增620%。合计营收同期增长68%。随着AI应用迅速普及，数据中心等对半导体的需求，尤其是来自数据中心的需求大幅增长。扩大中国国内供应链的举措也提供了助力。 在8