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长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
AI吞噬海量数据引爆“复古”需求 磁带存储出货量暴涨57%再迎繁荣
据近乎贪婪的需求推动下，诞生于上世纪90年代的传统存储介质——磁带，如今不仅没有被淘汰，反而迎来了强劲的复兴热潮。此前，已停摆的DOGE项目曾试图以所谓“效率”为由全面淘汰磁带存储，然而市场的实际走向却给出了截然相反的答案。 由慧与（HPE）、IBM和昆腾（Quantum）组成的LTO技术联盟（LTO Consortium）最新数据显示，2026年第一季度LTO兼容磁带介质的总体出货容量同比大幅增
存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力
全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨，而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出，随着DRAM内存价格不断攀升，包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力，消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为，本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来，大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求，使得
美管制致HBM短缺 传中国AI芯片厂大幅涨价
在美国收紧高带宽内存（HBM）对华出口管制、全球供应短缺持续紧张之际，中国人工智能（AI）芯片厂开始大幅调价。
【商圈】AI存储超级周期主动踩刹车 日本铠侠CEO太田裕雄如此思考
当地时间2026年1月29日，日本东京，铠侠控股公司时任候任首席执行官太田裕雄（右）在新闻发布会上发言，旁为即将卸任的首席执行官早坂信夫。图：视觉中国 【财新数据专稿】9月8日的东京，铠侠（Kioxia）总裁兼CEO太田裕雄（Hiroo Ota）在接受彭博社采访时，说了两句足以搅动整个存储行业的话。 一句是关于价格的。2026年第二季度，铠侠的NAND闪存平均售价环比上涨了70%，第一季度涨幅
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂
据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态