搜索结果
中国研究人员在半导体领域取得突破，将未来存储器的耐久性提升100倍
2026.09.13 20名中国研究人员开发了一种方法，大幅提高了新兴存储芯片的耐用性。随着人工智能热潮推动对更先进半导体的需求，这可能克服阻碍其在高性能计算和未来人工智能系统中应用的关键可靠性障碍。 研究团队在纤锌矿铁电体（一种可通过切换两种电状态来存储数据的材料）中实现了超过100亿次的写入循环。这一结果大约是该材料先前实现的耐久性的100倍，有助于推进潜在的下一代存储技术。这项突破有望使铁电
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
中国团队在自主超导量子计算机上实现新突破 传输效率高达98%
据中心架设了“快速路”，有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文日前发表于国际物理期刊《物理评论X》。 如果把量子计算机比作“智慧城市”，那么量子随机存取存储器（QRAM）就是其中存储和调度数据的“数据中心”。QRAM是实现量子搜索、量子机器学习等算法的重要功能模块，其核心是“量子路由器”——它负责根据地址指令将数据准确送达目标位置。但传统方案随路由网络规模增大，每增加一个节点就需大量标准量子门
长鑫新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力
中国晶片制造商长鑫科技星期天（9月20日）宣布，第五代技术平台正式量产。（路透社档案照） （北京/合肥综合讯）中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片（DRAM）技术平台实现量产，新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存，数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力，更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。综合澎湃新闻、路透社等报道，长鑫科技星
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
140万韩元盗窃罪判有期徒刑3年，300亿技术泄露罪判2年4个月
▲ 近5年海外技术泄露事件的趋势成立于1976年的PECO TEC公司为SK海力士和三星电子供应半导体组装所需的设备“毛细管劈刀（Capillary）”。毛细管劈刀用于将粗细为头发五分之一的金属线连接到半导体芯片上，是高带宽存储器（HBM）工艺的核心设备。PECO TEC公司十年来投入超过300亿韩元（人民币约1.5亿元）开发技术，目前占据全球毛细管劈刀市场的70%以上。 但PECO TEC开发的
五项第一！纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队：中国芯+中国存储
快科技9月17日消息，据MLCommons官方公布的最新结果，基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7，在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一，成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景，AS13000G7参
中国长鑫存储（CXMT）在先进存储芯片上取得突破，据The Information报道
据The Information周一报道，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产先进的高带宽内存。
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破
亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。该公司声称，这一
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链
中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
瑞银：中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术
瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。 据彭博社报道，“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
Token效能提升120%！这家国产AI存储厂商拿下多项“全球第一”，凭什么？
智东西9月17日报道，9月1日，全球权威AI性能评测组织MLCommons发布MLPerf Storage v3.0基准测试榜单。焱融全闪AI存储F9000X在多项基准测试中拿下第一，充分验证其在极限AI训练负载下对高速网络带宽的高效利用能力。 2026随着AI产业从模型训练走向规模化推理，存储系统需要处理的数据和承担的任务也在增加。训练阶段，存储要持续向GPU供给海量数据，还要快速保存和恢复模型
德日研究人员发明无需电力的技术，可为数据中心降温
如果德国和日本联合研究项目能够走出实验室并扩大规模，数据中心冷却可能会变得更加经济实惠和可持续。 来自卡尔斯鲁厄理工学院和筑波大学的研究人员周五在《自然·能源》杂志上发表了一篇论文，讨论了他们在固态冷却技术方面取得的成功，该技术完全不需要电力输入，并且在实验室实验中仍能展示出温度降低的效果。 对于不熟悉固态冷却的人来说，它是传统压缩冷却的更可持续替代方案，传统压缩冷却依赖对环境有害的制冷剂和大量电