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长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
全球首发，雷军点赞！长鑫官宣LPDDR6内存量产
“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产，非常了不起！”雷军在微博上说，“这只是开始，将来还会有更多优秀的中国科技企业，强强联合，勇攀高峰！” 时间节奏上，此次官宣，距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声，不到1个月时间。8月1日，接近长鑫的知情人士透露，其LPDDR6研发取得新进展，目前研发验证接近尾声，距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6，意味着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
【行业速递】半导体设备板块中报业绩爆发 受益长鑫扩产利好
据专稿】2026年上半年，全球DRAM迎来AI驱动的上行周期，长鑫科技交出上市之后首份财报，营收1503.10亿元，归母净利润776.05亿元，从持续大额亏损一跃成为A股盈利规模前列的制造企业。盈利修复之后，长鑫启动新一轮大规模资本开支，数十亿美元设备采购订单向外释放，半导体设备产业链业绩向好。 A股全部27家半导体设备上市公司半年报披露，板块整体营收566.88亿元，同比增长31.06%，但内部
美管制致HBM短缺 传中国AI芯片厂大幅涨价
在美国收紧高带宽内存（HBM）对华出口管制、全球供应短缺持续紧张之际，中国人工智能（AI）芯片厂开始大幅调价。
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
长鑫存储释放合作信号 与苹果供应链合作传闻进一步升温
围绕苹果与中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）的合作传闻，在持续数月的反复猜测后再次出现重要进展。长鑫存储近日在回应相关问题时表示，公司对与全球顶级客户开展合作持开放态度，并强调其产品已具备与国际主流供应商同台竞争的能力。市场普遍认为，这是迄今为止长鑫存储对于潜在苹果合作关系最接近正面确认的一次表态。 根据公开消息，苹果近年来一直在寻找更多内存供应来源，以增强与现有供应商谈判时的主动权。目前苹果
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
长鑫科技宣布量产高端LPDDR6内存晶片
长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存晶片LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18折叠旗舰手机。 长鑫科技星期六（8月29日）在社交媒体上公布这一消息。新浪科技报道称，这是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产跨越。 LPDDR6是新一代低功耗内存标准，主要用于智能手机、平板电脑和人工智能终端等设备，可提供更高的数据传输速度和能源效率。这距离该
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro