SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片

据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以

SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片

据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。 知情人士称，目前讨论中的一种方案是，SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施，并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清

三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应

三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的

#行情 美股盘前，英特尔涨约5%，SK海力士涨约3%，报道称SK海力士正与英特尔洽谈，拟首次在美生产存储芯片。

三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍

随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高

SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年

SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内

崔泰源：正在考虑日本等半导体工厂投资…即将公布

▲ SK集团会长崔泰源。/大韩商工会议所提供SK集团会长崔泰源正在日本访问，关于在日本宫城县设立半导体合资工厂的可能性等，“正在持续考虑。” 据财界称，韩日商工会议所会长团会议8月31日在日本仙台举行，“（在日本新建半导体生产工厂等）还在考虑”，“商讨结束后将对外公布。” “是否有计划在日本宫城县建设半导体生产设施”，“是否推进在日本建设存储半导体合资工厂”等，崔泰源亲自作出了上述回答。 但他没有

美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片

美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投

三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍

据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。

三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产

随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分

SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂

据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态

SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺

随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。

估值10000亿，半导体超级IPO要来了？

目标估值高达1500亿美元（约10070亿元），拟募资150亿美元，有望刷新美股半导体IPO纪录。 而这家公司的前身，正是英特尔以约88.5亿美元出售的NAND闪存业务——从被剥离的非核心资产，到如今估值翻逾十倍的AI存储明星，Solidigm的蜕变折射出这轮AI基础设施投资热潮对存储赛道的深刻重塑。 据路透社援引三位知情人士透露，Solidigm本周已与多家投行举行IPO承销商竞标陈述会（bak

SK海力士在硅谷成立创投品牌“SK hynix Ventures”

韩国存储芯片巨头SK海力士宣布正式成立企业风险投资品牌“SK hynix Ventures”，总部设于美国硅谷。此举被视为公司在人工智能时代进一步扩大投资布局的重要一步，未来将重点押注AI技术、下一代数据中心基础设施以及相关核心软硬件生态。 SK海力士是在首届“SK hynix Ventures Day”活动上公布这一消息的。活动在硅谷举行，吸引了来自全球风险投资机构以及多家科技初创企业代表参与。

英特尔意图打破台积电代工垄断 AI推理推动CPU需求激增

英特尔首席执行官陈立武表示，行业必须打破台积电在全球晶圆代工市场的垄断。他提出，订单应当分散至多家供应商，以满足人工智能芯片日益增长的需求。英特尔将自身未来押注在晶圆代工业务的复兴之上，陈立武同时称，中央处理器需求激增，将持续造成供应紧张。 14日，陈立武在科罗拉多州丹佛举办的Splunk.conf26大会发表主旨演讲。思科总裁兼首席产品官吉图・帕特尔向他问及英特尔晶圆厂的重要性时，陈立武表示，同

ASML将与晶片大厂合作 以最新设备生产更大尺寸晶片

（中央社旧金山7日综合外电报导）荷兰晶片制造设备大厂艾司摩尔（ASML）表示，该公司计划与主要客户合作，运用其最先进的设备生产用于开发辉达（Nvidia）等公司所设计的大型资料中心晶片。 报导，艾司摩尔即将推出的下一代设备称为高数值孔径极紫外光（High NA EUV），由于采用较小尺寸的光罩，目前在可印制的晶片尺寸上面临限制。 英特尔（Intel）已将艾司摩尔的最新设备用于笔记型电脑晶片，艾司摩

传苹果英伟达等美芯片巨头均在评估英特尔14A工艺

若这则报道基本属实，英特尔或将迎来一个全新且利润极为丰厚的发展时代。据称，美国芯片科技领域几乎所有头部企业，包括亚马逊、苹果、AMD、谷歌、特斯拉、微软、英伟达和高通，都在评估英特尔即将推出的14A工艺节点。 该消息来自投资银行派杰（Piper Sandler）（经由科技媒体WCCFTech报道）。报告指出：“14A代工工艺各项数据表现向好，目前正等待核心客户落地。美国所有大客户（如亚马逊、苹果、

据报道，SK海力士正在与英特尔商谈一项合作事宜：双方计划首次在美国共同生产内存芯片。

SK海力士正与英特尔就在美国（可能在俄亥俄州）生产存储芯片进行谈判。该协议将有助于英特尔和特朗普政府，但首尔方面的反对意见可能成为一大障碍。 2026年9月16日，印度标准时间上午5:56。据三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。 据其中一位人士称，在一种潜在方案中，SK海力士将租用英特尔长期规划的俄亥俄州芯片制造工厂的一部分。另外

独家：消息人士称SK海力士正与英特尔洽谈首次在美国生产内存芯片的交易

三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项交易，将首次在美国本土生产内存芯片。

英特尔14A产能规划首次曝光：2027年底月产能或达6000片晶圆 18A良率据称已突破80%

随着英特尔持续推进代工业务转型，其下一代先进制程的进展再次成为行业关注焦点。最新供应链与分析师消息显示，英特尔正在稳步推进14A工艺量产准备工作，并计划在2027年底前建立每月约6000片晶圆的生产能力。与此同时，被视为英特尔复兴关键节点的18A工艺良率据称已经达到80%左右，为后续量产奠定重要基础。 根据行业分析人士披露的信息，14A将成为英特尔在18A之后的下一代核心制程节点，也是公司先进代工

“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”

▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规

三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场

2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二

为了把更多HBM塞进芯片，英伟达加速布局下一代玻璃基板

英伟达正联合产业链企业推进新一代玻璃基板技术落地，以应对AI芯片封装在尺寸、散热和互连方面日益突出的物理限制。若技术实现突破，玻璃基板有望支持更大规模的HBM集成，为下一代GPU提升封装密度和数据传输能力。 据报道，德国设备厂商SCHMID在近期上半年业绩发布会上披露，公司正与英特尔、英伟达、AMD各自供应链中的核心企业合作，共同推进玻璃芯核基板设备研发。SCHMID首席战略官Roland Ret

长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存

据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产