长鑫存储技术（CXMT）位于北京的生产基地（reuters）

中国存储芯片巨头长鑫科技集团10月30日公布的2026年1~9月财报显示，最终损益为盈利1320亿元（上年同期亏损52亿元）。在韩国企业专注于面向生成式AI的高性能产品之际，长鑫存储抓住通用产品的市场需求，不断扩大市场份额。

长鑫科技集团是在短期存储芯片DRAM领域居全球第四的长鑫存储技术（CXMT）的母公司。2026年1~9月营收同比增至8.4倍，达到2690亿元，利润总额为2161亿元（上年同期亏损59亿元），营业利润率达到80%。

产品销量增加以及价格上涨成为业绩增长的有利因素。不过，1~6月销售额同比增至9.7倍，而今年同期的增长率有所放缓。7~9月，销售额达到1187亿元，同比增长7.2倍；最终利润为544亿元，实现盈利，由于长鑫未公布上年同期数据，无法进行比较。

竞争对手韩国三星电子和SK海力士专注于堆叠DRAM而成、名为“高带宽存储器（HBM）”的高性能产品。随着生成式AI的普及，HBM正被广泛应用于数据中心等领域。

韩国厂商向美国芯片巨头英伟达等科技巨头供应HBM。由于将产能转向HBM，导致通用DRAM的供应余力不足，这成为专注于通用产品的长鑫存储提升市场份额的原因之一。

香港Counterpoint Research的数据显示，2026年4~6月，长鑫存储的DRAM全球市场份额达到10%，位居三星、SK和美国美光科技之后。份额较上年同期的4%上升了6个百分点。

长鑫存储在约10年前起步于一个旨在打破韩美企业DRAM垄断的中国国产项目。通过收购一家经营破产的德国企业的专利，建立了技术基础，主权财富基金等提供了资金支持。

此前因前期投资增加，该公司持续亏损，但在受益于AI带来的芯片需求增长后，于2025财年（截至2025年12月）实现盈利。

为对抗韩国和美国的企业，长鑫存储也向技术研发投入资金。此外，还决定利用在上交所科创板进行首次公开募股（IPO）所募集的资金等，总计投入350亿元，用于技术研发以及晶圆后工序测试基地的建设。

中国媒体报道称，长鑫存储总裁曹堪宇近日在上海市举行的芯片会议上介绍了新技术进展。据悉，通过采用以堆叠改变晶体管布局方式、被称为“4F²”的单元结构技术，可以增加单个芯片上承载的单元数量，从而提高存储密度。

路透社报道称，该公司正准备进军用于数据长期存储的NAND闪存市场。将与中国长江存储科技（YMTC）等展开竞争。