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传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
受内存涨价与苹果定价策略影响，三星据悉计划下月上调韩国Galaxy S26全系售价
韩媒Hans Economy报道称，三星计划自2026年10月1日起，在韩国本土上调Galaxy S26、S26+及S26 Ultra的售价。 根据发给当地运营商的通知，该系列所有机型统一涨价 149600 韩元（约合750元人民币）。
三星内存持续涨价可能逼迫苹果再次上调iPhone售价
苹果可能在明年再次提高部分iPhone产品的售价。最新消息称，苹果已经接受三星电子针对下一代iPhone所提出的更高内存供应价格，而持续上涨的内存成本可能最终转嫁给消费者。 目前全球内存市场正经历一轮明显的供应紧张。人工智能数据中心持续建设，使服务器DRAM和HBM等高性能内存的需求大幅增长，内存厂商因此将更多产能投入利润更高的AI相关产品。与此同时，智能手机厂商仍然需要大量移动设备内存，这使包括
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利
随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长
受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
三星最新愿景：将AI系统的响应速度提升10倍
IT之家 9 月 17 日消息，据韩媒《The Chosun Daily》报道，日，在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上，AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM，将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元（Toke
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力
全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨，而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出，随着DRAM内存价格不断攀升，包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力，消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为，本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来，大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求，使得
铠侠CEO称NAND闪存价格已经涨得“差不多了”
铠侠 CEO NAND 闪存价格已经涨得“差不多了”，公司将不再在与客户谈判时强力推动进一步提价。 这意味着，在过去几个季度持续上行的存储芯片成本压力，可能开始进入趋缓阶段，至少短期内不会继续以同样速度恶化。 这一表态之所以引发关注，核心在于铠侠是存储市场的重要供应商，而苹果又是其最大客户之一。资料显示，苹果约占铠侠总营收的 20%，因此铠侠在价格策略上的变化，几乎会直接影响苹果后续的物料成本与供
传AMD计划对显卡及芯片组全线涨价10% CPU或亦受波及
半导体硬件市场或将迎来新一轮价格调整。据行业最新供应链与渠道消息透露，芯片巨头超威半导体（AMD）正酝酿一项覆盖其多条核心产品线的提价计划，预计旗下独立图形处理器（GPU）、主板芯片组（Chipsets）的供货价格将普遍上调约10%，且这一价格传导效应极有可能进一步蔓延至部分中央处理器（CPU）产品线。 引发此次价格调整的核心诱因在于半导体全产业链持续攀升的生产制造成本。消息指出，先进制程晶圆代工
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
《金融时报》：AI抢晶片引发“记忆体末日” 消费电子产品将愈来愈贵
（伦敦8日综合电）英国金融时报（FT）分析，人工智能（AI）热潮引发记忆体晶片短缺，形成所谓的“记忆体末日”（RAMageddon），带动晶片价格上涨，并扭转消费电子装置长年来的跌价趋势，在可预见的未来，日常电子产品可能会持续涨价。 英国零售商协会（BRC）首席经济学家迪隆表示，AI投资热潮推高记忆体晶片与其他零组件成本，扭转了过去消费者常能以较低价格，买到性能增强电子装置的趋势。Counterp
存储晶片价格飙升 华为小米荣耀多款手机涨价
受存储供应趋紧、晶片价格持续上涨影响，中国手机市场掀起新一轮涨价潮，华为、小米和荣耀等多个品牌均上调部分机型售价。 综合中国《证券时报》和第一财经星期二（9月1日）报道，华为、小米和荣耀近期陆续调整官方商城售价，覆盖入门、中端和高端旗舰机型。与年初多家厂商公开宣布涨价不同，本轮调价并未统一发布通知。 华为Mate 80全版本统一上涨800元（人民币，下同，约151新元），12GB+256GB版本从
新一轮美国关税或再次推高个人电脑、游戏机和数据中心成本
据Politico援引消息人士报道，美国政府正考虑对半导体征收新一轮关税，试图进一步推动芯片制造业回流美国。此举可能推高众多电子产品的价格，而这些产品目前已经受到内存短缺的影响。 特朗普政府过去一方面希望通过关税刺激美国本土制造业，另一方面又不得不在现实压力面前调整政策。如今，美国政府官员与科技行业游说人士的新一轮谈判，可能再次启动这一循环，并给许多近期价格已经大幅上涨的产品带来更高成本。 目前相
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产