长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格

长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为

三星瞄准后工序打造日韩AI半导体联盟

| 在韩国三星电子研究基地的开业仪式上合影留念的该公司CEO全永铉（右起第4人）等人（9月8日，横滨市西区） |韩国半导体巨头三星电子9月8日在横滨市举行了人工智能（AI）半导体研发基地的开业仪式。三星将与在半导体组装设备和材料领域占据全球最大份额的日本企业展开合作，提升产品性能。AI半导体竞争正从单一企业转向跨越国界的企业联盟。 “加速韩国与日本的技术交流，成为共同推动下一代封装产业发展的原动力

#行情 美股盘前，英特尔涨约5%，SK海力士涨约3%，报道称SK海力士正与英特尔洽谈，拟首次在美生产存储芯片。

SK海力士考虑与日本合作建内存工厂以供应AI热潮

这家韩国动态和闪存供应商正在考虑多个地点，用于联合运营的工厂。

三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应

三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的

长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存

据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产

SK海力士在硅谷成立创投品牌“SK hynix Ventures”

韩国存储芯片巨头SK海力士宣布正式成立企业风险投资品牌“SK hynix Ventures”，总部设于美国硅谷。此举被视为公司在人工智能时代进一步扩大投资布局的重要一步，未来将重点押注AI技术、下一代数据中心基础设施以及相关核心软硬件生态。 SK海力士是在首届“SK hynix Ventures Day”活动上公布这一消息的。活动在硅谷举行，吸引了来自全球风险投资机构以及多家科技初创企业代表参与。

独家：全球短缺之际，中国长鑫存储瞄准闪存布局，将挑战三星与长江存储

三位知情人士称，中国芯片制造商长鑫存储正准备进入由三星电子及其他外国竞争对手主导的蓬勃发展的闪存芯片市场。此举将使其在全球存储芯片短缺之际扩大客户群体。

美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利

随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。

美管制致HBM短缺 传中国AI芯片厂大幅涨价

在美国收紧高带宽内存（HBM）对华出口管制、全球供应短缺持续紧张之际，中国人工智能（AI）芯片厂开始大幅调价。

三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍

三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI

三星最新愿景：将AI系统的响应速度提升10倍

IT之家 9 月 17 日消息，据韩媒《The Chosun Daily》报道，日，在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上，AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM，将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元（Toke

传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价

据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与

长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局

中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的

据报道，SK海力士正在与英特尔商谈一项合作事宜：双方计划首次在美国共同生产内存芯片。

SK海力士正与英特尔就在美国（可能在俄亥俄州）生产存储芯片进行谈判。该协议将有助于英特尔和特朗普政府，但首尔方面的反对意见可能成为一大障碍。 2026年9月16日，印度标准时间上午5:56。据三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。 据其中一位人士称，在一种潜在方案中，SK海力士将租用英特尔长期规划的俄亥俄州芯片制造工厂的一部分。另外