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「中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破」共 39 条 · 第 2 页
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报告:三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%

市场研究机构集邦咨询(TrendForce)周一发布的一份行业报告显示,2026年第二季度,三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器(DRAM)市场39.4%的份额,在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示,这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%,达到609.8亿美元;其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二,市场份额为24.9

09/07
朝鲜日报

“三星、海力士、美光3强格局成形,中企难以打破”

2026-09-22 14:48 “AI(人工智能)半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官(CEO)戴夫·马扎表示:“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”,“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro

09/22
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北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁

随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧,中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外(EUV)光刻机的情况下,正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业,北方华创(Naura Technology Group)近日在IEEE期刊发表学术论文,宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破,开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺,有望为以长鑫存储

09/05
日经

PC用DRAM价格连续7个月走高

来自英伟达的人工智能(AI)服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑(PC)等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%,面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存,其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外,也搭载于数据中心的AI服务器等设备上,承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方,设备厂商、模块厂商作为买方,按

09/03
华尔街见闻

全球首发,雷军点赞!长鑫官宣LPDDR6内存量产

“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产,非常了不起!”雷军在微博上说,“这只是开始,将来还会有更多优秀的中国科技企业,强强联合,勇攀高峰!” 时间节奏上,此次官宣,距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声,不到1个月时间。8月1日,接近长鑫的知情人士透露,其LPDDR6研发取得新进展,目前研发验证接近尾声,距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6,意味着中国存储企业首次在高端内存标准上,打破海外

08/29
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长鑫存储释放合作信号 与苹果供应链合作传闻进一步升温

围绕苹果与中国DRAM制造商长鑫存储(CXMT)的合作传闻,在持续数月的反复猜测后再次出现重要进展。长鑫存储近日在回应相关问题时表示,公司对与全球顶级客户开展合作持开放态度,并强调其产品已具备与国际主流供应商同台竞争的能力。市场普遍认为,这是迄今为止长鑫存储对于潜在苹果合作关系最接近正面确认的一次表态。 根据公开消息,苹果近年来一直在寻找更多内存供应来源,以增强与现有供应商谈判时的主动权。目前苹果

09/08
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长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光

据《日经亚洲》报道,数据显示,长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%,超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商,成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期,SK海力士息税前利润率为76%,三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍,在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。

09/11
凤凰网科技

存储涨价拦不住!中国移动直接砸近10亿元:采购4000万片存储芯片

快科技9月24日消息,据中国移动采购与招标网公告,中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示,该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片,采购上限为4000万片(非承诺量),预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制,不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2

09/24
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长鑫HBM量产遇挫:据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格

长鑫存储(CXMT)在前沿高带宽内存(HBM)的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示,长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈,综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间,若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节,下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试,实际综合产出率面临巨大挑战。 作为

09/09
日经

铠侠公布利用新型高速存储芯片抢占AI需求计划

周四概述了利用增强型NAND闪存提供DRAM替代品的计划,从而帮助这家日本公司加强与美国大型科技公司的联系,并抵御来自中国竞争对手日益激烈的竞争。

09/03
路透社

CXMT就列入与中国军方有关联的公司名单起诉五角大楼

中国存储芯片制造商CXMT已就该公司被列入美国一份受中国军方支持的公司名单起诉五角大楼,周五的一份法庭文件显示。

08/29
联合早报

长鑫科技宣布量产高端LPDDR6内存晶片

长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存晶片LPDDR6实现量产,并将首批搭载于小米18折叠旗舰手机。 长鑫科技星期六(8月29日)在社交媒体上公布这一消息。新浪科技报道称,这是全球LPDDR6产品首次落地商用,标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产跨越。 LPDDR6是新一代低功耗内存标准,主要用于智能手机、平板电脑和人工智能终端等设备,可提供更高的数据传输速度和能源效率。这距离该

08/29
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SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺

随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长,韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示,公司正在大规模调整产能结构,计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产,并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示,2026年第一季度,1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%;第二季度提升至约13%。

09/08
凤凰网科技

三星最新愿景:将AI系统的响应速度提升10倍

IT之家 9 月 17 日消息,据韩媒《The Chosun Daily》报道,日,在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上,AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM,将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元(Toke

09/17
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美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB

人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布,已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块,标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录,也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍,这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s,属于目前性能最强、容量

09/16
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