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“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
长鑫存储计划进军NAND闪存市场，以应对AI驱动的存储短缺
中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露，长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院，以开发NAND芯片，旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地
存储涨价拦不住！中国移动直接砸近10亿元：采购4000万片存储芯片
快科技9月24日消息，据中国移动采购与招标网公告，中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示，该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片，采购上限为4000万片（非承诺量），预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制，不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
反击成功！长江存储德国专利战获胜：美光被禁售
快科技9月23日消息，月18日，德国慕尼黑第一地区法院就长江存储诉美光专利侵权案中的两起案件作出判决，认定美光侵犯了长江存储的两项德国实用新型专利权，并颁发禁令，要求其在德国停止销售相关侵权产品。 这是双方自2023年11月专利战爆发以来，长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令救济。 针对这一判决，美光方面迅速回应称，不认同德国法院的裁决结果，并已提起上诉。美光强调，涉案权利属于“未经实质审查”
瑞银：中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术
瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。 据彭博社报道，“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的使用承诺
阿斯麦获顶级芯片制造商承诺使用其最新半导体生产设备，并启动一项更广泛的协议，以满足对更强大AI科技的激增需求。三星电子和台积电计划加入英特尔的行列，分别为不晚于2028年和从2030年开始，采用这家荷兰公司的高数值孔径极紫外（EUV）光刻设备进行大规模生产。 该设备每台单价可达4亿美元。三星是领先的内存芯片制造商，台积电则是英伟达和苹果等一众公司的芯片代工领头羊。 这四家公司还就光罩技术规格的重要
长鑫科技宣布量产高端LPDDR6内存晶片
长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存晶片LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18折叠旗舰手机。 长鑫科技星期六（8月29日）在社交媒体上公布这一消息。新浪科技报道称，这是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产跨越。 LPDDR6是新一代低功耗内存标准，主要用于智能手机、平板电脑和人工智能终端等设备，可提供更高的数据传输速度和能源效率。这距离该
中国存储芯片厂商江波龙拟香港上市 融资不超过62.8亿港元
中国存储芯片厂商江波龙拟香港上市，融资不超过62.8亿港元（8.01亿美元），加入人工智能硬件供应链企业赴港融资潮。根据江波龙周一发布的上市文件，公司计划发行约2600万股股份，发售价不超过每股240.6港元，较其上周五在深圳上市的A股收盘价折让约45%。江波龙预计9月8日在香港挂牌上市。该公司A股今年以来已上涨约50%。 媒体看到的交易条款显示，若行使增发选择权，募资规模最高可达到10.6亿美元
机械硬盘价格创新高，中国需求坚挺
| HDD的市场需求持续走高（图片由东芝提供） |用于保存个人电脑等的数据的机械硬盘（HDD）价格持续上涨。7~9月指标产品的大宗交易价格连续6个季度走高，刷新历史最高纪录。持续涨价的固态硬盘（SSD）带来的替代需求叠加中国市场的坚挺，HDD供需关系趋于紧张。 HDD是一种在磁盘盘面记录信息的存储设备。市场由美国的希捷、西部数据、东芝子公司Toshiba Electronic Devices &a
SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年
SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内
全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长
受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre