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长鑫总经理回应与苹果合作：保持开放 已具备与国际主流厂商竞争能力
公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会。赵纶指出，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。 关于公司生产经营中所涉及的客户及商业合作细节等信息，请以公司公开披露的信息为准。 被问及LPDDR6今年能否量产时，赵纶则表示，LPDDR 系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升，已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
2027年DRAM无悬念大缺货 存储原厂突发“友善通知”
据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订完。十铨总经理陈庆文表示，真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少，十铨将只能挑选客户供货。他担忧存储芯片相关厂商挑客户因素恐怕牵动后续营收。 陈庆文指出，DRAM需求目前比NAND闪存更加稳固，缺
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
中国企业上半年利润两位数增长，也有1/4亏损
中国上市企业的业绩呈现出两极分化态势。2026年上半年（1～6月），中国上市企业的净利润总额同比增长2成。虽然抓住人工智能（AI）需求的半导体企业起到重要拉动作用，但最终亏损的企业也达到四分之一，创历史最高水平。食品及房地产等内需相关企业的经营环境严峻，经济的不平衡在扩大。 《日本经济新闻》对在上海及深圳等中国本土市场上市的企业（不含金融业）中，能够与上年同期进行比较的约5400家企业进行了
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长
受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场