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长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
铠侠公布利用新型高速存储芯片抢占AI需求计划
周四概述了利用增强型NAND闪存提供DRAM替代品的计划，从而帮助这家日本公司加强与美国大型科技公司的联系，并抵御来自中国竞争对手日益激烈的竞争。
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长
受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂
据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场