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长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
高通骁龙8 Elite Gen 6或重启双代工格局 由三星分担制造
随着下一代先进制程产能竞争日趋激烈，高通新一代旗舰移动平台骁龙8 Elite Gen 6在代工策略上可能迎来重大转变。来自韩国产业链及业内最新消息显示，高通正与三星电子就先进制程代工展开深入磋商，该芯片或将不再由台积电全额独家代工，而是采取台积电与三星分工的双代工模式。 回顾以往，高通因三星代工时代的良品率与发热功耗问题，自2022年起将旗舰级高通骁龙处理器的量产全面转向台积电代工。然而，伴随台积
日企CEO发愿：2040年，到月球生产芯片
日本共同社9月11日报道，日，日本半导体企业Rapidus总裁兼首席执行官小池敦义在美国表示，他正在认真考虑在2040年左右在月球上建造一座半导体工厂。他说，这么做的理由是月球上存在芯片生产所需的水资源。 小池当天在华盛顿参加一场由美国智库哈德逊研究所组织的活动时，做出上述表述。“这不是开玩笑。我考虑的可能是2040年左右的时间。” 小池在活动上发表讲话共同社报道称，活动上，小池向观众展示了一段人
ASML推进High-NA EUV大尺寸掩膜方案 目标2033年量产并提升40%效率
ASML正与客户合作开发适用于下一代 High-NA EUV 光刻设备的更大尺寸掩膜版，这项调整有望让该系统更适合用于最大型的 AI 和数据中心芯片。 该公司表示，现有 EUV 设备可打印面积约达 800 平方毫米的芯片，已足以覆盖英伟达、Google等厂商面向先进数据中心硬件设计的处理器和加速器。 High-NA EUV 是 ASML 的下一代主力光刻平台，能够打印比现有 EUV 更精细的特征，
英伟达携手德国SCHMID布局玻璃基板
英伟达正在考虑采用玻璃基板，并携手德国设备制造商SCHMID及其他企业开展合作，将人工智能芯片的性能提升到新的水平。该战略旨在通过增加可封装的高带宽内存（HBM）用量，大幅提升数据处理速度。 据报道，SCHMID在其近期发布的上半年财报演示中披露，该公司正与英特尔、英伟达和AMD各自供应链中的关键供应商合作，共同开发玻璃芯基板设备。SCHMID首席战略官罗兰·雷滕迈尔表示，玻璃通孔（TGV）的金属
Intel取消Nova Lake-S搭载12核Xe3P规划 延后至Razor Lake-S落地
英特尔桌面处理器产品线的核显规划迎来最新调整。据知名爆料人披露，原定在下一代“Nova Lake-S”桌面处理器中亮相的高性能12核心Xe3P大核显SKU已被取消，该强力集成显卡配置将整体推迟至后续的“Razor Lake-S”产品线中登场。 在此前的爆料与技术预期中，英特尔曾计划为代号Nova Lake-S的桌面芯片打造一款对标AMD锐龙G系列U的高性能整合方案。该特定SKU原计划配备4个性能核
英特尔确认Nova Lake-S处理器将采用LGA1954插槽
英特尔下一代桌面处理器Nova Lake-S的相关信息不断传出，其中处理器插槽一直是外界关注的重点。据悉，英特尔将放弃现有的LGA1851插槽，为即将推出的Core Ultra 400系列处理器启用全新的LGA1954插槽。 此前，LGA1954的相关记录已于数月前出现在运输清单中，外界也曾曝光过该插槽的外观。如今，英特尔通过官方内部工具进一步确认，Nova Lake-S将与LGA1954插槽搭配