搜索结果
「三星高管：预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成」共 75 条 · 第 4 页
cnbeta
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的使用承诺
阿斯麦获顶级芯片制造商承诺使用其最新半导体生产设备，并启动一项更广泛的协议，以满足对更强大AI科技的激增需求。三星电子和台积电计划加入英特尔的行列，分别为不晚于2028年和从2030年开始，采用这家荷兰公司的高数值孔径极紫外（EUV）光刻设备进行大规模生产。 该设备每台单价可达4亿美元。三星是领先的内存芯片制造商，台积电则是英伟达和苹果等一众公司的芯片代工领头羊。 这四家公司还就光罩技术规格的重要
09/08
cnbeta
4GB与6GB GDDR7显存颗粒或于2027至2028年登场
显卡行业长期存在的显存容量瓶颈，未来几年或许将迎来重要突破。最新爆料显示，存储芯片厂商正在规划推出单颗容量达到4GB和6GB的GDDR7显存颗粒，如果相关计划顺利推进，下一代消费级和专业级显卡有望获得远超当前水平的显存配置。 消息来自业内知名爆料人士“Golden Pig Upgrade”。根据其说法，存储厂商预计将在2027年至2028年期间陆续推出4GB和6GB容量的GDDR7显存颗粒。虽然目
09/21
cnbeta
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
09/21