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三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证
据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD
三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
三星携手Mistral AI以提升芯片制造能力 领投后者新一轮融资
三星电子宣布将与法国人工智能公司 Mistral AI 展开合作，借助其人工智能服务和解决方案提升半导体工程与制造能力，以强化其在 AI 芯片技术领域的领先地位。 这项合作将把 Mistral 的工具整合到三星的半导体业务中，并打造针对“智能驱动基础设施”优化的本地部署 AI 模型。 根据报道，三星还将领投 Mistral AI 的 D 轮融资，并取得战略性股权，以支持双方合作推进。 这项合作是在
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
三星美国泰勒工厂提前试产特斯拉AI5芯片
三星电子为向特斯拉供应人工智能芯片，已在美国得克萨斯州泰勒晶圆代工厂启动试产。泰勒工厂原计划在11月左右正式投产，但随着各大科技企业对AI芯片需求大幅增长，三星提前开启试产以验证良率。公司计划在年底前完成量产验证，从明年起正式供货，以此扩大其在代工市场的影响力。 据悉，三星电子泰勒工厂近期启动基于2纳米工艺的晶圆生产，进入AI5芯片试产阶段。工厂部分产线将从明年开始生产供应特斯拉的AI5芯片，并开
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
三星瞄准后工序打造日韩AI半导体联盟
| 在韩国三星电子研究基地的开业仪式上合影留念的该公司CEO全永铉（右起第4人）等人（9月8日，横滨市西区） |韩国半导体巨头三星电子9月8日在横滨市举行了人工智能（AI）半导体研发基地的开业仪式。三星将与在半导体组装设备和材料领域占据全球最大份额的日本企业展开合作，提升产品性能。AI半导体竞争正从单一企业转向跨越国界的企业联盟。 “加速韩国与日本的技术交流，成为共同推动下一代封装产业发展的原动力
三星与高通联手推进2.1D先进封装：无需硅中介层 带来AI芯片高性能互连能力
三星与高通正在进一步扩大双方在半导体领域的合作范围，双方已经围绕2.1D先进封装技术展开合作，目标是为下一代高性能计算和人工智能芯片提供更高密度、更高速率的芯片互连方案。此次合作也被视为三星进一步完善先进封装技术体系、争夺AI芯片封装市场的重要一步。 随着生成式AI和高性能计算的发展，单颗芯片所需要处理的数据量持续增加，传统封装方式越来越难以满足芯片之间高速、大规模数据传输的需求。尤其是AI加速器
三星已解决高通2nm代工的技术障碍 但双方又因价格谈判陷入僵局
三星电子在争取高通2nm芯片代工订单的过程中，似乎终于跨过了此前长期困扰双方合作的技术门槛，但就在技术问题逐渐得到解决之际，三星与高通又在芯片代工价格上产生分歧，导致双方迟迟无法正式达成协议。 过去一段时间，高通一直没有将新一代旗舰芯片交给三星代工，核心原因之一就是三星先进制程的良率和稳定性未能达到高通的要求。高通因此继续将骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 6 Pro的2
高通骁龙8 Elite Gen 6或重启双代工格局 由三星分担制造
随着下一代先进制程产能竞争日趋激烈，高通新一代旗舰移动平台骁龙8 Elite Gen 6在代工策略上可能迎来重大转变。来自韩国产业链及业内最新消息显示，高通正与三星电子就先进制程代工展开深入磋商，该芯片或将不再由台积电全额独家代工，而是采取台积电与三星分工的双代工模式。 回顾以往，高通因三星代工时代的良品率与发热功耗问题，自2022年起将旗舰级高通骁龙处理器的量产全面转向台积电代工。然而，伴随台积
OpenAI称正与三星合作开发下一代芯片 并深化合作
OpenAI表示正深化与三星电子的合作，在半导体和企业级AI服务等领域拓展与这家韩国科技巨头的联系。OpenAI韩国区总经理Harrison “在与三星电子的合作中，我们进展最显著且获得认可最多的领域之一，就是针对我们正在研发的下一代芯片所开展的联合生产与研究。”但他未透露更多细节。 Kim还表示，三星电子是“全球范围内应用 ChatGPT 规模最大的企业之一”，并指出该公司在韩国及海外的员工都在
三星将助力强化OpenAI半导体供应链
更新：OpenAI将携手韩国代工巨头三星电子设计其下一代AI加速器。 此举可能有助于ChatGPT制造商获得其成功所需的内存、工艺技术或其他关键要素。 OpenAI韩国总经理哈里森·金在周三的新闻发布会上宣布了这一消息，而就在几周前，该公司展示的第一代“Jalapeño”加速器在多项推理工作负载上超越了英伟达的Blackwell GPU。 据相关报道，他表示：“我们与三星电子取得最大进展和获得最多
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
三星最新愿景：将AI系统的响应速度提升10倍
IT之家 9 月 17 日消息，据韩媒《The Chosun Daily》报道，日，在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上，AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM，将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元（Toke
晶圆代工到晶片设计 台湾半导体产业链扩大领先韩国
SEMICON国际半导体展现场厂商陈设晶圆制品。（中央社档案照片）（中央社首尔24日综合外电报导）「朝鲜日报」旗下媒体Chosun Biz报导，台湾在巩固全球半导体晶圆代工强国地位后，正进一步扩大在半导体设计（无晶圆厂，fabless）领域的影响力。联发科过去是一家以手机晶片为主的无晶圆厂半导体公司，之后进军PC系统单晶片（SoC）市场，如今更进一步与辉达（Nvidia）合作，拓展客制化伺服器晶片
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
三星将在部分智能手机电池中添加安全芯片
据The Elec报道，三星导致将在其部分手机的电池中添加安全芯片。 该公司显然将把这个芯片添加到即将推出的中端手机内的电池中，包括Galaxy A系列。 尚不清楚这些安全芯片将如何使用，但该媒体推测，三星可能将这些芯片作为安全措施的一部分添加。 经过验证的电池应该能让消费者安心，确信他们的电池已经过充分测试，并符合三星的性能和安全标准。该媒体还暗示，这些电池中的安全芯片可能有助于回收过程。 从理