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1b DRAM单位面积价值现在比台积电2纳米晶圆还高出54%
在人工智能带动全球算力需求爆发的背景下，半导体产业正在出现一个过去几乎难以想象的现象：用于制造DDR5内存的先进DRAM晶圆，如今按单位面积计算的市场价值，已经超过了台积电最先进的2纳米逻辑晶圆。 最新行业分析显示，目前1b DRAM的单位面积价值约为每平方毫米0.654美元，而台积电2纳米（N2）晶圆对应的单位面积价格约为每平方毫米0.424美元。换句话说，同样大小的一块硅片面积，先进DRAM如
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
AMD加入1万亿美元俱乐部，芯片制造商因AI需求而集体上涨
9月21日：Advanced Micro Devices（AMD）的市值周一短暂突破1万亿美元大关，成为少数几家达到这一里程碑的芯片制造商之一，投资者看好其在AI计算领域的日益重要地位。 AMD股价上涨9%，达到610美元，创历史新高613.92美元，市值超过1万亿美元。 这一成就标志着这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司的强劲表现，AMD被视为Nvidia在图形处理单元领域的最大竞争对手。 A
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
台积电亚纳米级1.4纳米晶圆厂获批建厂许可
随着全球半导体先进制程的竞争进入白热化阶段，晶圆代工巨头台积电（TSMC）在推进亚纳米级（Sub-1.4nm）制造技术方面取得了实质性突破。最新行业报告显示，台积电已成功为其规划中的1.4纳米（内部代号为 A14）先进晶圆制造厂获得了相关监管部门的建设许可，标志着台积电与老对手英特尔（Intel）以及三星电子在后2纳米时代的制程巅峰之争进一步升温。 在2纳米制程节点步入量产阶段后，各大半导体巨头纷
AMD成为最新一家因AI需求而市值达到1万亿美元的芯片制造商
9月21日：Advanced Micro Devices（AMD）的市值周一短暂突破1万亿美元大关，成为少数几家达到这一里程碑的芯片制造商之一，投资者看好其在人工智能计算领域的增长潜力。 公司股价上涨9%至610美元，创历史新高613.92美元，市值超过1万亿美元。 这一成就标志着这家总部位于加利福尼亚州圣克拉拉的公司的强劲表现，AMD被视为Nvidia在图形处理单元领域的最大竞争对手。 AMD是
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
NVIDIA B200芯片二级市场溢价惊人 残值超出首发售价达58%
在全球人工智能大模型军备竞赛不断升级的背景下，硬件算力市场的供需失衡正在将芯片残值推向历史罕见的高位。根据行业最新追踪与二级市场交易数据显示，英伟达（NVIDIA）旗下基于Blackwell架构的旗舰级AI加速卡B200，在二手及转售市场的残值溢价表现极其惊人，当前的市场流通价格已超出其最初官方建议发售价格整整58%，成为现代计算硬件历史上极少数“落地即升值”且长期维持高额正向溢价的半导体产品。
台积电1.4纳米产能加速成形 四座A14晶圆厂预计2028年全面投产
全球晶圆代工龙头台积电正在加快下一代A14（1.4纳米）先进制程布局。最新消息显示，位于台湾中部科学园区的四座A14晶圆厂建设进展顺利，预计将于2028年第二季度全部完工并投入大规模量产，届时有望形成全球规模最大的埃米级先进制程生产基地。 根据目前工程规划，中科二期园区的P1厂建设进度领先，预计于2027年4月完成主体工程，随后进入设备安装与试产阶段。P2厂则同步推进，目标是在2027年底前完成设
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
AI需求带动 超微跻身市值1兆美元俱乐部
（中央社纽约21日综合外电报导）美国晶片商超微（AMD）今天市值首度突破1兆美元，跻身少数达到这项里程碑的晶片公司之列。路透社报导，投资人押注超微在人工智慧（AI）运算领域扮演日益重要的角色。超微股价今天早盘上涨9.6%，报每股613.31美元，创历史新高。超微成为第4家市值突破1兆美元的美国晶片商，前3家分别为辉达（Nvidia）、博通（Broadcom）和美光（Micron）。辉达于2023年
《金融时报》：AI抢晶片引发“记忆体末日” 消费电子产品将愈来愈贵
（伦敦8日综合电）英国金融时报（FT）分析，人工智能（AI）热潮引发记忆体晶片短缺，形成所谓的“记忆体末日”（RAMageddon），带动晶片价格上涨，并扭转消费电子装置长年来的跌价趋势，在可预见的未来，日常电子产品可能会持续涨价。 英国零售商协会（BRC）首席经济学家迪隆表示，AI投资热潮推高记忆体晶片与其他零组件成本，扭转了过去消费者常能以较低价格，买到性能增强电子装置的趋势。Counterp
英伟达支撑软银旗下SB Energy预计500亿美元IPO估值
东京/加州帕洛阿尔托——软银集团旗下SB Energy在美国上市时，市值可能达到500亿美元，但IPO文件显示其主营数据中心业务营收为零，这表明该公司的估值是由其与英伟达的关系支撑的。
长期处于劣势的AMD紧追英伟达，加入万亿美元俱乐部
周一，AMD的市值短暂突破了1万亿美元大关，使其成为少数几家拥有这一成就的芯片制造商之一。不过必须明确的是：相对于市值接近5.5万亿美元的Nvidia而言，AMD仍然处于劣势地位。尽管AMD与Nvidia的差距仍然很大，但AMD已经超越了其长期以来的竞争对手——如今市值仅为6400亿美元的英特尔。 AMD的成功在很大程度上得益于人工智能（AI）技术的蓬勃发展。不过，这一转变并非一蹴而就：AMD在A
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
台电将对AI半导体及数据中心等耗电大户涨价
台积电是全球芯片代工产能最大、技术最先进的公司，在这背后也意味着大量的用水用电，现在电力公司都撑不住了，会给台积电这样的大型耗电用户涨价。据当地媒体报道，电力供应商台电公司9月份的计划曝光，会针对AI半导体及数据中心等耗电大户进行涨价，涨幅在15-20%左右但民生、小企业等用户的电价不会上涨。 这波涨价中台积电自然是最受影响的，因为他们的耗电量实在太大了，半导体产业占了台电公司17.71%的发电量
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
Valve的虚拟现实计划撞上现实世界
Steam Frame头显现已发布，而它原本定价本应低于1059美元这一点或许并不令人意外。 Valve开发者Jeremy Selan告诉BBC：“我们最初的目标是推出一款价格亲民得多的设备，但全球内存市场和全球存储市场对我们的影响与对其他所有人的影响是一样的。我们竭尽全力才把价格压到这个水平。” 我尚未看到Valve说明其是否以成本价出售Steam Frame，正如该公司已确认以1049美元的成
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
台积电加速扩充2纳米产能：2027年中月产能目标11万片 增速明显超过3纳米时期
随着人工智能和高性能计算芯片需求持续爆发，台积电正在加快先进制程产能扩张步伐。最新供应链消息显示，台积电计划在2027年进一步扩大2纳米和3纳米制程产能，其中2纳米的扩产速度将明显高于3纳米，预计到2027年年中，2纳米月产能将提升至约11万片晶圆，而3纳米月产能则达到约21万片。 按照目前的规划，台积电截至2026年底的2纳米月产能预计约为9万片，3纳米月产能则达到约18万片。到了2027年年中
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
机构预测硅晶圆价格将在2027年再涨40%
随着人工智能基础设施建设的持续扩张，半导体产业链最上游的原材料市场正迎来前所未有的供需失衡。受AI算力需求暴增与长期供货协议（LTSA）到期等叠加因素影响，全球硅晶圆价格预计将在2027年迎来高达40%的剧烈上涨。 业内分析指出，这一轮硅晶圆价格飙升的核心驱动力来自人工智能数据中心的爆发式增长。根据胜高（SUMCO）等行业巨头的测算，一台AI服务器对12英寸硅晶圆的消耗量是普通通用服务器的3.8倍