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长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年
SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内
长鑫新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力
中国晶片制造商长鑫科技星期天（9月20日）宣布，第五代技术平台正式量产。（路透社档案照） （北京/合肥综合讯）中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片（DRAM）技术平台实现量产，新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存，数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力，更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。综合澎湃新闻、路透社等报道，长鑫科技星
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB
人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布，已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块，标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录，也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍，这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s，属于目前性能最强、容量
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产
【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化？
【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色，但若分季度观察，二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年，海外原厂（三星、SK海力士、美光）将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5，通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后，二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场，虽然AI服务器正成为新的核心增长极，但占据超五成的智能手机
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
马斯克放下豪言：SpaceX数据中心项目GPU数量到年底将翻一倍
马斯克周四表示，SpaceX的人工智能超级计算机Colossus 2项目计划大规模扩张，到今年年底其使用的英伟达芯片数量将较目前翻一倍以上。 马斯克在X上表示，Colossus 2数据中心目前已搭载11万颗Nvidia GB200芯片和44万颗GB300芯片。下周将有22万颗GB300芯片投入使用，预计11月还将有22万颗投入使用。如果运气好的话，12月底可能还会有22万颗芯片上线。 他补充称，英
对话高通数据中心业务总经理：从定制CPU到3D堆叠HBC，高通下出端云AI一盘棋
智东西夏威夷毛伊岛9月22日现场报道，在骁龙峰会2026上，高通一口气推出两款2nm旗舰芯片——第六代骁龙8超级至尊版（详情参见《刚刚，高通2nm双旗舰来了，为智能体AI重造架构，手机能跑300亿参数大模型》）会后，高通技术公司执行副总裁兼技术规划、边缘解决方案和数据中心业务总经理马德嘉Durga Malladi与智东西等媒体进行交流，涉及话题包括高通为何重归数据中心CPU市场、3D堆叠与高带宽计
三星内存持续涨价可能逼迫苹果再次上调iPhone售价
苹果可能在明年再次提高部分iPhone产品的售价。最新消息称，苹果已经接受三星电子针对下一代iPhone所提出的更高内存供应价格，而持续上涨的内存成本可能最终转嫁给消费者。 目前全球内存市场正经历一轮明显的供应紧张。人工智能数据中心持续建设，使服务器DRAM和HBM等高性能内存的需求大幅增长，内存厂商因此将更多产能投入利润更高的AI相关产品。与此同时，智能手机厂商仍然需要大量移动设备内存，这使包括