美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利

随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。

长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机

中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺

海力士美股大涨创新高，存储全线走强！高盛高呼：最差的日子已经过去

高盛对存储芯片板块转为积极，触发周三存储股全线上涨，SK海力士美股领涨，逆势跑赢大盘。 SK海力士美股早盘大涨约4%至193.53美元，盘中创历史新高，收盘涨幅扩大至7%，领跑整个存储板块。美光科技收涨约2%至1027.77美元，闪迪收涨约1.51%至1764.17美元，延续近一个月来的强势走势。 与此同时，追踪存储板块的Roundhill Memory ETF收涨约1%至61.65美元，而标普5

中国长鑫存储利润率超越SK海力士和美光，登顶内存行业

东京——中国芯片制造商长鑫存储技术（CXMT）在利润率方面已跃居全球竞争对手之首，标志着由韩国、美国和日本供应商主导的内存行业格局正在发生变化。

长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑

在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D

长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机

为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV

日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？

还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND

国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺

快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场

中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段

。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体

长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？

具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图

【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化？

【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色，但若分季度观察，二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年，海外原厂（三星、SK海力士、美光）将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5，通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后，二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场，虽然AI服务器正成为新的核心增长极，但占据超五成的智能手机

全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长

受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre

#行情 美股盘前，英特尔涨约5%，SK海力士涨约3%，报道称SK海力士正与英特尔洽谈，拟首次在美生产存储芯片。

SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年

SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内

北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁

随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储

德国DDR5内存价格指数创历史新高 一年内涨幅超过54%

欧洲内存市场持续经历新一轮涨价潮。最新统计数据显示，德国DDR5内存价格指数再次刷新历史纪录，与去年同期相比整体价格已经上涨54.4%，显示出内存市场供应紧张局面仍在持续加剧。 数据显示，自今年年初以来，DDR5内存价格便处于持续上涨通道之中。进入第三季度后，涨价速度进一步加快，多个主流容量和规格产品接连突破此前价格高点。无论是面向普通消费者的桌面内存，还是用于高性能游戏平台和工作站的高频DDR5