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长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿
按目前节奏，长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市，届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上，可以用长鑫科技作为参照，长鑫科技7月27日登陆科创板，首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股，16个交易日后一度突破4万亿元，目前最新市值约3.72万亿元。 据报道，如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平，那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来
全球半导体市场二季度收入达4250亿美元 创历史新高
市场研究机构 Omdia 最新数据显示，2026年第二季度全球半导体产业收入达到4250亿美元，刷新历史纪录。在企业级人工智能硬件需求持续爆发的推动下，当季收入环比增长31.4%，这一增速远超行业长期规律，也打破了数十年来市场表现的常态。 统计显示，2026年上半年全球半导体产业累计收入已达到7520亿美元。Omdia预计，第三季度行业收入有望突破5000亿美元，从而推动全年总收入超过1.25万亿
AMD超越高通成为全球第三大无晶圆半导体公司
据TrendForce集邦咨询发布的《2026年第二季度全球无晶圆厂IC设计产业研究报告》，AMD已超越高通，成为全球第三大无晶圆厂半导体公司。报告显示，英伟达继续稳居榜首，第二季度营收接近911.6亿美元，同比增长99%，占前十大厂商总营收的比重进一步升至64%。 博通位列第二，营收超过188.9亿美元，同比增长112%，是本季度增速最突出的头部厂商之一。 AMD排名升至第三，营收超过115.3
全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长
受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动，全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示，在第一季度环比增长90%的高基数之上，全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动，而非出货量增加；仅在今年第二季度，NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%，这与此前Tre
中国企业上半年利润两位数增长，也有1/4亏损
中国上市企业的业绩呈现出两极分化态势。2026年上半年（1～6月），中国上市企业的净利润总额同比增长2成。虽然抓住人工智能（AI）需求的半导体企业起到重要拉动作用，但最终亏损的企业也达到四分之一，创历史最高水平。食品及房地产等内需相关企业的经营环境严峻，经济的不平衡在扩大。 《日本经济新闻》对在上海及深圳等中国本土市场上市的企业（不含金融业）中，能够与上年同期进行比较的约5400家企业进行了
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
2027年DRAM无悬念大缺货 存储原厂突发“友善通知”
据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订完。十铨总经理陈庆文表示，真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少，十铨将只能挑选客户供货。他担忧存储芯片相关厂商挑客户因素恐怕牵动后续营收。 陈庆文指出，DRAM需求目前比NAND闪存更加稳固，缺
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，