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NVIDIA或为RTX 5070引入全新核心版本 GB203芯片有望下放至主流市场
英伟达正在为GeForce RTX 5070准备一个新的硬件版本。与目前采用GB205核心的标准型号不同，新版本可能改用面积更大、定位更高的GB203图形核心。这意味着RTX 5070未来可能出现两种不同GPU版本并行销售的情况。 实际上，英伟达在本世代Blackwell显卡上已经开始采用类似做法。此前部分厂商推出的新批次RTX 5060产品，就从原本的GB206核心改为使用规格更高的GB205核
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
高通推出骁龙8 Elite Extreme第六代和骁龙8 Elite第六代
高通在2026年骁龙峰会上发布Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6和Snapdragon 8 Elite Gen 6两款旗舰移动平台，面向下一代安卓智能手机。 两款平台均采用2纳米制程，搭载Oryon CPU，最高主频达到5GHz，并升级图形处理和端侧AI能力。 其中，Extreme版本支持运行超过300亿参数的混合专家模型，并引入用于AI超分辨率和帧生成的Adreno
马斯克放下豪言：SpaceX数据中心项目GPU数量到年底将翻一倍
马斯克周四表示，SpaceX的人工智能超级计算机Colossus 2项目计划大规模扩张，到今年年底其使用的英伟达芯片数量将较目前翻一倍以上。 马斯克在X上表示，Colossus 2数据中心目前已搭载11万颗Nvidia GB200芯片和44万颗GB300芯片。下周将有22万颗GB300芯片投入使用，预计11月还将有22万颗投入使用。如果运气好的话，12月底可能还会有22万颗芯片上线。 他补充称，英
高通下一代旗舰芯片曝光：主频冲击5.4GHz 继续采用台积电2纳米N2P工艺
高通刚刚发布骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Extreme Gen 6不久，外界关于下一代旗舰移动平台的传闻已经开始浮现。最新消息显示，高通正在开发代号为“Honu”的全新旗舰SoC，预计将继续采用台积电2纳米N2P工艺，并将CPU主频进一步提升至5.3GHz至5.4GHz区间。 根据爆料信息，这款芯片可能被命名为骁龙8 Elite Extreme Gen 7，内部型号为SM8
创见推出64GB DDR5-6400 CUDIMM与CSODIMM内存模块
创见近日推出新一代64GB DDR5-6400 CUDIMM和CSODIMM嵌入式内存模块，在保持DDR5高频传输能力的同时，将单条模块容量进一步提升至64GB，为工业计算、边缘计算以及其他对大容量内存有较高需求的嵌入式设备提供新的选择。 此次推出的产品采用DDR5-6400规格，工作电压为1.1V，并同时提供CUDIMM和CSODIMM两种形态。其中，CUDIMM主要面向采用标准台式机内存插槽的
高通发布两款2纳米工艺手机芯片 押注智能体应用
【财新网】当地时间9月22日高通2026骁龙峰会上，高通宣布，手机旗舰产品线首次同时推出两款芯片产品，分别为第六代骁龙8至尊版和第六代骁龙8超级至尊版。两款芯片CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）和NPU（神经网络处理器）的基础架构相同，均采用台积电2纳米工艺，这也是高通首次将2nm工艺引入手机平台。 相比至尊版，超级至尊版芯片采用了更先进的Offset PoP散热优化封装技术，帮助芯片在
英伟达据报重启“Rubin CPX”AI加速器项目 改用168GB HBM4内存
据供应链分析师郭明𫓹透露，英伟达此前一度搁置的“Rubin CPX”AI加速器项目如今重新启动，并对内存架构进行了重新设计。该产品原计划搭载128GB GDDR7显存，如今改为配备168GB HBM4高带宽内存。 英伟达在去年年底曾宣布，计划基于Rubin GPU家族开发一款专用加速器，主要面向大规模智能体人工智能工作负载。项目公布后曾被报道暂时搁置，但英伟达目前似乎已经完成重新规划。Rubin
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
AI芯片热潮推动产能狂飙 台积电1.4纳米工艺预计2027年首季试产
在全球人工智能算力需求持续爆发的背景下，台积电正在以前所未有的速度推进先进制程布局。最新产业消息显示，台积电1.4纳米A14制程开发进展顺利，最快有望于2027年第一季度启动试产。同时，受AI芯片需求强劲拉动，公司3纳米制程产能正在快速扩张，预计到2027年底单月产能将突破20万片晶圆。 根据产业链最新披露的信息，台积电正加快A14制程推进步伐。A14是台积电继2纳米之后的重要埃米级制造节点，也是
下一代旗舰模型Gemini 4发布时间或“远早于”今年底
Google DeepMind部门负责人Koray Kavukcuoglu周三表示，Google接近发布其最新旗舰模型 Gemini 4，这是这家科技巨头在人工智能模型竞赛中落后于竞争对手 Anthropic 和 OpenAI 后期待已久的进展。 Kavukcuoglu 在一次活动上表示，Gemini 4 正处于被称为“后训练”的开发阶段的初期，在此阶段，基础 AI 模型将得到完善，以使其表现可靠
A20 Pro芯片焊点图曝光 iPhone 18 Pro或迎图形性能与内存带宽大幅升级
据吞吐带宽的显著跃升。 根据业内人士对芯片引脚排布与电路结构图的深入解析，A20 Pro预计将首次配备7核心GPU，较前代A19 Pro的6核心配置增加约16%。在通用计算部分，该芯片依然维持6核心CPU架构，由2颗高性能核心与4颗高能效核心组成。值得注意的是，4颗能效核心共享的二级缓存（L2 Cache）容量已从前代的6MB扩展至8MB，更大容量的缓存将有效加速设备处理大型数据集与日常后台任务的