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三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
高盛大幅上修27/28年光模块需求，称供应链紧张将是明年最大出货瓶颈
光模块行业真正的约束已从需求侧转向供给侧，DSP与激光器等原材料的稀缺性，以及龙头厂商的产能锁定策略，将成为决定2027年利润分配格局的关键变量。 高盛走访中国15家光通信企业后，大幅上调高速光模块需求预测，并判断定价纪律将好于市场预期。这份调研报告揭示的核心逻辑，远不止于订单排期——供给端的原材料瓶颈与龙头企业的产能锁定策略，正在悄然重塑这一轮AI基础设施投资的利润分配格局。 高盛将800G及以
Marvell公司正在推动GlobalFoundries加快晶圆生产的进度。
今年早些时候，英伟达首席执行官黄仁勋曾表示，Marvell 的光学技术有望使其成为下一家市值万亿美元的公司。周四，Marvell 宣布与美国晶圆代工厂格芯（GlobalFoundries）扩大合作伙伴关系，向实现这一目标迈出了重要一步。格芯以其在硅光子制造领域的卓越表现而闻名。根据此次合作，双方将共同致力于扩大格芯位于佛蒙特州伯灵顿晶圆厂的硅锗（SiGe）晶圆产能。硅锗常用于生产光收发器（将电信号
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
传台积电计划到2028年将CoWoS先进封装产能再翻倍
随着全球人工智能与高性能计算芯片需求呈现持续失控式增长，全球晶圆代工龙头台积电正面临空前严峻的交付瓶颈。据半导体供应链与权威行业最新分析报告披露，台积电计划在未来数年内展开新一轮激进扩产，目标是到2028年将其核心的CoWoS先进封装产能提升一倍以上；与此同时，由于现有产能早已被英伟达等巨头提前包圆且供不应求，大量AI芯片先进封装订单正加速向英特尔及台系封测代工企业发生大规模外溢。 在当前大模型基
铠侠甩出“谈判王牌”：要扩产，签长协！
近期，铠侠（Kioxia）联合SanDisk公布截至2033财年的5万亿日元扩产计划，瑞银（UBS）在8月28日发布的最新研报中认为，铠侠具备扩产能力，但无意立即执行——这将成为其在NAND长协（LTA）谈判中对超大规模云厂商的核心筹码。 当前，AI模型上下文长度的持续扩展正驱动推理侧NAND需求快速增长，且没有放缓迹象。 瑞银判断，2027年NAND供需将较2026年进一步收紧，超大规模客户在长
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
ASML将扩大日本员工队伍，助力下一代芯片制造商Rapidus和台积电
周四的新闻发布会上表示，ASML日本计划到2030年将国内员工人数从500人增加到约700人，以支持日本国内的先进芯片生产。
长鑫存储导入高K金属栅极技术：瞄准1a DRAM节点 2031年月产能或达80万片
中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）已在DRAM晶体管中导入高K金属栅极（HKMG）技术。这项材料与器件层面的升级有望缓解制程微缩所面临的漏电难题，并为其向更先进的1a级DRAM节点推进铺平道路。 随着DRAM器件尺寸持续缩小，传统二氧化硅绝缘层会因厚度过低而逐步失效，电子可能通过量子隧穿效应直接穿过绝缘层，从而造成漏电。为解决这一问题，长鑫存储据称采用了以氧化铪等材料为代表的高介电常数材料，取
AI芯片热潮推动产能狂飙 台积电1.4纳米工艺预计2027年首季试产
在全球人工智能算力需求持续爆发的背景下，台积电正在以前所未有的速度推进先进制程布局。最新产业消息显示，台积电1.4纳米A14制程开发进展顺利，最快有望于2027年第一季度启动试产。同时，受AI芯片需求强劲拉动，公司3纳米制程产能正在快速扩张，预计到2027年底单月产能将突破20万片晶圆。 根据产业链最新披露的信息，台积电正加快A14制程推进步伐。A14是台积电继2纳米之后的重要埃米级制造节点，也是
OpenAI解出千禧年数学难题后，Altman下一目标：攻克室温超导？
OpenAI正将AI驱动的科学发现推向更广阔的领域。9月8日，OpenAI宣布，其内部AI系统已提出纳维-斯托克斯方程存在性与光滑性问题的解决方案，并通过Lean形式化验证。这是七大千禧年大奖难题之一，也意味着AI在前沿数学研究中的能力再次向前迈进。 据OpenAI官网公告，这套系统由约1万个并发智能体组成，从启动到形成解决方案耗时约88小时。OpenAI称，完成证明所使用的内部模型“能力显著超越
SK海力士在印第安纳州启动40亿美元内存枢纽建设
SK海力士公司周四为其位于印第安纳州的先进内存封装工厂举行了奠基仪式，这标志着华盛顿方面旨在重建国内供应链和战略性重要行业制造业的广泛运动中的一个里程碑。 这座位于西拉法叶的工厂耗资超过40亿美元，占地133.5英亩，将是SK海力士在美国的首个高带宽内存封装基地。其洁净室预计将于2028年10月投入使用，下一代HBM的大规模生产计划于2029年下半年开始，首席执行官郭鲁正在活动上表示。全面投产后，
荷兰总理吁美国勿扩大阿斯麦设备对华出口限制
2026年9月17日在新德里举办的印度半导体展上阿斯麦的展台。（彭博社） 荷兰首相杰滕称，他已就美国进一步收紧晶片设备制造巨头阿斯麦（ASML）对华出口限制一事，与美国总统特朗普沟通，并有信心最终达成各方都能接受的方案。杰滕（Rob Jetten）星期四（9月24日）接受彭博电视台采访时说，他已就《硬件技术多边协调管制法案》（MATCH Act）以及保护半导体产业的重要性，与特朗普和美国国会议员进
PFAS生产量激增，以满足AI基础设施和半导体需求
瑞典化学品监管机构 ChemSec 警告称，主要的 PFAS 制造商正在大幅增加产量以支持人工智能产业，特别是在半导体制造和先进的数据中心冷却系统方面。 对十大生产商的调查显示，几乎所有生产商都计划扩大在欧洲、亚洲和北美的业务。 大金、阿科玛和科慕等公司明确将目标锁定在人工智能的繁荣上，而其他公司则提到了电动汽车锂离子电池的增长。 虽然巴斯夫等一些公司计划在 2028 年前退出生产，但批评人士和分
英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破百万片 先进制程量产能力再获验证
英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日，英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产，标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。 此次里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示，其高数值孔径EUV晶圆处理量