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美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB
人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布，已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块，标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录，也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍，这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s，属于目前性能最强、容量
美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
美光退出2GB GDDR7市场 RTX 50显卡显存供应格局生变
全球存储芯片市场传出新动向。根据最新披露的信息，美光已经将旗下所有2GB容量GDDR7显存产品标记为“生命周期终止”（EOL），意味着这些产品将不再继续生产。由于相关芯片曾被用于部分GeForce RTX 50系列显卡，此举也让业内开始重新关注高性能显存市场未来的供应格局。 公开资料显示，美光用于部分RTX 50系列显卡的28Gbps GDDR7芯片MT68A512M32DF-28:A目前已被列入
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
DLSS 5 在苹果 M5 Pro 上实测：画质大幅提升 但延迟激增十倍
英伟达最新的 DLSS 5 技术近日在非官方实验性方案下于苹果 M5 Pro 芯片上完成测试，结果显示其神经渲染能力可显著改善图像质量，但代价是帧率跌至个位数、输入延迟飙升至桌面 RTX 5050 的十倍。 测试由开发者 @iamwavecut 主导，其将 DLSS 5 的神经渲染模型移植至苹果 Silicon 平台，并借助 Apple Metal 框架实现原生运行；另一位开发者 @Mappsne
德国DDR5内存价格指数创历史新高 一年内涨幅超过54%
欧洲内存市场持续经历新一轮涨价潮。最新统计数据显示，德国DDR5内存价格指数再次刷新历史纪录，与去年同期相比整体价格已经上涨54.4%，显示出内存市场供应紧张局面仍在持续加剧。 数据显示，自今年年初以来，DDR5内存价格便处于持续上涨通道之中。进入第三季度后，涨价速度进一步加快，多个主流容量和规格产品接连突破此前价格高点。无论是面向普通消费者的桌面内存，还是用于高性能游戏平台和工作站的高频DDR5
M5 Ultra Mac Studio 轻松碾压我们的基准测试
苹果今年寄给我们测试的 Mac Studio 评测机，简而言之，简直令人咋舌。它搭载了配备 36 核 CPU 和 80 核 GPU 的 M5 Ultra 芯片，拥有 256GB 内存和 4TB 存储，售价为 12,299 美元。这款机器并非为典型的内容创作工作负载设计，而是面向 AI 开发者以及部分要求最苛刻的 3D 视觉特效工作室。坦白说，我们常规的基准测试已经不够用了。 苹果最新款最强大的电脑
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
国产第五代内存芯片技术有多强：无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺
快科技9月21日消息，今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息，其第五代技术平台正式量产，简称G5，并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格，有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball、245Ball封装规格，均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6，但这应该不是技术做不到，而是市场
创见推出64GB DDR5-6400 CUDIMM与CSODIMM内存模块
创见近日推出新一代64GB DDR5-6400 CUDIMM和CSODIMM嵌入式内存模块，在保持DDR5高频传输能力的同时，将单条模块容量进一步提升至64GB，为工业计算、边缘计算以及其他对大容量内存有较高需求的嵌入式设备提供新的选择。 此次推出的产品采用DDR5-6400规格，工作电压为1.1V，并同时提供CUDIMM和CSODIMM两种形态。其中，CUDIMM主要面向采用标准台式机内存插槽的
84GB GDDR7 英伟达RTX PRO 5500 Blackwell专业显卡登场
英伟达官网正式发布RTX PRO 5500 Blackwell专业工作站显卡。RTX PRO 5500采用Blackwell架构，最引人注目的特性是84GB GDDR7显存。该显存支持错误校正码，带宽高达1398 GB/秒，可运行更大AI模型、支持更长上下文窗口，并同时运行多个模型而无需卸载到系统内存。 核心架构层面，RTX PRO 5500基于NVIDIA Blackwell打造，搭载第五代Te
三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证
据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
全球首发，雷军点赞！长鑫官宣LPDDR6内存量产
“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产，非常了不起！”雷军在微博上说，“这只是开始，将来还会有更多优秀的中国科技企业，强强联合，勇攀高峰！” 时间节奏上，此次官宣，距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声，不到1个月时间。8月1日，接近长鑫的知情人士透露，其LPDDR6研发取得新进展，目前研发验证接近尾声，距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6，意味着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外
美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利
随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。
中科曙光预告全球首款64线程移动工作站笔记本
中国高性能计算巨头中科曙光（Sugon）近日对外预热了一款开创性的移动工作站产品，官方称其为全球首款具备64线程计算能力的笔记本电脑。在传统PC芯片巨头英特尔与AMD尚未将移动平台多线程规格推向此种量级的背景下，这一举措直接打破了当前移动计算设备的规格上限，引发了全球硬件产业与技术圈的广泛讨论。 从目前公布的设备参数来看，这款移动工作站并未采用笨重如“箱式台式机”的伪便携形态，而是保持了标准笔记本
国产芯片巨头入局嵌入式，海光用技术和生态破局
如今，AI加速从云端走向边缘和端侧已是大势所趋，智能体（Agentic AI）加速深入千行百业。 交通、油气、机器人、医疗、制造等一系列实体产业都已卷入智能化浪潮转型中，边缘端侧的算力支撑，成为驱动物理世界数智化转型的关键基石。 这样的变化带来了一系列新的挑战：工控场景需要兼顾微秒级实时控制与多任务并发；边缘网关需要同时承担多协议转换和数据预处理；机器视觉需要在现场完成快速AI推理。 总体来看，实
长鑫科技宣布量产高端LPDDR6内存晶片
长鑫科技宣布自主研发的新一代低功耗内存晶片LPDDR6实现量产，并将首批搭载于小米18折叠旗舰手机。 长鑫科技星期六（8月29日）在社交媒体上公布这一消息。新浪科技报道称，这是全球LPDDR6产品首次落地商用，标志着中国存储企业首次在高端内存标准上实现全球首发量产跨越。 LPDDR6是新一代低功耗内存标准，主要用于智能手机、平板电脑和人工智能终端等设备，可提供更高的数据传输速度和能源效率。这距离该
4GB与6GB GDDR7显存颗粒或于2027至2028年登场
显卡行业长期存在的显存容量瓶颈，未来几年或许将迎来重要突破。最新爆料显示，存储芯片厂商正在规划推出单颗容量达到4GB和6GB的GDDR7显存颗粒，如果相关计划顺利推进，下一代消费级和专业级显卡有望获得远超当前水平的显存配置。 消息来自业内知名爆料人士“Golden Pig Upgrade”。根据其说法，存储厂商预计将在2027年至2028年期间陆续推出4GB和6GB容量的GDDR7显存颗粒。虽然目
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
1b DRAM单位面积价值现在比台积电2纳米晶圆还高出54%
在人工智能带动全球算力需求爆发的背景下，半导体产业正在出现一个过去几乎难以想象的现象：用于制造DDR5内存的先进DRAM晶圆，如今按单位面积计算的市场价值，已经超过了台积电最先进的2纳米逻辑晶圆。 最新行业分析显示，目前1b DRAM的单位面积价值约为每平方毫米0.654美元，而台积电2纳米（N2）晶圆对应的单位面积价格约为每平方毫米0.424美元。换句话说，同样大小的一块硅片面积，先进DRAM如
又见存储巨头“天量奖金”：美光最高发68个月奖金
美光科技宣布向中国台湾员工发放创纪录奖励，但工会拒绝接受并维持罢工威胁，劳资博弈进入关键阶段。 美光科技周五宣布，中国台湾员工将获得相当于35至68个月薪酬的2026财年奖励，最低现金补偿为170万新台币（约合5.38万美元）。 美光指出，在经历了一个“对公司而言非凡的年份”后，全球超过6万名员工将获得2026财年的奖励，本次向员工发放的薪酬力度为历年来最高。 然而，代表美光中国台湾约三分之二员工
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图