SK海力士考虑与日本合作建内存工厂以供应AI热潮

这家韩国动态和闪存供应商正在考虑多个地点，用于联合运营的工厂。

SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片

据知情人士透露，韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段，尚未作出最终决定。 知情人士称，目前讨论中的一种方案是，SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施，并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清

崔泰源：正在考虑日本等半导体工厂投资…即将公布

▲ SK集团会长崔泰源。/大韩商工会议所提供SK集团会长崔泰源正在日本访问，关于在日本宫城县设立半导体合资工厂的可能性等，“正在持续考虑。” 据财界称，韩日商工会议所会长团会议8月31日在日本仙台举行，“（在日本新建半导体生产工厂等）还在考虑”，“商讨结束后将对外公布。” “是否有计划在日本宫城县建设半导体生产设施”，“是否推进在日本建设存储半导体合资工厂”等，崔泰源亲自作出了上述回答。 但他没有

SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年

SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内

SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片

据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以

AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天

全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动

日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？

还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND

SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂

据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态

SK海力士在硅谷成立创投品牌“SK hynix Ventures”

韩国存储芯片巨头SK海力士宣布正式成立企业风险投资品牌“SK hynix Ventures”，总部设于美国硅谷。此举被视为公司在人工智能时代进一步扩大投资布局的重要一步，未来将重点押注AI技术、下一代数据中心基础设施以及相关核心软硬件生态。 SK海力士是在首届“SK hynix Ventures Day”活动上公布这一消息的。活动在硅谷举行，吸引了来自全球风险投资机构以及多家科技初创企业代表参与。

“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”

▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规

#行情 美股盘前，英特尔涨约5%，SK海力士涨约3%，报道称SK海力士正与英特尔洽谈，拟首次在美生产存储芯片。

美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利

随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。

据报道，SK海力士正在与英特尔商谈一项合作事宜：双方计划首次在美国共同生产内存芯片。

SK海力士正与英特尔就在美国（可能在俄亥俄州）生产存储芯片进行谈判。该协议将有助于英特尔和特朗普政府，但首尔方面的反对意见可能成为一大障碍。 2026年9月16日，印度标准时间上午5:56。据三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项协议，若达成，SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。 据其中一位人士称，在一种潜在方案中，SK海力士将租用英特尔长期规划的俄亥俄州芯片制造工厂的一部分。另外

SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺

随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。

没人喜欢数据中心和芯片，芯片，芯片

希望大家都有一个凉爽的秋天开局。我是Yifan，从硅谷为大家带来本周的#techAsia。 我刚从印第安纳州的报道之旅回来，在那里我提前参观了SK海力士在美国的首个先进芯片封装工厂，该工厂将于2028年底投产，组装备受追捧的高带宽内存（HBM）芯片。 近年来，我参观了不少工厂和建筑工地，以记录美国重振制造业的努力，但当我看到SK海力士芯片工厂与街对面的联排别墅和公寓如此之近时，我仍然感到惊讶。 尽

日本争取SK海力士芯片工厂面临韩国政策障碍

首尔/日本仙台——日本东北部的宫城县希望韩国SK海力士在当地建设尖端存储芯片工厂，但此举遭遇华盛顿方面的类似游说努力，以及首尔因技术泄露担忧而不愿批准新的外国设施。

独家：消息人士称SK海力士正与英特尔洽谈首次在美国生产内存芯片的交易

三位知情人士透露，韩国SK海力士正与英特尔洽谈一项交易，将首次在美国本土生产内存芯片。

AI热潮推升韩国电力需求 路透：需增建20座核反应炉

（中央社首尔8日综合外电报导）韩国气候能源环境部长金星焕指出，受晶片制造大厂三星电子和SK海力士扩大产能及新建人工智慧（AI）资料中心等计划带动，韩国未来几年用电需求将会大幅激增。 金星焕本月接受专访时指出，仅AI相关的用电需求就将带动韩国电力需求增加25至30GW（gigawatt，百万瓩），此外还需因应汽车从燃油引擎转向电动车，以及使用电力而非燃气供暖导致的国内用电需求上升。 韩国政府预计下个

川崎重工与一家获得五角大楼支持的初创公司签署人工智能芯片协议

川崎重工业已签署一项协议，将一家初创公司的人工智能芯片应用到日本的空中防御平台中。这家芯片公司最引人注目。 总部位于神奈川的无晶圆厂半导体公司 EdgeCortix 于上周宣布了这项合作协议，合作期从 2026 年持续到 2028 年。 负责川崎重工防务与航空航天部门的西本秀明（Hideaki Nishimoto）表示……

松下能源加入AI需求热潮

东京——松下能源（Panasonic Energy）或许以向特斯拉电动汽车供应电池而闻名，但这家日本供应商表示，目前数据中心的销售额正成为其增长的驱动力。 该公司目前仍在位于美国内华达州的工厂生产电动汽车电池，并正在日本和歌山县筹建另一家工厂，以生产下一代高容量电池。但其位于大阪和美国堪萨斯州的工厂已经开始同时为电动汽车和数据中心生产电池，而其位于日本德岛的工厂则专门服务于数据中心客户。 松下能源

消息人士称，SK海力士旗下Solidigm部门正考虑在美国建NAND存储芯片工厂

芯片制造商SK海力士的美国子公司Solidigm正在考虑在美国建造一座生产NAND闪存芯片的工厂，据三位知情人士透露，纽约州北部是选址的主要候选地。

三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场

2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二

英伟达与澳大利亚合作伙伴联手打造AI工厂产能

SK海力士开始在印第安纳州建设50亿美元存储芯片枢纽

据《海峡时报》报道，韩国芯片制造商SK海力士已开始在美国印第安纳州建设一个耗资50亿美元的存储枢纽。该项目预计将创造约7000个直接和间接就业岗位。这项投资是美国一系列半导体制造公告中的最新一项。