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中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链
中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺
据报道，中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
存储涨价拦不住！中国移动直接砸近10亿元：采购4000万片存储芯片
快科技9月24日消息，据中国移动采购与招标网公告，中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示，该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片，采购上限为4000万片（非承诺量），预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制，不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2
存储晶片价格飙升 华为小米荣耀多款手机涨价
受存储供应趋紧、晶片价格持续上涨影响，中国手机市场掀起新一轮涨价潮，华为、小米和荣耀等多个品牌均上调部分机型售价。 综合中国《证券时报》和第一财经星期二（9月1日）报道，华为、小米和荣耀近期陆续调整官方商城售价，覆盖入门、中端和高端旗舰机型。与年初多家厂商公开宣布涨价不同，本轮调价并未统一发布通知。 华为Mate 80全版本统一上涨800元（人民币，下同，约151新元），12GB+256GB版本从
日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产
存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力
全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨，而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出，随着DRAM内存价格不断攀升，包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力，消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为，本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来，大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求，使得
【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化？
【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色，但若分季度观察，二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年，海外原厂（三星、SK海力士、美光）将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5，通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后，二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场，虽然AI服务器正成为新的核心增长极，但占据超五成的智能手机
华为成为中国先进芯片国产化道路上的推手
通过投资各类DUV光刻机元组件生产商，这家科技巨头发挥的作用类似于“项目管理”。 在中国力争从自己的半导体供应链中剔除外国技术的计划中，华为(Huawei)处于核心位置，其支持的多家公司所研发的元组件应用于可生产最先进芯片的机器。 据多位知情人士透露，这家中国科技巨头正广泛投资于光刻机制造产业，同时帮助促成相关企业与中芯国际(SMIC)等中国领先晶圆厂的合作，目的是打造能够替代外国供应商的本土供应
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
长鑫存储释放合作信号 与苹果供应链合作传闻进一步升温
围绕苹果与中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）的合作传闻，在持续数月的反复猜测后再次出现重要进展。长鑫存储近日在回应相关问题时表示，公司对与全球顶级客户开展合作持开放态度，并强调其产品已具备与国际主流供应商同台竞争的能力。市场普遍认为，这是迄今为止长鑫存储对于潜在苹果合作关系最接近正面确认的一次表态。 根据公开消息，苹果近年来一直在寻找更多内存供应来源，以增强与现有供应商谈判时的主动权。目前苹果
中国第二大晶圆代工厂华虹投资20亿美元新建晶圆厂以满足AI驱动的激增需求
中国主要晶圆代工厂华虹半导体（Hua Hong Grace Semiconductor）正投入20亿美元，在中国芯片生产重镇无锡进行大规模产能扩张，以应对国内对AI基础设施的飙升需求，并规避美国的技术限制。 这家中国第二大合同芯片制造商周二向香港交易所提交的文件显示，这笔新资金将用于建设一条新的12英寸特种工艺生产线，这是该公司在无锡的第三座工厂。 全面投产后，该扩建项目将为其月产能增加5.5万片
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
中国存储芯片厂商江波龙拟香港上市 融资不超过62.8亿港元
中国存储芯片厂商江波龙拟香港上市，融资不超过62.8亿港元（8.01亿美元），加入人工智能硬件供应链企业赴港融资潮。根据江波龙周一发布的上市文件，公司计划发行约2600万股股份，发售价不超过每股240.6港元，较其上周五在深圳上市的A股收盘价折让约45%。江波龙预计9月8日在香港挂牌上市。该公司A股今年以来已上涨约50%。 媒体看到的交易条款显示，若行使增发选择权，募资规模最高可达到10.6亿美元