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「中国在无需使用先进光刻设备的情况下,仍在3纳米芯片技术上取得了进展。」共 80 条 · 第 2 页
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中国团队在自主超导量子计算机上实现新突破 传输效率高达98%

据中心架设了“快速路”,有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文日前发表于国际物理期刊《物理评论X》。 如果把量子计算机比作“智慧城市”,那么量子随机存取存储器(QRAM)就是其中存储和调度数据的“数据中心”。QRAM是实现量子搜索、量子机器学习等算法的重要功能模块,其核心是“量子路由器”——它负责根据地址指令将数据准确送达目标位置。但传统方案随路由网络规模增大,每增加一个节点就需大量标准量子门

09/03
cnbeta

长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局

中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)宣布,其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑,也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来,随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升,全球市场对先进DRAM产品的

09/20
美国消费者新闻与商业频道

科技政策专家谈华为芯片发展与中美人工智能差距

奥尔布赖特石桥集团的保罗·特里奥洛讨论了华为的替代芯片发展路径、中国在先进光刻技术方面的进展,以及中国人工智能模型追赶美国领先者的速度。30分钟前

09/23
南华早报

伯恩斯坦:Tau缩放定律奏效,华为缩小与苹果移动芯片差距

根据股票研究公司伯恩斯坦(Bernstein)的报告,华为技术有限公司本月初发布的最新智能手机处理器麒麟9050 Pro,已将其与苹果芯片的技术差距从上一代的约四年缩小至三年左右。 伯恩斯坦估计,该芯片采用的技术相当于7纳米工艺节点。在Geekbench 6多核测试中,其表现优于苹果的3纳米A17 Pro芯片。Geekbench 6是一项广泛使用的基准测试,用于衡量处理器在多个中央处理器核心上处理

09/22
南华早报

中国在新五年路线图中押注芯片和人工智能,以挑战美国科技主导地位

与美国日益激烈的技术竞争,以及北京推动技术自主的努力,促使中国领导人在最新的电子与信息技术五年规划中,更加重视并紧迫看待从人工智能到集成电路和芯片等领域的突破。 工业和信息化部以及中国最高经济规划机构国家发展和改革委员会周二列出了未来五年电子和信息技术产业的优先事项。 关键目标包括整个集成电路产业取得全面进展,其中包括开发开放标准的RISC-V集成电路,以帮助减少中国对西方技术的依赖。 该计划还要

09/15
联合早报

韩正:中国制造业领域外资准入限制已“清零”

中国国家副主席韩正说,中国制造业领域外资准入限制已“清零”,电信、医疗等服务业领域有序开放。他表示,中国将继续积极扩大自主开放,以更多务实举措便利来华投资。 中国国际投资贸易洽谈会(投洽会)星期二(9月8日)在福建厦门开幕。韩正当天上午出席开幕式并致辞,表示当前世界进入新的动荡变革期,不确定、不稳定因素明显增多,但开放合作的历史大势不会改变。 韩正致辞中提出三点建议,一是不断开创合作共赢新局面。他

09/09
星洲日报

中国搭建地球和月亮“高速太空光纤” 40万公里外实现高速传讯

(北京31日综合电)中国科学院空间应用工程与技术中心宣布,中国在地月激光(雷射)通信试验任务中取得重要突破,成功在超过40万公里的地月距离上建立起双向激光链路,首次实现地月双向高速激光通信,象征中国空间激光通信正式从近地轨道迈入地月空间。 《央视》报道,空间激光通信是一种利用激光传输信息的通信方式,具有频宽大、速度快、方向准、保密性好的优势,奈何距离越远,技术挑战越大。 这项成果就如同在地球和月球

08/31
华尔街见闻

直击光博会!芯片、光引擎、设备密集上新

从800G迈向1.6T,光通信产业链正在迎来新一轮产品迭代。 在第二十七届中国国际光电博览会(CIOE中国光博会)上,记者看到,从单波200G光通信电芯片、6.4T CPO光引擎,到纳秒级光路交换产品、面向铜材料加工的绿光激光器,多家公司带来了面向下一代光互连及其应用场景的新产品。 有的已经量产,有的正在送样验证,也有的在等待下游市场启动。产品发布的节奏背后,光通信产业链正在为1.6T、NPO、C

09/12
南华早报

中国以世界领先的电子枪光束点燃“超级显微镜”的希望

中国利用尖端电子枪产生了一束电子束,朝着建设一台“超级显微镜”迈出了关键一步,这有望推动从阿尔茨海默症研究到先进微芯片等领域取得突破性进展。 位于中国中部安徽省的合肥先进光源(HALF)于9月20日成功发出首束电子束。 由电子枪产生的电子团簇,经由一台长192米(约630英尺)的直线加速器加速,能量达到22亿电子伏特,标志着这一第四代光源项目取得了里程碑式进展。 参与该项目的科学家何志刚对官方通讯

14小时前
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英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破百万片 先进制程量产能力再获验证

英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日,英特尔晶圆代工部门宣布,采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产,标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。 此次里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示,其高数值孔径EUV晶圆处理量

09/08
cnbeta

长鑫HBM量产遇挫:据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格

长鑫存储(CXMT)在前沿高带宽内存(HBM)的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示,长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈,综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间,若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节,下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试,实际综合产出率面临巨大挑战。 作为

09/09
凤凰网科技

马斯克:中国AI大模型单位算力产出近全球顶尖,2-3年补齐算力缺口

原标题:马斯克惊叹中国AI大模型“单位算力产出性能几乎是全球顶尖水平”,预计两到三年内就能靠光刻技术与芯片制造补齐算力缺口IT之家 9 月 23 日消息,特斯拉 CEO 埃隆 · 马斯克今日接受了央视财经专访。 当谈及 AI,他表示中国的 AI 大模型整体而言非常出色,单位算力产出的性能几乎全球顶尖。 他认为,中国解决算力问题的速度会比大多数人预想更快。粗略估计,大概两到三年内,中国就能依靠光刻技

09/23
凤凰网

美媒:不到十年,中国已发生翻天覆地的变化

据美国有线电视新闻网(CNN)9月23日报道,中美领导人即将会面,2017年,中国在多个领域仍落后于美国,面对特朗普次年即将发动的科技与贸易摩擦,处境较为被动。如今,中国已完成蜕变。作为全球第二大经济体,中国已然成长为科技重镇。本土科技人才推动中国人工智能大模型持续追赶硅谷前沿水平。总部位于北京的航天企业正在实现可回收火箭的发射与回收,目标直指行业全球领军企业太空探索技术公司(SpaceX)。过去

09/24
路透社

中国长鑫存储(CXMT)在先进存储芯片上取得突破,据The Information报道

据The Information周一报道,中国存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)已开始小批量生产先进的高带宽内存。

09/01
cnbeta

Mozilla最新报告揭示前沿AI代差收窄:中国开源模型性能差距缩至4.4个月

国际非营利技术机构 Mozilla 近日发布最新一期《开源人工智能现状报告》(State of Open Source AI)显示,美国硅谷顶尖科技巨头的闭源前沿 AI 模型与来自中国科技企业的顶尖开源权重模型之间的性能代差已大幅缩窄至仅约 4.4 个月。这一极小的时间差距与巨大的使用成本反差,正在促使全球越来越多企业在处理日常业务时,将高性价比的开源模型作为首选生产力工具。 该报告系统性比对了全

09/16
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三星与高通联手推进2.1D先进封装:无需硅中介层 带来AI芯片高性能互连能力

三星与高通正在进一步扩大双方在半导体领域的合作范围,双方已经围绕2.1D先进封装技术展开合作,目标是为下一代高性能计算和人工智能芯片提供更高密度、更高速率的芯片互连方案。此次合作也被视为三星进一步完善先进封装技术体系、争夺AI芯片封装市场的重要一步。 随着生成式AI和高性能计算的发展,单颗芯片所需要处理的数据量持续增加,传统封装方式越来越难以满足芯片之间高速、大规模数据传输的需求。尤其是AI加速器

09/15
亚洲新闻台

中国称美国关于人工智能窃取的指控毫无根据

09/10
朝鲜日报

“三星、海力士、美光3强格局成形,中企难以打破”

2026-09-22 14:48 “AI(人工智能)半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官(CEO)戴夫·马扎表示:“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”,“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro

09/22
凤凰网

中国领跑电池技术,西方有人劝:别追了,买吧

据英国《金融时报》9月21日报道,当欧美企业还把钠离子电池视为摆脱中国电池供应链优势的一条新路时,中国企业已经在产能、专利和商业化应用等方面占据领先位置。咨询机构CRU集团电池成本主管马克斯·里德(Max Reid)直言,在钠离子电池这场竞赛中,“西方已经错失良机”。钠离子电池的工作原理与锂离子电池类似,但使用储量更加丰富的钠作为关键材料。由于原材料来源广泛,包括海水都可提供钠资源,加之可以减少对

09/21
罗塞塔简报

联发科推出天玑 9600 Pro 及 9600M 芯片,采用台积电 2 纳米与 3 纳米工艺

联发科发布天玑 9600 Pro 和 9600M 芯片,采用台积电 2 纳米和 3 纳米工艺。 2026 年 9 月 15 日星期二,总部位于台湾的联发科推出了两款新的智能手机芯片:基于台积电 2 纳米工艺打造的天玑 9600 Pro,以及采用 3 纳米工艺的天玑 9600M。 这些芯片面向高端手机市场,配备增强型神经处理单元(NPU),用于设备端生成式 AI,其中天玑 9600 Pro 声称提示

09/15
南华早报

AI瓶颈打破者:中国华为推出高速光模块

华为技术有限公司推出了一款旨在消除人工智能基础设施瓶颈的高速光模块,率先在争夺下一代数据中心连接标准的主导权中占得先机。 这家总部位于深圳的科技巨头在本周于深圳举行的中国国际光电博览会(CIOE)上,展示了其所谓的业界首款7.2太比特每秒(Tbps)近封装光学(NPO)产品。 该技术用光信号替代了传统的铜线,能够以比现有系统更高的速度和更低的功耗在AI处理器之间传输大量数据。 随着AI集群规模扩大

09/10
cnbeta

研究人员刷新分子计算速度纪录 DNA计算机无需持续供电也能完成运算

爱尔兰梅努斯大学研究人员开发出一种新型DNA计算机,它能够利用DNA分子在盐溶液中的自然化学反应完成计算,而不需要像传统电子计算机那样持续消耗电能。研究团队表示,这种方法首次实现了无需持续外部供能的DNA计算,并在现有DNA计算系统中取得了目前最快的计算速度。 随着人工智能和数据中心快速扩张,计算设备的能源消耗正在成为越来越突出的问题。研究人员预计,到2050年,美国商业部门消耗的电力中可能有高达

09/23
朝鲜日报

140万韩元盗窃罪判有期徒刑3年,300亿技术泄露罪判2年4个月

▲ 近5年海外技术泄露事件的趋势成立于1976年的PECO TEC公司为SK海力士和三星电子供应半导体组装所需的设备“毛细管劈刀(Capillary)”。毛细管劈刀用于将粗细为头发五分之一的金属线连接到半导体芯片上,是高带宽存储器(HBM)工艺的核心设备。PECO TEC公司十年来投入超过300亿韩元(人民币约1.5亿元)开发技术,目前占据全球毛细管劈刀市场的70%以上。 但PECO TEC开发的

09/17
彭博社

ASML赢得台积电、三星新EUV机器订单,AI需求激增

ASML Holding NV已获得顶级芯片制造商对其最新半导体生产设备的承诺,同时达成更广泛的协议,以满足对更强大人工智能技术日益增长的需求。 三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始采用这家荷兰公司的高数值孔径(High NA)EUV光刻设备进行大规模生产,加入英特尔使用每台价值4亿美元机器的行列。三星是内存芯片的领先制造商,而台积电是为英伟达和苹果等公司生产定制芯片的领导者。 这

09/08
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