搜索结果
研究人员将真空环境变成超导工具 量子真空涨落可使超导性能提升5.4%
中国科学技术大学、中国科学院以及上海交通大学、麻省理工学院等机构的研究人员取得一项新的超导研究进展。他们利用一种经过特殊设计的太赫兹“暗腔”，人为增强原本极其微弱的量子真空涨落，并首次在实验中观察到这种真空涨落能够增强超导性能。研究结果显示，在特定条件下，六层厚度的二硒化铌（NbSe₂）器件超导临界温度最高可以提高5.4%，同时临界电流和临界磁场也得到明显增强。 这项研究由中国科学技术大学的曾长淦
存储涨价拦不住！中国移动直接砸近10亿元：采购4000万片存储芯片
快科技9月24日消息，据中国移动采购与招标网公告，中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示，该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片，采购上限为4000万片（非承诺量），预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制，不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
中国研究人员找到防太空碎片干扰航天器的“蛋”妙办法
近地轨道上漂浮着大量垃圾，对载人航天器和无人航天器都构成威胁。 但一个基于自然界持久形态的新想法，或许能为抵御碎片撞击提供更好的保护——这可不是“蛋”戏。撇开糟糕的双关语不谈，我们恳请您的原谅。 大连理工大学的中国研究人员开发出一种新的航天器装甲设计，根据周二发表的一篇研究论文，该设计通过借鉴典型鸡蛋的形状，提供了相当大的额外保护。 “天然生物结构在长期适应中进化出了优异的能量吸收性能，”第一作者
扁平光纤展现出卓越传感能力 压力灵敏度最高提升1000倍
科学家研究地球是圆的，已经有2000多年历史，但“地平论”支持者依然对此深信不疑，有些人甚至愿意“走到世界尽头”寻找证据，只是至今还没找到所谓的尽头。抛开地球形状不谈，瑞典皇家理工学院与英国南安普敦大学的研究人员近日开发出一种技术，证明在光纤传感领域，扁平结构可能明显优于圆形结构。 研究团队研制出一种扁平带状的二氧化硅光纤。这种光纤可以通过结构设计，对物理作用产生远强于传统圆柱形光纤的响应，因此能
日本开发出世界最高耐久性钙钛矿电池
日本东芝与信越化学工业携手新潟大学，开发出耐久性能提升至先前产品1.5倍的下一代钙钛矿光伏电池。目前属于世界最高水平，力争在2030年代实现产品销售。将借助耐久性抗衡在该领域已积累量产技术的中国企业。 东芝负责发电部分，信越化学工业负责封装材料的制造。新潟大学开发了光伏电池的封装技术，提高了其耐久性。 此次开发的是由硅光伏电池和钙钛矿光伏电池结合而成的“串联型”，将作为高发电效率光伏电池实现商品化
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
长鑫存储计划进军NAND闪存市场，以应对AI驱动的存储短缺
中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露，长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院，以开发NAND芯片，旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产
中国搭建地球和月亮“高速太空光纤” 40万公里外实现高速传讯
（北京31日综合电）中国科学院空间应用工程与技术中心宣布，中国在地月激光（雷射）通信试验任务中取得重要突破，成功在超过40万公里的地月距离上建立起双向激光链路，首次实现地月双向高速激光通信，象征中国空间激光通信正式从近地轨道迈入地月空间。 《央视》报道，空间激光通信是一种利用激光传输信息的通信方式，具有频宽大、速度快、方向准、保密性好的优势，奈何距离越远，技术挑战越大。 这项成果就如同在地球和月球
华为何庭波更新韬定律论文：“τ芯片”本该过热烧毁？
堆叠更多晶体管，芯片反而更冷——这一看似反直觉的结论，成为华为半导体负责人何庭波最新论文试图回答的核心问题。 论文数据显示，麒麟2026晶体管密度较前代提升约55%，但在相同性能下，NPU功耗下降66%，GPU功耗下降58%。何庭波认为，芯片能耗的关键不只是“计算”，更在于“数据移动”——LogicFolding通过缩短信号传输距离，从源头降低数据搬运能耗。 据第一财经，今年5月，华为对外发布“韬