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英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破百万片 先进制程量产能力再获验证
英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日，英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产，标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。 此次里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示，其高数值孔径EUV晶圆处理量
ASML赢得台积电、三星新EUV机器订单，AI需求激增
ASML Holding NV已获得顶级芯片制造商对其最新半导体生产设备的承诺，同时达成更广泛的协议，以满足对更强大人工智能技术日益增长的需求。 三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始采用这家荷兰公司的高数值孔径（High NA）EUV光刻设备进行大规模生产，加入英特尔使用每台价值4亿美元机器的行列。三星是内存芯片的领先制造商，而台积电是为英伟达和苹果等公司生产定制芯片的领导者。 这
新型无线外置显卡方案eGPU亮相 宣称可通过超低延迟无线连接释放RTX 5090桌面级性能
硬件初创团队与相关技术研发方日前展示了一款极具颠覆性的无线外置显卡（eGPU）解决方案。该方案声称彻底摆脱了雷电（Thunderbolt）或OCuLink物理线缆的物理束缚，能够通过高带宽、超低延迟的无线数据传输协议，向轻薄笔记本电脑乃至掌机设备无缝输送媲美桌面级旗舰显卡RTX 5090的图形计算性能。 长期以来，传统外置显卡拓展坞普遍依赖Thunderbolt 4/5或定制PCIe物理接口与主机
DLSS5魔改版换路线：性能暴涨114% 老显卡也能稳30帧
顶级硬件发烧友圈内再次传出捷报，非官方DLSS 5神经渲染组件在更换OptiScaler架构后，性能表现实现了翻倍式跃升。此次更新的核心变动是弃用了基于RenoDX的ReShade注入方式，转而采用OptiScaler分支进行直接处理。 要知道神经渲染作为一种利用AI神经网络重建全局光照的尖端技术，其对算力的要求极高，而OptiScaler的介入显著优化了这一处理流程。 在《最后的生还者 2》的对
高通详解下一代骁龙旗舰NPU升级：更强AI推理能力将降低对内存的依赖
高通近日进一步公布了骁龙8 Elite Gen 6 Pro的AI处理能力细节，其中最值得关注的是全新Hexagon NPU的升级。与过去单纯追求AI算力增长不同，高通此次更加重视AI模型运行效率、内存访问以及功耗控制，希望让下一代旗舰手机能够在本地运行规模更大的生成式AI模型和AI智能体。 高通表示，随着生成式AI逐渐成为智能手机的重要功能，AI模型本身也在不断变得更加庞大和复杂。对于移动设备而言
高通发布两款2纳米工艺手机芯片 押注智能体应用
【财新网】当地时间9月22日高通2026骁龙峰会上，高通宣布，手机旗舰产品线首次同时推出两款芯片产品，分别为第六代骁龙8至尊版和第六代骁龙8超级至尊版。两款芯片CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）和NPU（神经网络处理器）的基础架构相同，均采用台积电2纳米工艺，这也是高通首次将2nm工艺引入手机平台。 相比至尊版，超级至尊版芯片采用了更先进的Offset PoP散热优化封装技术，帮助芯片在
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
三星与高通联手推进2.1D先进封装：无需硅中介层 带来AI芯片高性能互连能力
三星与高通正在进一步扩大双方在半导体领域的合作范围，双方已经围绕2.1D先进封装技术展开合作，目标是为下一代高性能计算和人工智能芯片提供更高密度、更高速率的芯片互连方案。此次合作也被视为三星进一步完善先进封装技术体系、争夺AI芯片封装市场的重要一步。 随着生成式AI和高性能计算的发展，单颗芯片所需要处理的数据量持续增加，传统封装方式越来越难以满足芯片之间高速、大规模数据传输的需求。尤其是AI加速器
高通下一代旗舰芯片曝光：主频冲击5.4GHz 继续采用台积电2纳米N2P工艺
高通刚刚发布骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Extreme Gen 6不久，外界关于下一代旗舰移动平台的传闻已经开始浮现。最新消息显示，高通正在开发代号为“Honu”的全新旗舰SoC，预计将继续采用台积电2纳米N2P工艺，并将CPU主频进一步提升至5.3GHz至5.4GHz区间。 根据爆料信息，这款芯片可能被命名为骁龙8 Elite Extreme Gen 7，内部型号为SM8
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
中国在无需使用先进光刻设备的情况下，仍在3纳米芯片技术上取得了进展。
中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展，而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。 这一突破标志着中国在美国出口限制下，为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定，荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。 据台湾媒体DigiTimes周四报道，引用中国科学院微