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中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺
据报道，中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，
高通发布两款2纳米工艺手机芯片 押注智能体应用
【财新网】当地时间9月22日高通2026骁龙峰会上，高通宣布，手机旗舰产品线首次同时推出两款芯片产品，分别为第六代骁龙8至尊版和第六代骁龙8超级至尊版。两款芯片CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）和NPU（神经网络处理器）的基础架构相同，均采用台积电2纳米工艺，这也是高通首次将2nm工艺引入手机平台。 相比至尊版，超级至尊版芯片采用了更先进的Offset PoP散热优化封装技术，帮助芯片在
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
对话高通数据中心业务总经理：从定制CPU到3D堆叠HBC，高通下出端云AI一盘棋
智东西夏威夷毛伊岛9月22日现场报道，在骁龙峰会2026上，高通一口气推出两款2nm旗舰芯片——第六代骁龙8超级至尊版（详情参见《刚刚，高通2nm双旗舰来了，为智能体AI重造架构，手机能跑300亿参数大模型》）会后，高通技术公司执行副总裁兼技术规划、边缘解决方案和数据中心业务总经理马德嘉Durga Malladi与智东西等媒体进行交流，涉及话题包括高通为何重归数据中心CPU市场、3D堆叠与高带宽计
三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
DLSS 5 在苹果 M5 Pro 上实测：画质大幅提升 但延迟激增十倍
英伟达最新的 DLSS 5 技术近日在非官方实验性方案下于苹果 M5 Pro 芯片上完成测试，结果显示其神经渲染能力可显著改善图像质量，但代价是帧率跌至个位数、输入延迟飙升至桌面 RTX 5050 的十倍。 测试由开发者 @iamwavecut 主导，其将 DLSS 5 的神经渲染模型移植至苹果 Silicon 平台，并借助 Apple Metal 框架实现原生运行；另一位开发者 @Mappsne
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
英伟达备受争议的DLSS 5于9月3日发布，需要强大的GPU性能
英伟达本周正式推出DLSS 5，此前在3月的一次引发分歧的公告中，我们曾将这项AI超分辨率技术比作“视频游戏的实时生成式AI滤镜”，并称其为“视频游戏的运动平滑，但更糟糕”。 DLSS 5将正式支持RTX 50系列台式机和笔记本电脑GPU，并通过GeForce Now云游戏提供，但截至目前，唯一支持该技术的游戏是《》，该游戏将于太平洋时间9月3日晚上9点在PC上发布。 在发布时，英伟达盛赞DLSS
长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与