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蔡司高管：中国15年内会造出EUV光刻机 制裁会把他们逼成“技术疯子”
ASML EUV光刻机光学元件独家供应商、德国蔡司集团半导体事业负责人Frank Rohmund近日接受采访时表示，中国要开发出EUV光刻机大约还需要15年。 他称这是一个合理的推测，同时也坦言中国在这方面的实际进展难以量化。 ASML是目前全球唯一能制造EUV光刻机的企业，而EUV技术是生产英伟达AI加速器等最先进芯片不可或缺的关键技术。技术本身越重要，掌握技术的话语权就越大。美国正是利用这一优
长鑫G5平台量产解读，全球内存市场“三国演义”变“四国杀”？
具体信息，公开报道很多，这里先重点分析G5平台三个核心工艺指标背后的意义，感觉技术解读枯燥，有源区半间距11.95nm，这是存储阵列密度的核心指标。长鑫靠四重曝光的ArF浸没式DUV实现，即全程零EUV。第三方拆解机构TechInsights实测其G5代DDR5特征尺寸F为16.0nm，确认无EUV参与，这实际证明在15-16nm区间DUV仍可行，客观上削弱了“EUV禁运即可锁死中国先进存储”的图
瑞银称中国未来十年不太可能赶上ASML的顶级设备
瑞银集团分析师预测，中国不太可能在未来十年内快速提升其半导体制造能力，以开发出ASML Holding NV尖端极紫外技术的可行替代品。 由Francois-Xavier Bouvignies领导的瑞银分析师在报告中写道：“他们似乎处于与ASML 2004年相似的阶段。” 北京一直在向国内芯片行业投入国家资本以实现自给自足。但其进展受到华盛顿主导的对尖端芯片制造设备出口限制的阻碍。 总部位于荷兰费
ASML将与晶片大厂合作 以最新设备生产更大尺寸晶片
（中央社旧金山7日综合外电报导）荷兰晶片制造设备大厂艾司摩尔（ASML）表示，该公司计划与主要客户合作，运用其最先进的设备生产用于开发辉达（Nvidia）等公司所设计的大型资料中心晶片。 报导，艾司摩尔即将推出的下一代设备称为高数值孔径极紫外光（High NA EUV），由于采用较小尺寸的光罩，目前在可印制的晶片尺寸上面临限制。 英特尔（Intel）已将艾司摩尔的最新设备用于笔记型电脑晶片，艾司摩
长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
全球首发，雷军点赞！长鑫官宣LPDDR6内存量产
“祝贺长鑫实现LPDDR6内存量产，非常了不起！”雷军在微博上说，“这只是开始，将来还会有更多优秀的中国科技企业，强强联合，勇攀高峰！” 时间节奏上，此次官宣，距离其LPDDR6产品研发验证进入尾声，不到1个月时间。8月1日，接近长鑫的知情人士透露，其LPDDR6研发取得新进展，目前研发验证接近尾声，距离量产更进一步。 长鑫率先量产落地LPDDR6，意味着中国存储企业首次在高端内存标准上，打破海外
中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段
。 2026年9月20日星期日，总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品，其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距，旨在降低成本和功耗，同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下，减少对外国半导体
EUV光刻机订单排满 ASML大规模扩建荷兰工厂
荷兰芯片（晶片）巨头阿斯麦（ASML）于周二（9月8日）宣布，其位于荷兰Brainport地区埃因霍温（Eindhoven）的第二个大型工业园区——BIC North正式破土动工。
ASML供应商称中国在顶级芯片制造工具上落后15年
据德国蔡司集团（Zeiss Group）的一位高管称，中国在开发尖端芯片制造工具方面落后了大约15年。蔡司集团是全球半导体行业的关键供应商。 领导蔡司半导体部门的弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）在电视上表示，北京需要15年时间才能开发出极紫外（EUV）光刻机，这是一个“合理的假设”，同时他指出，中国的进展难以量化。 芯片制造技术是美国阻止中国获得顶级人工智能芯片的关键目标，因为这两个最
长鑫存储计划进军NAND闪存市场，以应对AI驱动的存储短缺
中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露，长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院，以开发NAND芯片，旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地
长鑫双喜临门：G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑
在合肥举行的2026世界制造业大会上，长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台（G5平台）实现量产，同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品，并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光（Quadruple Patterning）技术，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照，三星当前最先进的D
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
ASML赢得台积电、三星新EUV机器订单，AI需求激增
ASML Holding NV已获得顶级芯片制造商对其最新半导体生产设备的承诺，同时达成更广泛的协议，以满足对更强大人工智能技术日益增长的需求。 三星电子和台积电计划分别于2028年和2030年开始采用这家荷兰公司的高数值孔径（High NA）EUV光刻设备进行大规模生产，加入英特尔使用每台价值4亿美元机器的行列。三星是内存芯片的领先制造商，而台积电是为英伟达和苹果等公司生产定制芯片的领导者。 这
反击成功！长江存储德国专利战获胜：美光被禁售
快科技9月23日消息，月18日，德国慕尼黑第一地区法院就长江存储诉美光专利侵权案中的两起案件作出判决，认定美光侵犯了长江存储的两项德国实用新型专利权，并颁发禁令，要求其在德国停止销售相关侵权产品。 这是双方自2023年11月专利战爆发以来，长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令救济。 针对这一判决，美光方面迅速回应称，不认同德国法院的裁决结果，并已提起上诉。美光强调，涉案权利属于“未经实质审查”
华为成为中国先进芯片国产化道路上的推手
通过投资各类DUV光刻机元组件生产商，这家科技巨头发挥的作用类似于“项目管理”。 在中国力争从自己的半导体供应链中剔除外国技术的计划中，华为(Huawei)处于核心位置，其支持的多家公司所研发的元组件应用于可生产最先进芯片的机器。 据多位知情人士透露，这家中国科技巨头正广泛投资于光刻机制造产业，同时帮助促成相关企业与中芯国际(SMIC)等中国领先晶圆厂的合作，目的是打造能够替代外国供应商的本土供应