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美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB
人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布，已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块，标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录，也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍，这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s，属于目前性能最强、容量
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
长鑫存储计划进军NAND闪存市场，以应对AI驱动的存储短缺
中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露，长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院，以开发NAND芯片，旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地
长鑫存储导入高K金属栅极技术：瞄准1a DRAM节点 2031年月产能或达80万片
中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）已在DRAM晶体管中导入高K金属栅极（HKMG）技术。这项材料与器件层面的升级有望缓解制程微缩所面临的漏电难题，并为其向更先进的1a级DRAM节点推进铺平道路。 随着DRAM器件尺寸持续缩小，传统二氧化硅绝缘层会因厚度过低而逐步失效，电子可能通过量子隧穿效应直接穿过绝缘层，从而造成漏电。为解决这一问题，长鑫存储据称采用了以氧化铪等材料为代表的高介电常数材料，取
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
五项第一！纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队：中国芯+中国存储
快科技9月17日消息，据MLCommons官方公布的最新结果，基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7，在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一，成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景，AS13000G7参
PC用DRAM价格连续7个月走高
来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按
三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证
据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD
4GB与6GB GDDR7显存颗粒或于2027至2028年登场
显卡行业长期存在的显存容量瓶颈，未来几年或许将迎来重要突破。最新爆料显示，存储芯片厂商正在规划推出单颗容量达到4GB和6GB的GDDR7显存颗粒，如果相关计划顺利推进，下一代消费级和专业级显卡有望获得远超当前水平的显存配置。 消息来自业内知名爆料人士“Golden Pig Upgrade”。根据其说法，存储厂商预计将在2027年至2028年期间陆续推出4GB和6GB容量的GDDR7显存颗粒。虽然目
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI