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长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
铠侠否认与SK海力士合作，并承诺缓解芯片价格上涨
内存芯片制造商正着手进行成本高昂的产能扩张，以满足人工智能服务提供商激增的订单。
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
崔泰源：正在考虑日本等半导体工厂投资…即将公布
▲ SK集团会长崔泰源。/大韩商工会议所提供SK集团会长崔泰源正在日本访问，关于在日本宫城县设立半导体合资工厂的可能性等，“正在持续考虑。” 据财界称，韩日商工会议所会长团会议8月31日在日本仙台举行，“（在日本新建半导体生产工厂等）还在考虑”，“商讨结束后将对外公布。” “是否有计划在日本宫城县建设半导体生产设施”，“是否推进在日本建设存储半导体合资工厂”等，崔泰源亲自作出了上述回答。 但他没有
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
ASML推进High-NA EUV大尺寸掩膜方案 目标2033年量产并提升40%效率
ASML正与客户合作开发适用于下一代 High-NA EUV 光刻设备的更大尺寸掩膜版，这项调整有望让该系统更适合用于最大型的 AI 和数据中心芯片。 该公司表示，现有 EUV 设备可打印面积约达 800 平方毫米的芯片，已足以覆盖英伟达、Google等厂商面向先进数据中心硬件设计的处理器和加速器。 High-NA EUV 是 ASML 的下一代主力光刻平台，能够打印比现有 EUV 更精细的特征，
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
铠侠公布利用新型高速存储芯片抢占AI需求计划
周四概述了利用增强型NAND闪存提供DRAM替代品的计划，从而帮助这家日本公司加强与美国大型科技公司的联系，并抵御来自中国竞争对手日益激烈的竞争。
据悉铠侠考虑在美国上市筹资100亿美元
知情人士称，铠侠控股公司正考虑通过在美国上市存托凭证筹资至少100亿美元，可能加入其他人工智能相关公司的行列，寻求利用投资者的强劲需求。 因消息未公开而要求匿名的知情人士称，铠侠一直在与包括美国银行、高盛集团和摩根大通在内的贷款机构洽谈，此次发行可能于明年进行。知情人士称，这家总部位于东京的存储芯片制造商在日本回购了价值数十亿美元的股票后，希望通过在美上市获得更多流动性。 知情人士称，发行美国存托
2027年DRAM无悬念大缺货 存储原厂突发“友善通知”
据Digitimes报道，近期业界陆续收到上游存储器原厂的“友善通知”，明确转达2027年出货量将大幅紧缩，DRAM供需缺口非常大，甚至原厂2027至2028年产能几乎都被预订完。十铨总经理陈庆文表示，真正严重的缺货可能落在2027年上半年，届时外部能取得的货量非常少，十铨将只能挑选客户供货。他担忧存储芯片相关厂商挑客户因素恐怕牵动后续营收。 陈庆文指出，DRAM需求目前比NAND闪存更加稳固，缺