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联发科新一代旗舰芯天玑9600 Pro发布 2nm制程，330亿+晶体管
此外，“融合计算架构”，将CPU、GPU、NPU、ISP等异构计算核心进行软硬融合，以AI能力为核心引擎。芯片采用全大核架构，配备双超大核，并搭载AI算力智能调度与智能内存调度技术，支持AI与P并行运行。 具体来看，该处理器拥有双超大核C2-Ultra 4.55GHz、三大核C2-Pro 4.35GHz和三大核C2-Pro 3.1GHz，配备34.5MB L2+L3+系统缓存，率先支持LPDDR6
DLSS5被破解 RTX40系显卡也能用 旗舰型号已测试成功
英伟达尚未正式发布的新一代DLSS 5技术，近期被民间开发者成功破解，原本仅限RTX 50系列Blackwell架构独享的DLSS 5核心神经渲染功能，现已可在RTX 40系列显卡上正常运行。 本次破解事件源于《NBA 2K27》先行版安装文件意外泄露，版本中附带的nvngx_dlssnr.dll动态链接库，完整曝光了DLSS 5的核心，也就是NR神经渲染技术。 按照英伟达官方限制，该核心功能仅适
三星已解决高通2nm代工的技术障碍 但双方又因价格谈判陷入僵局
三星电子在争取高通2nm芯片代工订单的过程中，似乎终于跨过了此前长期困扰双方合作的技术门槛，但就在技术问题逐渐得到解决之际，三星与高通又在芯片代工价格上产生分歧，导致双方迟迟无法正式达成协议。 过去一段时间，高通一直没有将新一代旗舰芯片交给三星代工，核心原因之一就是三星先进制程的良率和稳定性未能达到高通的要求。高通因此继续将骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 6 Pro的2
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
创见推出64GB DDR5-6400 CUDIMM与CSODIMM内存模块
创见近日推出新一代64GB DDR5-6400 CUDIMM和CSODIMM嵌入式内存模块，在保持DDR5高频传输能力的同时，将单条模块容量进一步提升至64GB，为工业计算、边缘计算以及其他对大容量内存有较高需求的嵌入式设备提供新的选择。 此次推出的产品采用DDR5-6400规格，工作电压为1.1V，并同时提供CUDIMM和CSODIMM两种形态。其中，CUDIMM主要面向采用标准台式机内存插槽的
直击光博会！芯片、光引擎、设备密集上新
从800G迈向1.6T，光通信产业链正在迎来新一轮产品迭代。 在第二十七届中国国际光电博览会（CIOE中国光博会）上，记者看到，从单波200G光通信电芯片、6.4T CPO光引擎，到纳秒级光路交换产品、面向铜材料加工的绿光激光器，多家公司带来了面向下一代光互连及其应用场景的新产品。 有的已经量产，有的正在送样验证，也有的在等待下游市场启动。产品发布的节奏背后，光通信产业链正在为1.6T、NPO、C
联发科称，在供应紧张之际，新款AI手机芯片可降低内存占用
台北消息——联发科正与客户合作优化其移动芯片的计算性能，以应对正推高零部件成本的存储芯片供应短缺问题。 这家全球按出货量计算最大的智能手机芯片开发商于周二宣布推出其最新的高端智能手机芯片——天玑9600 Pro。该芯片采用台积电领先的2纳米制造工艺打造，这与苹果用于高端iPhone 18 Pro系列核心芯片及其首款折叠屏智能手机iPhone Duo的工艺相同。 联发科资深副总经理兼无线通信事业部总
中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破
亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。 该公司声称，这
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
机器人也要有超脑了！联发科Genio Pro 5100芯片发布：3nm制程+106 TOPS算力
在第九届中国机器人峰会期间，联发科正式发布了专为具身智能打造的旗舰级SoC——Genio Pro 5100。 与此同时，合作伙伴华睿智普也推出了搭载该芯片的Praxis One具身智能超脑算力底座，旨在通过强大的端侧算力破解机器人规模化落地的痛点。 当前，AI正在从数字世界走进现实物理世界，具身智能成为行业公认的发展方向，但机器人要真正落地，不能只依靠云端大模型。 一台实体机器人的核心，是“感知-
高带宽内存短缺冲击供应链 中国本土AI芯片厂商集体大幅上调加速卡售价
据报道，随着全球高带宽内存（HBM）供应短缺持续加剧并抬高生产成本，包括华为和寒武纪在内的中国领先人工智能芯片制造商正大幅上调现有及下一代AI处理器的报价。这一成本压力不仅直接冲击了中国本土科技企业构建英伟达替代方案的努力，也使得中国算力基础设施扩容面临更高的资金门槛。 知情人士透露，华为技术有限公司已将其升腾950DT（Ascend 950DT）算力加速卡的指导报价上调至超过25万元人民币（约合
难以高枕无忧！韩国专家警告：中韩HBM技术差距仅2年
韩国半导体业界对中国在高带宽存储器（HBM）领域的追赶速度愈发警惕。多位韩国专家判断，中韩HBM技术差距被估算在2年至6年之间。 中国企业虽尚未进入先进HBM稳定量产供货阶段，但依托在通用DRAM上积累的生产经验，追赶节奏明显加快，韩国方面已难言高枕无忧。 高丽大学电气电子工学部教授申昌焕认为，差距已缩小至2年左右，原因是HBM的世代更替周期比DRAM更快，中国也已着手开发用于存储器堆叠的封装技术
中国AI加码价格竞争
中国的人工智能（AI）新兴企业正推出低价格的AI模型。低于美国AI产品，甚至低于中国知名AI企业DeepSeek（深度求索），希望抓住DeepSeek8月中旬大幅提价的机会扩大份额。 中国AI新兴企业北京智谱华章科技（智谱）9月26日透露，Ox-Alpha的真实身份是该公司的“GLM-5.3-Flash”。每token的价格比提价后的DeepSeek便宜20%～70%。 性能也表现出色。专注于AI
财经早知道｜华为时隔六年再次发布高性能芯片
中国8月末外汇储备报34383亿美元，环比增加195亿美元，为连续第2个月增长，主要原因是汇率折算和资产价格变化等因素的综合作用。 中国8月末黄金储备报7673万盎司，环比增加65万盎司，中国央行已连续第22个月增持黄金。 时隔六年，华为再次发布高性能芯片麒麟9050 Pro，为全球首款落地“韬定律”、采用逻辑折叠技术的旗舰芯片。该芯片对逻辑单元分层排布，内部增设垂直互联通道，信号传输路径更短、时
ASML供应商称中国在顶级芯片制造工具上落后15年
据德国蔡司集团（Zeiss Group）的一位高管称，中国在开发尖端芯片制造工具方面落后了大约15年。蔡司集团是全球半导体行业的关键供应商。 领导蔡司半导体部门的弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）在电视上表示，北京需要15年时间才能开发出极紫外（EUV）光刻机，这是一个“合理的假设”，同时他指出，中国的进展难以量化。 芯片制造技术是美国阻止中国获得顶级人工智能芯片的关键目标，因为这两个最
高通将其旗舰手机芯片一分为二，推出骁龙8 Elite Gen 6
高通将其旗舰手机芯片一分为二。周二在毛伊岛举行的骁龙峰会上，高通推出了骁龙8 Elite Extreme Gen 6和骁龙8 Elite Gen 6，这两款芯片均基于2纳米工艺制造。 CNBC记者基夫·莱斯维ング（Kif Leswing）报道称，这些芯片由台湾积体电路制造公司（台积电）生产。Gizmodo网站的凯尔·巴尔（Kyle Barr）在活动现场对高通的参考手机进行了基准测试。 高通移动业务
AI芯片“四小龙”上半年营收大幅增长 资金压力仍大
【财新网】8月末，AI芯片“四小龙”中，沐曦股份（688802.SH）、天数智芯（09903.HK）和壁仞科技（06082.HK）相继披露半年报，上半年营收均来到约10亿元量级，并实现大幅增长。 8月30日晚，沐曦股份公布2026年上半年财务报告，报告期内实现营收13.2亿元，同比增长44.7%；财报称，主要系公司产品及服务持续获得下游客户广泛认可与采购，公司GPU产品出货量显著提升。壁仞科技财报
阿里发布新一代AI芯片 性能是上一代的三倍
凤凰网科技讯 9月22日，据第一财经报道，2026云栖大会上，阿里发布新一代AI芯片真武V900，阿里巴巴CEO吴泳铭表示，这是目前真武算力性能最强的AI芯片，性能达到m890的三倍。据悉，平头哥AI芯片的年出货量将大幅提升。 目前，平头哥已对数据中心芯片进行全面布局，包括真武系列GPU、倚天系列CPU、磐脉系列智能网卡，以及ICN互联芯片。组建超大规模AI集群所需的核心芯片已全面覆盖。 此外，阿
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
台积电亚纳米级1.4纳米晶圆厂获批建厂许可
随着全球半导体先进制程的竞争进入白热化阶段，晶圆代工巨头台积电（TSMC）在推进亚纳米级（Sub-1.4nm）制造技术方面取得了实质性突破。最新行业报告显示，台积电已成功为其规划中的1.4纳米（内部代号为 A14）先进晶圆制造厂获得了相关监管部门的建设许可，标志着台积电与老对手英特尔（Intel）以及三星电子在后2纳米时代的制程巅峰之争进一步升温。 在2纳米制程节点步入量产阶段后，各大半导体巨头纷
中科曙光发布AI推理原生存储FN Neo：Token吞吐能力提升150%
快科技9月21日消息，中科曙光发布全新迭代AI推理原生存储FN TTFT缩减73%，Token吞吐提升150%中科曙光发布全新迭代升级的AI推理原生存储FN Neo。该产品可将分散在不同计算节点的推理缓存统一管理、共享复用，应对长文本、多用户同时访问带来的压力，让已有计算成果得到更充分利用。 实测数据显示，FN Neo可实现模型首词出现时间缩减73%，较本地NVMe更快；延迟表现、吞吐量和多请求并
T早报｜长鑫科技第五代技术平台量产；黄仁勋称需警惕AI“末日叙事” ；智谱上线“数据内容不留存”功能
2026年9月20日，2026世界制造业大会，长鑫存储展厅。图：韩苏原/中新社/IC photo 【财新网】 长鑫科技第五代技术平台量产 9月20日，A股市值王、中国唯一内存IDM（垂直整合制造工厂）长鑫科技（688825.SH）在安徽合肥举办的世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM（内存）技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。长鑫称，G5平台每片晶圆产出裸片数量较上代平台增加至少50%
联发科官宣天玑旗舰芯片首款Pro版本 定档9月15日发布
9月8日，联发科技官方微博宣布，天玑旗舰芯片系列将迎来首款Pro版本，并于9月15日正式发布。预热信息显示，能效方面采用DTCO（设计-技术协同优化）制程深度共研并重构芯片架构；游戏方面带来AI深度融合的GPU图形渲染技术与星速引擎全面进化；影像方面宣称重塑Android视频拍摄体验，支持4K 240fps超高速慢动作及专业创作玩法。 结合此前的爆料信息，联发科预计将会在本次发布会上正式推出天玑9