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半导体公司VSMC在新加坡开设首个价值85亿新元的工厂,预计将创造1600个就业岗位
新加坡:在台湾和荷兰半导体企业的支持下,VisionPower Semiconductor Manufacturing Company(VSMC,晶门半导体制造公司)于周一(9月28日)在新加坡正式开设其首座耗资85亿新元(约67亿美元)的晶圆制造厂,预计将创造1,600个新就业岗位。 该淡滨尼工厂计划于2027年第一季度开始量产,预计到2029年达产时,月产能将达到44,000片硅晶圆。 不同于
40年见证中国制造出海 | TUV莱茵李卫春谈AIDC供电与标准落地
今年是TUV莱茵大中华区四十周年。四十年前,中国制造业的核心命题是“能不能造出来”;四十年后,命题已经升级为“能不能引领行业”。 从光伏到新能源汽车,从家电到通信设备,中国制造业完成了一次又一次的跨越。而今天,人工智能的爆发,正在催生一个全新的产业——AI数据中心。它的功率波动之剧烈,供电要求之苛刻,让传统供电方案几乎“跟不上节奏”。 在这场变革中,检测认证不再只是事后的质量把关,而是深度参与到技
三星高管:预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成
AI需求推动存储厂商加码HBM,传统DRAM供应承压。三星高管预计明年HBM将占全球DRAM晶圆总产能近三成,市场研究机构同时上调了2027年HBM价格预期。 三星电子执行副总裁Kim Taewoo 9月29日表示,预计明年HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%,目前该比例约为20%。HBM与传统DRAM争夺同一批晶圆产能,扩大HBM产出可能挤压传统DRAM供应。 三星已于2月开始量产出货HB
哲学家造芯片!扬言能效比英伟达Vera Rubin高100倍
荷兰AI芯片初创公司Euclyd近日宣布完成A轮融资,金额超2亿欧元(约合人民币15.48亿元),三星、Somerset Capital Partners、EQT旗下Scaleup Europe Fund及Innovation Industries联合领投。 同日,前ASML总裁兼CEO Peter Wennink加入Euclyd出任董事会主席。Euclyd计划2028年推出实体芯片系统,2030
芯片涨价潮或将在2027年缓解 PS6售价压力有望降低
PS6的售价有望低于1000美元,但前提是零部件成本按预期在2027年下半年回落。知情人士KeplerL2称,这款主机目前的硬件物料成本约为960美元。半导体、固态硬盘和DDR5内存价格上涨,正给消费电子市场带来压力。AI硬件需求增加及台积电价格调整,是零部件成本上升的原因。宏碁首席执行官Jason Chen认为,零部件供应紧张不会持续到2030年。 关键芯片的全球价格预计在2027年年中见顶,并
AI瓶颈打破者:中国华为推出高速光模块
华为技术有限公司推出了一款旨在消除人工智能基础设施瓶颈的高速光模块,率先在争夺下一代数据中心连接标准的主导权中占得先机。 这家总部位于深圳的科技巨头在本周于深圳举行的中国国际光电博览会(CIOE)上,展示了其所谓的业界首款7.2太比特每秒(Tbps)近封装光学(NPO)产品。 该技术用光信号替代了传统的铜线,能够以比现有系统更高的速度和更低的功耗在AI处理器之间传输大量数据。 随着AI集群规模扩大
长鑫存储计划进军NAND闪存市场,以应对AI驱动的存储短缺
中国DRAM专业企业长鑫存储技术有限公司正准备进军NAND闪存市场。 据消息人士透露,长鑫存储计划在北京建立研发生产线和研究院,以开发NAND芯片,旨在人工智能服务器需求推动的全球存储短缺背景下扩大客户群。 此举将使长鑫存储与国内竞争对手长江存储以及三星、SK海力士、美光等全球领先企业展开直接竞争。 这一扩张与北京在美国出口限制下实现半导体自给自足的目标一致。 长鑫存储在中国DRAM领域占据主导地
俄罗斯突围新招:直接入股中国芯片厂
俄罗斯新组建的联合微电子公司(ОМК)正考虑收购多家中国半导体工厂的股份,以绕开本土制造能力的短板。知情人士透露,收购目标并非大型知名厂商,而是一些“规模较小、不太起眼”的工厂。 目前俄罗斯本土最先进的制程仅为90纳米,还是2003年的技术水平。相比之下,台积电和三星已在2025年底量产2纳米芯片,中国大陆厂商也已在14纳米基础上向7纳米和5纳米推进。值得一提的是,消息人士强调,收购股份的多少并不
Marvell公司正在推动GlobalFoundries加快晶圆生产的进度。
今年早些时候,英伟达首席执行官黄仁勋曾表示,Marvell 的光学技术有望使其成为下一家市值万亿美元的公司。周四,Marvell 宣布与美国晶圆代工厂格芯(GlobalFoundries)扩大合作伙伴关系,向实现这一目标迈出了重要一步。格芯以其在硅光子制造领域的卓越表现而闻名。根据此次合作,双方将共同致力于扩大格芯位于佛蒙特州伯灵顿晶圆厂的硅锗(SiGe)晶圆产能。 硅锗常用于生产光收发器(将电信
宁德时代海外最大生产基地启动电芯试生产
中国动力电池巨头宁德时代位于匈牙利的新建电芯工厂正式启动试生产。图为公司的英文标志。(彭博社档案照片) 经历数月延期,并一度因员工职业安全问题暂停设备调试后,中国动力电池巨头宁德时代位于匈牙利的新建电芯工厂正式启动试生产。综合澎湃新闻和彭博社报道,宁德时代星期二(9月22日)发表声明说,工厂已完成启动试生产所需的各项前置条件。本轮试生产主要用于调试、优化和验证生产设备及制造工艺,为后续正式量产做准
华为成为中国先进芯片国产化道路上的推手
通过投资各类DUV光刻机元组件生产商,这家科技巨头发挥的作用类似于“项目管理”。 在中国力争从自己的半导体供应链中剔除外国技术的计划中,华为(Huawei)处于核心位置,其支持的多家公司所研发的元组件应用于可生产最先进芯片的机器。 据多位知情人士透露,这家中国科技巨头正广泛投资于光刻机制造产业,同时帮助促成相关企业与中芯国际(SMIC)等中国领先晶圆厂的合作,目的是打造能够替代外国供应商的本土供应
铠侠公布利用新型高速存储芯片抢占AI需求计划
周四概述了利用增强型NAND闪存提供DRAM替代品的计划,从而帮助这家日本公司加强与美国大型科技公司的联系,并抵御来自中国竞争对手日益激烈的竞争。
随着GPU替代方案蓬勃发展,三星在2.3亿美元融资轮中支持英伟达AI芯片竞争对手
三星在一轮2.31亿美元的融资中支持了一家荷兰AI芯片制造商,正值对英伟达图形处理单元替代品的投资热潮之际。 Euclyd首席执行官Bernardo Kastrup独家告诉CNBC,该公司的2亿欧元A轮融资获得了Somerset Capital Partners、由EQT和Innovation Industries管理的Scaleup Europe Fund的支持,这些机构与三星共同领投了本轮融资
英伟达与澳大利亚合作伙伴联手打造AI工厂产能
英特尔专利提出在CPU封装中集成微型LED 可点亮芯片表面文字
英特尔一项近期公开的专利展示了将微型LED直接集成到芯片封装中的方案。专利于2022年提交,描述半导体芯片与微型LED共同嵌入玻璃基板,并通过玻璃通孔(TGV)输送电力和信号。微型LED可直接连接芯片,也可通过纳米线连接;相关线路穿过玻璃基板后,再经封装基板接至主板。 专利列出的用途包括让处理器表面的文字发光、显示设备或处理器正在执行的特定操作,以及为DIY电子设备提供个性化装饰。微型LED还可发
二十余年磨一剑:纳真上市,海信的技术长期主义迎来回响
由花旗、中信证券联席保荐的这单IPO,从递交招股书起便备受关注。作为全球少数拥有光模块及光芯片研发及量产能力的企业之一,是名副其实的稀缺标的,市场再次惊叹于海信的科技实力。 发行价32.96港元,募资总额约56.7亿港元,香港公开发售超购35.16倍,IPO首日收涨近5%,市值接近340亿港元。在全球资本对AI资产定价日趋挑剔的当下,这家光通信企业用一份超额认购的成绩单,完成了自己的市场首秀。 一
国产存储崛起!中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息,韩国业内预计,中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右,目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆,就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称,中国企业近年来正加快进入存储器市场,代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前,中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能,同时也在推
封装满足不了美国,SK海力士考虑把内存制造也搬过去
SK海力士在美国的投资,可能正在跨过一条此前刻意保留的界线。 路透社9月16日援引三名知情人士称,SK海力士正在与英特尔讨论首次在美国本土制造内存芯片。其中一种方案,是租用英特尔位于俄亥俄州的部分晶圆厂;另一种更大胆的方案,则是SK海力士、英特尔以及希望锁定内存供应的大型云计算企业共同组建合资公司。谈判仍处于探索阶段,具体生产DRAM、NAND还是其他产品也没有确定。SK海力士随后强调,目前尚未决
SK海力士与英特尔洽谈合作 或首次在美国生产存储芯片
据知情人士透露,韩国存储芯片巨头SK海力士正在与英特尔就一项潜在合作进行谈判。如果最终达成协议,SK海力士将首次在美国本土生产存储芯片。目前双方仍处于探索阶段,尚未作出最终决定。 知情人士称,目前讨论中的一种方案是,SK海力士租用英特尔位于俄亥俄州的部分芯片制造设施,并利用相关产能生产存储芯片。另一种方案则是由SK海力士、英特尔以及希望确保存储芯片供应的大型云计算企业共同成立合资企业。 目前尚不清
1b DRAM单位面积价值现在比台积电2纳米晶圆还高出54%
在人工智能带动全球算力需求爆发的背景下,半导体产业正在出现一个过去几乎难以想象的现象:用于制造DDR5内存的先进DRAM晶圆,如今按单位面积计算的市场价值,已经超过了台积电最先进的2纳米逻辑晶圆。 最新行业分析显示,目前1b DRAM的单位面积价值约为每平方毫米0.654美元,而台积电2纳米(N2)晶圆对应的单位面积价格约为每平方毫米0.424美元。换句话说,同样大小的一块硅片面积,先进DRAM如
传苹果英伟达等美芯片巨头均在评估英特尔14A工艺
若这则报道基本属实,英特尔或将迎来一个全新且利润极为丰厚的发展时代。据称,美国芯片科技领域几乎所有头部企业,包括亚马逊、苹果、AMD、谷歌、特斯拉、微软、英伟达和高通,都在评估英特尔即将推出的14A工艺节点。 该消息来自投资银行派杰(Piper Sandler)(经由科技媒体WCCFTech报道)。报告指出:“14A代工工艺各项数据表现向好,目前正等待核心客户落地。美国所有大客户(如亚马逊、苹果、
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长,三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充,自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存(HBM)等高价值产品。 据业内消息人士透露,三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试(OSAT)合作伙伴扩大生产线,以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
中国在无需使用先进光刻设备的情况下,仍在3纳米芯片技术上取得了进展。
中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展,而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。 这一突破标志着中国在美国出口限制下,为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定,荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。 据台湾媒体DigiTimes周四报道,引用中国科学院微