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三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片
据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以
美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
三星最新愿景：将AI系统的响应速度提升10倍
IT之家 9 月 17 日消息，据韩媒《The Chosun Daily》报道，日，在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上，AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM，将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元（Toke
三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证
据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD
英伟达投资联发科35亿美元 双方携手推进NVLink Fusion合作
英伟达于当地时间8月31日宣布，将向联发科投资35亿美元，并进一步深化双方在芯片领域的合作。英伟达与联发科此前已经展开合作，联发科曾设计GB10系统级芯片，为英伟达RTX Spark消费级产品和DGX Spark迷你工作站提供动力。 双方确认，未来将围绕英伟达NVLink Fusion生态系统推进合作。NVLink Fusion是一套结合知识产权与芯粒技术的框架，旨在让非英伟达处理器和加速器成为英
三星瞄准后工序打造日韩AI半导体联盟
| 在韩国三星电子研究基地的开业仪式上合影留念的该公司CEO全永铉（右起第4人）等人（9月8日，横滨市西区） |韩国半导体巨头三星电子9月8日在横滨市举行了人工智能（AI）半导体研发基地的开业仪式。三星将与在半导体组装设备和材料领域占据全球最大份额的日本企业展开合作，提升产品性能。AI半导体竞争正从单一企业转向跨越国界的企业联盟。 “加速韩国与日本的技术交流，成为共同推动下一代封装产业发展的原动力
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
高通下一代旗舰芯片曝光：主频冲击5.4GHz 继续采用台积电2纳米N2P工艺
高通刚刚发布骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Extreme Gen 6不久，外界关于下一代旗舰移动平台的传闻已经开始浮现。最新消息显示，高通正在开发代号为“Honu”的全新旗舰SoC，预计将继续采用台积电2纳米N2P工艺，并将CPU主频进一步提升至5.3GHz至5.4GHz区间。 根据爆料信息，这款芯片可能被命名为骁龙8 Elite Extreme Gen 7，内部型号为SM8
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
三星已解决高通2nm代工的技术障碍 但双方又因价格谈判陷入僵局
三星电子在争取高通2nm芯片代工订单的过程中，似乎终于跨过了此前长期困扰双方合作的技术门槛，但就在技术问题逐渐得到解决之际，三星与高通又在芯片代工价格上产生分歧，导致双方迟迟无法正式达成协议。 过去一段时间，高通一直没有将新一代旗舰芯片交给三星代工，核心原因之一就是三星先进制程的良率和稳定性未能达到高通的要求。高通因此继续将骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Gen 6 Pro的2
为了把更多HBM塞进芯片，英伟达加速布局下一代玻璃基板
英伟达正联合产业链企业推进新一代玻璃基板技术落地，以应对AI芯片封装在尺寸、散热和互连方面日益突出的物理限制。若技术实现突破，玻璃基板有望支持更大规模的HBM集成，为下一代GPU提升封装密度和数据传输能力。 据报道，德国设备厂商SCHMID在近期上半年业绩发布会上披露，公司正与英特尔、英伟达、AMD各自供应链中的核心企业合作，共同推进玻璃芯核基板设备研发。SCHMID首席战略官Roland Ret
晶圆代工到晶片设计 台湾半导体产业链扩大领先韩国
SEMICON国际半导体展现场厂商陈设晶圆制品。（中央社档案照片）（中央社首尔24日综合外电报导）「朝鲜日报」旗下媒体Chosun Biz报导，台湾在巩固全球半导体晶圆代工强国地位后，正进一步扩大在半导体设计（无晶圆厂，fabless）领域的影响力。联发科过去是一家以手机晶片为主的无晶圆厂半导体公司，之后进军PC系统单晶片（SoC）市场，如今更进一步与辉达（Nvidia）合作，拓展客制化伺服器晶片
高通推出骁龙8 Elite Extreme第六代和骁龙8 Elite第六代
高通在2026年骁龙峰会上发布Snapdragon 8 Elite Extreme Gen 6和Snapdragon 8 Elite Gen 6两款旗舰移动平台，面向下一代安卓智能手机。 两款平台均采用2纳米制程，搭载Oryon CPU，最高主频达到5GHz，并升级图形处理和端侧AI能力。 其中，Extreme版本支持运行超过300亿参数的混合专家模型，并引入用于AI超分辨率和帧生成的Adreno
高通骁龙8 Elite Gen 6或重启双代工格局 由三星分担制造
随着下一代先进制程产能竞争日趋激烈，高通新一代旗舰移动平台骁龙8 Elite Gen 6在代工策略上可能迎来重大转变。来自韩国产业链及业内最新消息显示，高通正与三星电子就先进制程代工展开深入磋商，该芯片或将不再由台积电全额独家代工，而是采取台积电与三星分工的双代工模式。 回顾以往，高通因三星代工时代的良品率与发热功耗问题，自2022年起将旗舰级高通骁龙处理器的量产全面转向台积电代工。然而，伴随台积
OpenAI称正与三星合作开发下一代芯片 并深化合作
OpenAI表示正深化与三星电子的合作，在半导体和企业级AI服务等领域拓展与这家韩国科技巨头的联系。OpenAI韩国区总经理Harrison “在与三星电子的合作中，我们进展最显著且获得认可最多的领域之一，就是针对我们正在研发的下一代芯片所开展的联合生产与研究。”但他未透露更多细节。 Kim还表示，三星电子是“全球范围内应用 ChatGPT 规模最大的企业之一”，并指出该公司在韩国及海外的员工都在
华为余承东：接下来聚焦尊界、享界、智界、尚界，让四界快速提升
凤凰网科技讯 9月24日，华为常务董事、产品投资评审委员会主任、终端BG董事长余承东微博发文表示：今天我在合肥巡店，看望奋战在一线的门店伙伴，也和大家聊了聊。每天接待客户、安排试驾、忙前忙后，大家辛苦了。过去几年，我们的产品团队、设计团队、营销服团队一直在超负荷运转，大家都憋着一股劲，全力把每一款产品做好，把每一位用户服务好。 接下来，我们会聚焦尊界、享界、智界、尚界，让每个界都获得更加充足的资源
三星加码AI眼镜 正研发超小显示屏 预计最早2027年下半年发布
三星电子已着手开发其首款配备显示屏的AI眼镜该产品不仅能提供音频功能，还能在镜片上显示彩色视觉信息。 三星电子正在考虑为AI眼镜研发尺寸仅为0.2英寸或更小的超小型屏幕，并于上个月将该研发任务交给三星显示并提出了关于产品外形尺寸、信息显示面积、颜色和价格等方面的要求。 三星电子目前对OLEDoS或LEDoS等候选面板方案展开评估，重点权衡性能与成本。 业内预计该产品将在2027年下半年或2028年