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日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？
还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰
长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿
按目前节奏，长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市，届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上，可以用长鑫科技作为参照，长鑫科技7月27日登陆科创板，首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股，16个交易日后一度突破4万亿元，目前最新市值约3.72万亿元。 据报道，如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平，那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来
长鑫科技起诉美国五角大楼 要求移出涉军企业名单
中国领先的存储晶片制造商长鑫科技起诉美国五角大楼，要求撤销将其列入美国认定协助中国军方的企业名单。 据报道，长鑫科技星期五（8月28日）提出诉讼，并在诉状中表示该公司与中国军方没有关联。公司也指出，长鑫科技设计、生产和销售的动态随机存取存储器（DRAM）晶片用于民用和商业用途，而非军事用途。 长鑫科技在美国拜登政府时期被美国国防部认定为“中国军工企业”，美国特朗普政府今年6月更新名单时，仍将长鑫存
铠侠与闪迪未来6年将投资5万亿日元增产存储器
铠侠8月27日宣布，将在日本岩手县建设新的半导体存储器厂房，目标是在2029财年实现量产。加上三重县的工厂，未来6年两地合计将投资5万亿日元。由于面向人工智能（AI）的高速处理存储器订单激增，该公司正加快扩产。 “欢迎这项投资计划。半导体是增长型投资的核心，也是日美经济合作的象征。”高市表示，日本政府将提供最大限度的支持。 铠侠主要生产用于长期存储数据的“NAND型闪存”。该公司目前有四日市工厂（
长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域
中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储（CXMT）和长江存储（YMTC），正在加速进入彼此的核心业务领域，一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中，两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片，而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链，这种业务边界正在被打破。据产
长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光
据《日经亚洲》报道，数据显示，长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%，超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商，成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期，SK海力士息税前利润率为76%，三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍，在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。
【商圈】AI存储超级周期主动踩刹车 日本铠侠CEO太田裕雄如此思考
当地时间2026年1月29日，日本东京，铠侠控股公司时任候任首席执行官太田裕雄（右）在新闻发布会上发言，旁为即将卸任的首席执行官早坂信夫。图：视觉中国 【财新数据专稿】9月8日的东京，铠侠（Kioxia）总裁兼CEO太田裕雄（Hiroo Ota）在接受彭博社采访时，说了两句足以搅动整个存储行业的话。 一句是关于价格的。2026年第二季度，铠侠的NAND闪存平均售价环比上涨了70%，第一季度涨幅
崔泰源：正在考虑日本等半导体工厂投资…即将公布
▲ SK集团会长崔泰源。/大韩商工会议所提供SK集团会长崔泰源正在日本访问，关于在日本宫城县设立半导体合资工厂的可能性等，“正在持续考虑。” 据财界称，韩日商工会议所会长团会议8月31日在日本仙台举行，“（在日本新建半导体生产工厂等）还在考虑”，“商讨结束后将对外公布。” “是否有计划在日本宫城县建设半导体生产设施”，“是否推进在日本建设存储半导体合资工厂”等，崔泰源亲自作出了上述回答。 但他没有
140万韩元盗窃罪判有期徒刑3年，300亿技术泄露罪判2年4个月
▲ 近5年海外技术泄露事件的趋势成立于1976年的PECO TEC公司为SK海力士和三星电子供应半导体组装所需的设备“毛细管劈刀（Capillary）”。毛细管劈刀用于将粗细为头发五分之一的金属线连接到半导体芯片上，是高带宽存储器（HBM）工艺的核心设备。PECO TEC公司十年来投入超过300亿韩元（人民币约1.5亿元）开发技术，目前占据全球毛细管劈刀市场的70%以上。 但PECO TEC开发的
长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%
市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示，中国存储芯片龙头长鑫存储（CXMT）在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场迎来爆发式增长，其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现，长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置，并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着
长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺
据报道，中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的
据悉铠侠考虑在美国上市筹资100亿美元
知情人士称，铠侠控股公司正考虑通过在美国上市存托凭证筹资至少100亿美元，可能加入其他人工智能相关公司的行列，寻求利用投资者的强劲需求。 因消息未公开而要求匿名的知情人士称，铠侠一直在与包括美国银行、高盛集团和摩根大通在内的贷款机构洽谈，此次发行可能于明年进行。知情人士称，这家总部位于东京的存储芯片制造商在日本回购了价值数十亿美元的股票后，希望通过在美上市获得更多流动性。 知情人士称，发行美国存托