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「澜起科技启动新一代DDR5时钟驱动芯片量产 最高速率达9200 MT/s」共 97 条 · 第 1 页
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澜起科技启动新一代DDR5时钟驱动芯片量产 最高速率达9200 MT/s

在内存供应持续紧张、价格上涨以及人工智能应用推高内存需求的背景下,中国芯片厂商澜起科技宣布,其新一代DDR5时钟驱动芯片已进入量产阶段,面向消费级平台的产品最高支持9200 MT/s,面向企业级服务器的产品最高支持8000 MT/s。 面向主流平台的CK01P芯片已全面量产,符合JEDEC DDR5CKD01规范,可用于DDR5 CUDIMM、CSODIMM、CQDIMM、CAMM及后续主流内存模

9小时前
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美光推出全球首款512GB DDR5内存条 单台服务器内存容量可突破12TB

人工智能与超大规模数据处理需求正不断推高服务器内存容量的发展速度。存储芯片巨头美光日前宣布,已成功演示全球首款容量达到512GB的DDR5服务器内存模块,标志着企业级内存技术迈入新的密度时代。该产品不仅刷新了单条DDR5内存容量纪录,也为未来人工智能服务器和云计算基础设施提供了更大的扩展空间。 据介绍,这款512GB DDR5 RDIMM模块传输速率最高可达9200MT/s,属于目前性能最强、容量

09/16
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长鑫双喜临门:G5平台量产逼近三星、LPDDR6全球首发抢跑

在合肥举行的2026世界制造业大会上,长鑫科技正式宣布第五代DRAM技术平台(G5平台)实现量产,同步展出了基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品,并首次公开展示了已量产的LPDDR6内存。G5平台的核心突破在于制程微缩。该平台依托四重曝光(Quadruple Patterning)技术,将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程。 作为参照,三星当前最先进的D

09/21
罗塞塔简报

中国芯片制造商长鑫存储(CXMT)第五代DRAM平台进入量产阶段

。 2026年9月20日星期日,总部位于北京的DRAM制造商长鑫存储宣布其第五代技术平台已进入量产阶段。 该公司发布了两款用于智能手机的24Gb LPDDR5X内存产品,其数据容量比前代产品增加了50%。 该平台利用“四重曝光”技术实现了11.95纳米的特征间距,旨在降低成本和功耗,同时提高单片晶圆的芯片密度。 这一进展符合中国在面对美国持续对先进芯片制造设备实施出口管制的情况下,减少对外国半导体

09/20
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华为麒麟9050 Pro芯片发布:灵犀CPU多核性能提升52% Mate XT2首发搭载

华为表示,通过软、硬、芯、云深度协同,Mate XT2整机性能较前代Mate XTs提升42%,实现卓越性能再突破。 据了解,麒麟9050 Pro是首款采用逻辑折叠技术的高性能芯片,在单芯片内将逻辑单元分层排布,如同从平层升级为复式,内部增设垂直互联通道,好似加装“电梯”,信号传输路径更短、时延更低、性能更好。与此同时,HarmonyOS 7正式发布。 华为何刚介绍,这次HarmonyOS 7的互

09/07
theregister

华为的下一代 Ascend NPU 可能会成为中国在该领域最好的选择。

在年度 Connect 大会上,华为发布了新一代人工智能加速器,其性能表现有望远超英伟达目前在中国市场所能提供的任何产品。对于习惯了从这家全球最热门的 AI 军火商那里购买“缩水版”产品的中国开发者来说,这无疑是一个利好消息。不仅如此,这款代号为“升腾 960DT”(其中 DT 显然代表解码/训练)的芯片预计将提前三个季度问世,于 2027 年第一季度正式发布。 该加速器配备了高达 288 GB

09/18
联合早报

长鑫新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力

中国晶片制造商长鑫科技星期天(9月20日)宣布,第五代技术平台正式量产。(路透社档案照) (北京/合肥综合讯)中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片(DRAM)技术平台实现量产,新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存,数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力,更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。综合澎湃新闻、路透社等报道,长鑫科技星

09/20
凤凰网科技

国产第五代内存芯片技术有多强:无需EUV 四重曝光逼近三星11nm工艺

快科技9月21日消息,今天中午长鑫科技又宣布了一个重大消息,其第五代技术平台正式量产,简称G5,并且同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X新品。 先看产品规格,有两款基于G5平台打造的LPDDR5X量产产品,单颗容量均为24Gb,较上一代同类型产品提升50%,分别采用496Ball、245Ball封装规格,均已进入规模量产阶段。 虽然还不是最新的LPDDR6,但这应该不是技术做不到,而是市场

09/20
风向旗参考快讯

联发科新一代旗舰芯天玑9600 Pro发布

在今天的2026年联发科天玑旗舰新品发布会上,联发科下一代旗舰芯片天玑9600 Pro正式发布。天玑9600 Pro采用台积电2纳米制程,拥有业界超高330亿+晶体管精密设计。 具体来看,该处理器拥有双超大核C2-Ultra 4.55GHz、三大核C2-Pro 4.35GHz和三大核C2-Pro 3.1GHz,配备34.5MB L2+L3+系统缓存,率先支持LPDDR6内存、UFS 5.0闪存。对

09/15 全文见 cnbeta
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三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证

据业内人士23日消息,三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证,最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器(AP)厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品,也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程,才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD

09/23
路透社

中国长鑫存储表示新内存芯片平台已进入量产阶段

09/20
TheVerge

英伟达备受争议的DLSS 5于9月3日发布,需要强大的GPU性能

英伟达本周正式推出DLSS 5,此前在3月的一次引发分歧的公告中,我们曾将这项AI超分辨率技术比作“视频游戏的实时生成式AI滤镜”,并称其为“视频游戏的运动平滑,但更糟糕”。 DLSS 5将正式支持RTX 50系列台式机和笔记本电脑GPU,并通过GeForce Now云游戏提供,但截至目前,唯一支持该技术的游戏是《》,该游戏将于太平洋时间9月3日晚上9点在PC上发布。 在发布时,英伟达盛赞DLSS

09/01
日经

华为发布麒麟9050Pro芯片,用于三折叠新机

华为高级副总裁余承东在发布会上公开的新款三折叠屏手机(9月7日,来自直播视频)中国华为技术9月7日发布了用于智能手机的最新型半导体。这是华为6年来首次在手机发布会上详细介绍新型半导体。尽管被禁止从美国采购高性能半导体,但华为正通过自研半导体来提升产品性能。 华为的高级副总裁余承东发布了新一代“麒麟9050Pro”半导体。通过将运算单元以折叠式排布于单个芯片内部,缩短了数字信号的传输路径。提高能效,

09/08
凤凰网科技

智谱GLM-5.3-FlashX模型上线:进一步形成智能、价格、速度的全面竞争力

凤凰网科技讯 9月18日,智谱宣布推出GLM-5.3-FlashX(最高200tokens/s),为企业与开发者带来更快、更流畅的模型体验。 智谱官方表示,GLM-5.3-Flash此前以“Ox Alpha”之名与全球开发者见面,调用量持续攀升。面对快速增长的需求,智谱在10万张国产芯片提供的推理算力基础上,进一步加大对Infra侧的投入与推理优化。GLM-5.3-Flash 长期保持同尺寸最强智

09/18
罗塞塔简报

联发科推出天玑 9600 Pro 及 9600M 芯片,采用台积电 2 纳米与 3 纳米工艺

联发科发布天玑 9600 Pro 和 9600M 芯片,采用台积电 2 纳米和 3 纳米工艺。 2026 年 9 月 15 日星期二,总部位于台湾的联发科推出了两款新的智能手机芯片:基于台积电 2 纳米工艺打造的天玑 9600 Pro,以及采用 3 纳米工艺的天玑 9600M。 这些芯片面向高端手机市场,配备增强型神经处理单元(NPU),用于设备端生成式 AI,其中天玑 9600 Pro 声称提示

09/15
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长鑫总经理回应与苹果合作:保持开放 已具备与国际主流厂商竞争能力

公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会。赵纶指出,公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。 关于公司生产经营中所涉及的客户及商业合作细节等信息,请以公司公开披露的信息为准。 被问及LPDDR6今年能否量产时,赵纶则表示,LPDDR 系列产品是公司重要的产品线之一,公司在该领域持续投入研发,产品性能与可靠性不断提升,已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次

09/07
华尔街见闻

华为首款“韬定律”逻辑折叠芯片手机来了!

据央视财经,该芯片是全球首款落地“韬定律”、采用逻辑折叠技术的旗舰芯片,实现芯片性能的跨越式提升。 据,麒麟9050 Pro在单芯片内将逻辑单元分层排布,如同从平层升级为复式,内部增设垂直互联通道,好似加装“电梯”,信号传输路径更短、时延更低、性能更好。这也是继华为Mate40全球发布会之后,华为时隔六年在旗舰发布会上推出全新麒麟芯片。 在HarmonyOS 7 | HUAWEI Mate XT

09/07
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长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局

中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)宣布,其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑,也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来,随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升,全球市场对先进DRAM产品的

09/20
联合早报

中国官媒:上下游产业链协同攻关促成国产高端晶片迭代突破

中国科技巨企华为星期一(9月7日)发布Mate XT 2三折叠屏手机,搭载最新的麒麟9050 Pro晶片。这是华为时隔六年再次推出全新麒麟晶片。中国官媒《经济日报》评论文章指出,上下游产业链多年协同攻关促成国产高端晶片的迭代突破。 《经济日报》星期二(9月8日)刊发署名“金观平”的评论文章指出,麒麟9050 Pro是首款采用逻辑折叠技术的高性能晶片打破了传统平面设计思路,实现了晶片性能和能效双重升

09/08
华尔街见闻

华尔街见闻早餐FM-Radio | 2026年9月8日

中国央行连续22个月增持黄金,8月购金节奏进一步加快。 适时启动6G商用,到2030年智能算力规模达9800 EFLOPS。 小米推出首款“中折叠”旗舰手机小米18 Fold,10999元起售,披露造芯累计投入210亿元。华为发布首款“韬定律”逻辑折叠芯片手机Mate XT 2三折叠手机,起售19999元。长鑫LPDDR6芯片率先实现旗舰手机端首发量产,首发搭载小米18 Fold。 摩尔线程20%

09/08
日经

PC用DRAM价格连续7个月走高

来自英伟达的人工智能(AI)服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑(PC)等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%,面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存,其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外,也搭载于数据中心的AI服务器等设备上,承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方,设备厂商、模块厂商作为买方,按

09/03
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高通下一代旗舰芯片曝光:主频冲击5.4GHz 继续采用台积电2纳米N2P工艺

高通刚刚发布骁龙8 Elite Gen 6和骁龙8 Elite Extreme Gen 6不久,外界关于下一代旗舰移动平台的传闻已经开始浮现。最新消息显示,高通正在开发代号为“Honu”的全新旗舰SoC,预计将继续采用台积电2纳米N2P工艺,并将CPU主频进一步提升至5.3GHz至5.4GHz区间。 根据爆料信息,这款芯片可能被命名为骁龙8 Elite Extreme Gen 7,内部型号为SM8

09/26
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联发科官宣天玑旗舰芯片首款Pro版本 定档9月15日发布

9月8日,联发科技官方微博宣布,天玑旗舰芯片系列将迎来首款Pro版本,并于9月15日正式发布。预热信息显示,能效方面采用DTCO(设计-技术协同优化)制程深度共研并重构芯片架构;游戏方面带来AI深度融合的GPU图形渲染技术与星速引擎全面进化;影像方面宣称重塑Android视频拍摄体验,支持4K 240fps超高速慢动作及专业创作玩法。 结合此前的爆料信息,联发科预计将会在本次发布会上正式推出天玑9

09/08
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创见推出64GB DDR5-6400 CUDIMM与CSODIMM内存模块

创见近日推出新一代64GB DDR5-6400 CUDIMM和CSODIMM嵌入式内存模块,在保持DDR5高频传输能力的同时,将单条模块容量进一步提升至64GB,为工业计算、边缘计算以及其他对大容量内存有较高需求的嵌入式设备提供新的选择。 此次推出的产品采用DDR5-6400规格,工作电压为1.1V,并同时提供CUDIMM和CSODIMM两种形态。其中,CUDIMM主要面向采用标准台式机内存插槽的

09/15
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