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纳米级工艺的芯片制造技术有望解决固态电池制造难题
研究人员正在尝试从半导体芯片制造领域借鉴技术，用于解决下一代电动汽车电池在制造和性能方面长期存在的难题。通过将原本用于制造微型电子元件的精密加工方法应用到电池材料上，科学家希望能够制造出更薄、更均匀、结构更加稳定的电池组件，从而进一步提升电动车的续航能力、充电速度以及电池寿命。 传统锂离子电池经过数十年的发展，能量密度、成本和可靠性已经取得巨大进步，但进一步提升性能越来越困难。与此同时，电动汽车对
宁德首席制造官倪军：会造车的不一定会造电池
其首席制造官倪军公开表示，全固态电池短期内难以成熟落地，行业多数相关宣传仍停留在概念层面，真正规模化落地至少还需五年时间。 他以核心的“固固界面”举例，传统液态电池依靠电解液形成完善的导电通路，性能稳定。 而全固态电池需要正负极与固态电解质紧密贴合接触，行业目前普遍依靠外力加压保障贴合，但电池充放电过程中会产生体积形变，极易破坏界面接触，直接影响电池性能，这一核心痛点至今没有完善的解决方案。事实上
新型电池“十五五”规划发布 2030年全固态电池初步实现规模化应用
2026年9月22日，安徽合肥，2026世界制造业大会现场，全固态电池样品展出。图：视觉中国 【财新网】新型电池“十五五”规划正式发布，提出到2030年，全固态电池初步实现规模化应用。 9月28日，工信部、国家发改委、交通运输部、商务部、市场监管总局、国家能源局、国家铁路局等七部门联合发布《新型电池产业发展“十五五”规划》（下称《规划》），并提出上述目标。 “固态电池”是指将动力电池中的电解
台积电加速扩充2纳米产能：2027年中月产能目标11万片 增速明显超过3纳米时期
随着人工智能和高性能计算芯片需求持续爆发，台积电正在加快先进制程产能扩张步伐。最新供应链消息显示，台积电计划在2027年进一步扩大2纳米和3纳米制程产能，其中2纳米的扩产速度将明显高于3纳米，预计到2027年年中，2纳米月产能将提升至约11万片晶圆，而3纳米月产能则达到约21万片。 按照目前的规划，台积电截至2026年底的2纳米月产能预计约为9万片，3纳米月产能则达到约18万片。到了2027年年中
欧洲电池工业谋求“重新充电”，抗衡中国强势
中国企业在电池生产行业占垄断地位。 近年来，欧洲在电池产业作出了一些大胆尝试，也出现了几次备受瞩目的失利。 瑞典的北伏挪威的 Morrow均已申请破产，而欧洲亦担心自己错过了另一场技术转型。 随着越来越多交通运输和工业活动从化石燃料转向电力，电池很可能会成为一项增长型产业。 然而，新产品推向市场所需的时间，加上激烈的竞争，尤其是来自中国的竞争，意味着需要承担相当大的风险。 答案会否存在于几乎小得难
SK海力士旗下Solidigm传正评估在美国建造NAND闪存工厂
据路透社援引多名知情人士消息透露，韩国半导体巨头SK海力士（SK Hynix）旗下的存储芯片供应商 Solidigm 正考虑在美国本土投资建设一座全新的 NAND 闪存生产工厂。这一潜在的重磅投资计划标志着全球芯片巨头正进一步响应美国推动半导体制造业回流的政策导向，旨在强化面向北美市场及关键客户的供应链韧性。 Solidigm 是SK海力士在2020年通过收购英特尔（Intel）NAND闪存及固态
台积电1.4纳米产能加速成形 四座A14晶圆厂预计2028年全面投产
全球晶圆代工龙头台积电正在加快下一代A14（1.4纳米）先进制程布局。最新消息显示，位于台湾中部科学园区的四座A14晶圆厂建设进展顺利，预计将于2028年第二季度全部完工并投入大规模量产，届时有望形成全球规模最大的埃米级先进制程生产基地。 根据目前工程规划，中科二期园区的P1厂建设进度领先，预计于2027年4月完成主体工程，随后进入设备安装与试产阶段。P2厂则同步推进，目标是在2027年底前完成设
科研人员研发出无需彻底拆解即可修复老化电动汽车电池的新技术
随着全球电动汽车保有量的快速增长，退役动力电池的处理与回收已成为产业生态面临的核心课题。科学家团队近日成功开发出一种全新的直接修复技术，能够在不将老化电池彻底粉碎拆解为原始元素的前提下，将其电航性能恢复至初始容量的95%以上。 这一成果不仅有望大幅降低退役电池的回收成本与能耗，也为电动汽车动力电池的循环利用开辟了更为高效环保的技术路径。传统锂离子电池在经过数千次充放电循环后，由于正负极材料结构破坏
台积电亚纳米级1.4纳米晶圆厂获批建厂许可
随着全球半导体先进制程的竞争进入白热化阶段，晶圆代工巨头台积电（TSMC）在推进亚纳米级（Sub-1.4nm）制造技术方面取得了实质性突破。最新行业报告显示，台积电已成功为其规划中的1.4纳米（内部代号为 A14）先进晶圆制造厂获得了相关监管部门的建设许可，标志着台积电与老对手英特尔（Intel）以及三星电子在后2纳米时代的制程巅峰之争进一步升温。 在2纳米制程节点步入量产阶段后，各大半导体巨头纷
固态电池未来3年的剧本大抵是这样的
2026年6月，大连达沃斯。有人问曾毓群固态电池，这位全行业最有钱、投得最狠的人，按1到9级的技术成熟度划分，固态电池目前只处于第4级——刚完成实验室小型样品的原理验证。 第4级是什么概念？从它到规模量产的第9级，制造业的历史经验里通常隔着5到8年。 重庆璧山，比亚迪20GWh硫化物全固态量产线启动建设；9月1日起，固态电池免征消费税；一季度，全国25个固态电池项目密集签约开工，总投资超350亿元
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
AI芯片热潮推动产能狂飙 台积电1.4纳米工艺预计2027年首季试产
在全球人工智能算力需求持续爆发的背景下，台积电正在以前所未有的速度推进先进制程布局。最新产业消息显示，台积电1.4纳米A14制程开发进展顺利，最快有望于2027年第一季度启动试产。同时，受AI芯片需求强劲拉动，公司3纳米制程产能正在快速扩张，预计到2027年底单月产能将突破20万片晶圆。 根据产业链最新披露的信息，台积电正加快A14制程推进步伐。A14是台积电继2纳米之后的重要埃米级制造节点，也是
“以热制冷”的固态冷却系统问世 工业废热与阳光可直接化为冷气
在全球能源消耗结构中，供暖与制冷需求占据了近一半的能源消耗，且这一需求仍在持续攀升。一个多世纪以来，传统的冰箱、空调以及数据中心散热系统，几乎全依赖电力驱动的压缩机和流动制冷剂来转移热量，而许多传统制冷剂同时也是加剧全球气候变暖的温室气体。 如今，来自德国卡尔斯鲁厄理工学院（KIT）与日本筑波大学的研究团队取得重大突破，成功开发出全球首个完全由热能驱动的固态制冷系统原型，实现了摆脱电动机、直接将废
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
SK海力士CEO：内存短缺或将持续至2030年
SK海力士预计，当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底，市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示，即使未来市场开始降温，也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解，而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计，面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年，此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出，内
日本Rapidus计划2040年上月球建厂制造芯片
日本先进半导体企业Rapidus社长小池淳义近日在美国华盛顿出席活动时正式宣布，计划2040年前后在月球表面建设半导体工厂。他直言：“这不是玩笑，而是认真的计划。”小池淳义给出的理由是，月球存在芯片生产所需的水资源。月球两极永久阴影区域被探测到存在较高浓度的水冰，若能被开采处理，理论上可提纯出芯片制造所需的超纯水，从而省去从地球长途运输的巨额成本。 Rapidus的2nm量产计划正在同步推进。据T
长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺
据报道，中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露，该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院，目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体，同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下，中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与
高通发布两款2纳米工艺手机芯片 押注智能体应用
【财新网】当地时间9月22日高通2026骁龙峰会上，高通宣布，手机旗舰产品线首次同时推出两款芯片产品，分别为第六代骁龙8至尊版和第六代骁龙8超级至尊版。两款芯片CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）和NPU（神经网络处理器）的基础架构相同，均采用台积电2纳米工艺，这也是高通首次将2nm工艺引入手机平台。 相比至尊版，超级至尊版芯片采用了更先进的Offset PoP散热优化封装技术，帮助芯片在
台积电关联公司计划修建第二座新加坡芯片工厂
为满足不断增长的需求，台积电关联公司世界先进与荷兰公司恩智浦半导体的合资企业VisionPower Semiconductor Manufacturing Co．（简称VSMC）正在考虑修建第二座新加坡芯片厂。 世界先进兼VSMC董事长方略在接受采访时表示，新工厂可以生产比新加坡首厂更先进的芯片。尽管台积电等主要生产商在扩大产能，但是对AI服务及其所需数据中心的需求不断增长，导致全球半导体供应短缺
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
结构性过剩风险凸显 业内称储能电芯未来数年或迎产能出清
在经历数年爆发式增长后，储能行业正面临产能结构性过剩风险。远景科技集团高级副总裁田庆军近日在2026世界动力电池大会上表示，今年储能电芯规划扩产规模已超800GWh，至年底建成产能约1.2TWh‑1.5TWh，规划总产能突破2TWh，已大幅超出全球市场真实需求。 田庆军分析，电芯制造与光伏组件类似，产线启停成本高昂，具有连续生产的刚性。一旦产能过剩，企业为保住现金流和市场份额，极大概率会重蹈光伏行
日本开发出世界最高耐久性钙钛矿电池
日本东芝与信越化学工业携手新潟大学，开发出耐久性能提升至先前产品1.5倍的下一代钙钛矿光伏电池。目前属于世界最高水平，力争在2030年代实现产品销售。将借助耐久性抗衡在该领域已积累量产技术的中国企业。 东芝负责发电部分，信越化学工业负责封装材料的制造。新潟大学开发了光伏电池的封装技术，提高了其耐久性。 此次开发的是由硅光伏电池和钙钛矿光伏电池结合而成的“串联型”，将作为高发电效率光伏电池实现商品化
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场
中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。（路透社） 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五（9月18日）引述三名知情人士称，在全球供应短缺的背景下，长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场，以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器（DRAM）的长鑫科技，在快速扩张的NAND闪存领域硬碰