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国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
铠侠公布利用新型高速存储芯片抢占AI需求计划
周四概述了利用增强型NAND闪存提供DRAM替代品的计划，从而帮助这家日本公司加强与美国大型科技公司的联系，并抵御来自中国竞争对手日益激烈的竞争。
长鑫总经理回应与苹果合作：保持开放 已具备与国际主流厂商竞争能力
公司始终以开放的态度与全球范围内的优质客户探讨合作机会。赵纶指出，公司产品在性能、质量和供应稳定性方面已具备与国际主流厂商竞争的能力。 关于公司生产经营中所涉及的客户及商业合作细节等信息，请以公司公开披露的信息为准。 被问及LPDDR6今年能否量产时，赵纶则表示，LPDDR 系列产品是公司重要的产品线之一，公司在该领域持续投入研发，产品性能与可靠性不断提升，已具备与国际主流厂商同台竞争的能力。此次
中国在无需使用先进光刻设备的情况下，仍在3纳米芯片技术上取得了进展。
中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展，而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。 这一突破标志着中国在美国出口限制下，为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定，荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。 据台湾媒体DigiTimes周四报道，引用中国科学院微
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
140万韩元盗窃罪判有期徒刑3年，300亿技术泄露罪判2年4个月
▲ 近5年海外技术泄露事件的趋势成立于1976年的PECO TEC公司为SK海力士和三星电子供应半导体组装所需的设备“毛细管劈刀（Capillary）”。毛细管劈刀用于将粗细为头发五分之一的金属线连接到半导体芯片上，是高带宽存储器（HBM）工艺的核心设备。PECO TEC公司十年来投入超过300亿韩元（人民币约1.5亿元）开发技术，目前占据全球毛细管劈刀市场的70%以上。 但PECO TEC开发的
中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破
亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。该公司声称，这一
一家保密初创公司认为它刚刚破解了内存短缺难题
一家雄心勃勃的芯片初创公司花费了七年多的时间默默重新设计计算机内存架构，该公司刚刚结束隐身模式，并相信其新方法有助于缓解全球内存芯片短缺问题——前提是能够实现规模化生产。 Kepler Computing 是一家总部位于加利福尼亚州圣何塞的初创公司，由一群物理学家和计算机科学家于 2018 年创立。该公司表示，它已经为高带宽内存（HBM）开发了一种新架构，直接解决了一些正在制约计算市场的芯片供应链
如果硬件价格压力让你难过，VMware 表示一切终将分层解决
VMware 正在为其内存分层技术寻找新的应用场景，预计内存和硬件价格将在未来数年保持高位，因此用户将寻求推迟服务器采购的方法。 内存分层技术将数据从 DRAM 移至另一种足够快的存储介质，使 CPU 仍能以不影响应用性能的速度访问信息。 VMware 的实现方式是在 DRAM 中查找“冷页”——即包含 CPU 尚未访问或暂时不需要的数据的内存块。 当 CPU 在 DRAM 中找不到可用容量时，它
中国最大的存储芯片制造商表示已赶上三星和美光
我们的工艺能力现已与业界最先进的大规模生产技术相当。长鑫存储科技有限公司副总裁、市场部负责人罗晓东在合肥举行的世界制造业大会上表示（据路透社报道），这家中国最大的DRAM制造商刚刚宣布其第五代技术平台已进入大规模生产阶段。 长鑫存储在其官方网站上详细介绍了该技术的具体参数：芯片的活性区域尺寸为11.95纳米，存储电容器的纵横比为45:1；该公司通过四步曝光工艺实现了这些技术指标。与第四代技术相比，
反击成功！长江存储德国专利战获胜：美光被禁售
快科技9月23日消息，月18日，德国慕尼黑第一地区法院就长江存储诉美光专利侵权案中的两起案件作出判决，认定美光侵犯了长江存储的两项德国实用新型专利权，并颁发禁令，要求其在德国停止销售相关侵权产品。 这是双方自2023年11月专利战爆发以来，长江存储在全球范围内取得的首个实质性禁令救济。 针对这一判决，美光方面迅速回应称，不认同德国法院的裁决结果，并已提起上诉。美光强调，涉案权利属于“未经实质审查”
ASML推进High-NA EUV大尺寸掩膜方案 目标2033年量产并提升40%效率
ASML正与客户合作开发适用于下一代 High-NA EUV 光刻设备的更大尺寸掩膜版，这项调整有望让该系统更适合用于最大型的 AI 和数据中心芯片。 该公司表示，现有 EUV 设备可打印面积约达 800 平方毫米的芯片，已足以覆盖英伟达、Google等厂商面向先进数据中心硬件设计的处理器和加速器。 High-NA EUV 是 ASML 的下一代主力光刻平台，能够打印比现有 EUV 更精细的特征，
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的使用承诺
阿斯麦获顶级芯片制造商承诺使用其最新半导体生产设备，并启动一项更广泛的协议，以满足对更强大AI科技的激增需求。三星电子和台积电计划加入英特尔的行列，分别为不晚于2028年和从2030年开始，采用这家荷兰公司的高数值孔径极紫外（EUV）光刻设备进行大规模生产。 该设备每台单价可达4亿美元。三星是领先的内存芯片制造商，台积电则是英伟达和苹果等一众公司的芯片代工领头羊。 这四家公司还就光罩技术规格的重要
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
回声报：遭中国“窃取”科技机密，韩国强化其“反工业间谍”武器库
据《回声报》驻东京通讯员扬·卢梭的报道，韩国政府周日（9月13日）启动一项新法，严惩窃取其科技巨头机密的个人与机构，并直指部分中国企业在半导体技术领域的惊人跃升。从三星到长鑫存储的“手工抄录”《回声报》引述首尔检方称，一名代号为“J”的工程师在 2016 年离开三星电子、转投中国长鑫存储（CXMT）之前，连续四天用手写在笔记本上，抄下了三星多年研发形成的内存芯片生产流程共 600 个步骤。 为避免
英特尔高数值孔径EUV晶圆处理量突破百万片 先进制程量产能力再获验证
英特尔在先进芯片制造领域取得一项重要进展。当地时间9月8日，英特尔晶圆代工部门宣布，采用高数值孔径极紫外光刻技术的晶圆累计处理量已经超过100万片。这一数字涵盖设备认证、测试、研发以及部分产品层的量产，标志着英特尔正在将这项下一代光刻技术从实验室逐步推进到实际生产环境。 此次里程碑是在美国加利福尼亚州蒙特雷举行的SPIE光掩模技术与极紫外光刻会议期间公布的。英特尔表示，其高数值孔径EUV晶圆处理量
五项第一！纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队：中国芯+中国存储
快科技9月17日消息，据MLCommons官方公布的最新结果，基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7，在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一，成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景，AS13000G7参
【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化？
【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色，但若分季度观察，二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年，海外原厂（三星、SK海力士、美光）将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5，通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后，二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场，虽然AI服务器正成为新的核心增长极，但占据超五成的智能手机
创见推出64GB DDR5-6400 CUDIMM与CSODIMM内存模块
创见近日推出新一代64GB DDR5-6400 CUDIMM和CSODIMM嵌入式内存模块，在保持DDR5高频传输能力的同时，将单条模块容量进一步提升至64GB，为工业计算、边缘计算以及其他对大容量内存有较高需求的嵌入式设备提供新的选择。 此次推出的产品采用DDR5-6400规格，工作电压为1.1V，并同时提供CUDIMM和CSODIMM两种形态。其中，CUDIMM主要面向采用标准台式机内存插槽的
为了把更多HBM塞进芯片，英伟达加速布局下一代玻璃基板
英伟达正联合产业链企业推进新一代玻璃基板技术落地，以应对AI芯片封装在尺寸、散热和互连方面日益突出的物理限制。若技术实现突破，玻璃基板有望支持更大规模的HBM集成，为下一代GPU提升封装密度和数据传输能力。 据报道，德国设备厂商SCHMID在近期上半年业绩发布会上披露，公司正与英特尔、英伟达、AMD各自供应链中的核心企业合作，共同推进玻璃芯核基板设备研发。SCHMID首席战略官Roland Ret
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
d-Matrix 采用英伟达 NVLink Fusion 和 MGX 机架设计
AI 基础设施初创公司 d-Matrix 周四宣布加入越来越多的芯片制造商行列，许可使用英伟达的 NVLink Fusion 互连技术和机架级参考设计，以便让客户更容易使用其高性能推理平台。 根据该协议，d-Matrix 将在未来的芯片设计（包括即将推出的 Raptor 加速器）中集成对 NVLink Fusion 的支持。 通过采用这项技术，d-Matrix 避免了在大型计算集群中扩展其芯片架构
瑞银：中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术
瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。 据彭博社报道，“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备