d-Matrix 采用英伟达 NVLink Fusion 和 MGX 机架设计

AI 基础设施初创公司 d-Matrix 周四宣布加入越来越多的芯片制造商行列，许可使用英伟达的 NVLink Fusion 互连技术和机架级参考设计，以便让客户更容易使用其高性能推理平台。 根据该协议，d-Matrix 将在未来的芯片设计（包括即将推出的 Raptor 加速器）中集成对 NVLink Fusion 的支持。 通过采用这项技术，d-Matrix 避免了在大型计算集群中扩展其芯片架构

瑞银：中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术

瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。 据彭博社报道，“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备

华为成为中国先进芯片国产化道路上的推手

通过投资各类DUV光刻机元组件生产商，这家科技巨头发挥的作用类似于“项目管理”。 在中国力争从自己的半导体供应链中剔除外国技术的计划中，华为(Huawei)处于核心位置，其支持的多家公司所研发的元组件应用于可生产最先进芯片的机器。 据多位知情人士透露，这家中国科技巨头正广泛投资于光刻机制造产业，同时帮助促成相关企业与中芯国际(SMIC)等中国领先晶圆厂的合作，目的是打造能够替代外国供应商的本土供应

日韩两大存储巨头抱团，中国企业如何应对？

还记得7年前的日韩半导体大战吗？2019年，日本政府限制对韩出口氟化聚酰亚胺、光刻胶、氟化氢三种关键芯片材料，卡住了韩国芯片的脖子，也掐住了韩国经济的命脉。 韩国虽然采取了反制+自救措施，依然损失惨重，最终在美国的调节下与日本妥协。如今，风向又变了。 最近，韩国SK集团会长崔泰源访问东京期间明确表示，正考虑SK海力士与日本铠侠联合生产NAND闪存，并计划在日本建设芯片工厂。 要知道，在全球NAND

中国长鑫存储（CXMT）在先进存储芯片上取得突破，据The Information报道

据The Information周一报道，中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产先进的高带宽内存。

吉姆·克莱默表示，英伟达创纪录的股票回购可能会“改变该股的走势”

英伟达规模惊人的新一轮股票回购，正是吉姆·克莱默一直呼吁采取的措施。芯片制造商董事会批准追加1500亿美元用于回购股票，使其剩余回购授权总额增至2350亿美元。英伟达周一表示，此次追加规模创下历史纪录，预计将在2028财年结束前完成整个回购计划。公司目前正处于2027财年第三季度。“这是一项意义重大的回购，”吉姆周一在CNBC节目中表示，“我认为，如果他们每天都活跃在回购市场，这将改变股价的走势。

传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价

据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与

华为麒麟9050 Pro多核反超A17 Pro，差距缩至3年

原标题：不靠EUV光刻机也能硬刚苹果！华为麒麟9050 Pro多核反超A17 Pro：差距缩至3年快科技9月24日消息，据报道，美国投资研究机构伯恩斯坦最新报告指出，华为麒麟9050 Pro芯片将移动芯片与苹果的技术差距缩小至约三年，而上一代差距约为四年。 该芯片基于中芯国际N+2或N+3工艺制造，制程水平相当于7nm。它没有使用EUV光刻机，而是通过DUV多重曝光与逻辑折叠技术实现性能提升。 伯

中国长鑫存储表示新内存芯片平台已进入量产阶段

创业板涨超3%，算力硬件爆发、中际旭创市值重回万亿，摩尔线程上市以来首次跌停，恒指、恒科指齐跌1%，科网股多数承压

光模块大爆发，龙头股中际旭创A股股价一度站上900元/股，涨幅超10%，成交额突破300亿元，公司总市值攀升至1.06万亿元。中际旭创港股股票盘中涨幅更是一度超16%。AI芯片下挫，摩尔线程因解禁20cm跌停，沐曦股份跌近10%。 据上证报，9月7日，高盛研报首次覆盖中际旭创H股，给予“买入”评级，12个月目标价为3267港元。高盛分析师在报告中表示，上述预期反映了对中际旭创在硅光模块领域领先地位

T早报｜长鑫科技第五代技术平台量产；黄仁勋称需警惕AI“末日叙事” ；智谱上线“数据内容不留存”功能

2026年9月20日，2026世界制造业大会，长鑫存储展厅。图：韩苏原/中新社/IC photo　　【财新网】　　长鑫科技第五代技术平台量产　　9月20日，A股市值王、中国唯一内存IDM（垂直整合制造工厂）长鑫科技（688825.SH）在安徽合肥举办的世界制造业大会上宣布，其第五代DRAM（内存）技术平台（以下简称“G5平台”）实现量产。长鑫称，G5平台每片晶圆产出裸片数量较上代平台增加至少50%

中国存储制造商押注先进封装，力求攀升价值链

中国存储制造商长期以来一直以将芯片封装成模块而闻名，如今它们正逐步向产业链上游延伸，涉足晶圆级封装技术。最近，又有一家公司宣布投资45亿元人民币（约合6.72亿美元）用于开发先进的封装技术。 这家在上海证券交易所上市的公司——Biwin Storage Technology——将把这笔资金用于其在广东省东莞市实施的先进封装及测试项目的第三阶段建设。该投资金额超过了该公司前两阶段投资总额（30.9亿

高通公布新一代Adreno GPU：矩阵核心强化AI算力、更高频率更低功耗

高通公布了下一代骁龙顶级移动平台所搭载的新一代Adreno GPU的部分技术细节。新GPU在延续三切片架构的基础上，进一步提升了运行频率，并首次引入片上高性能缓存、Matrix Cores专用AI计算单元及Adreno Neural Fusion融合架构，旨在从架构层面优化持续图形性能与功耗效率。 新一代Adreno GPU继续采用三切片架构设计，每个切片的运行频率较上一代提升250MHz，由1.

PC用DRAM价格连续7个月走高

来自英伟达的人工智能（AI）服务器相关需求正在助推半导体存储器DRAM行情加速走高。用于个人电脑（PC）等设备的通用DRAM产品价格环比上涨5%，面向工业设备的产品出现两位数上涨。存储厂商优先供应AI服务器专用内存，其连锁效应正在进一步扩散。 DRAM除用于个人电脑、相机、智能手机之外，也搭载于数据中心的AI服务器等设备上，承担数据临时存储的功能。存储器厂商作为卖方，设备厂商、模块厂商作为买方，按

中国企业上半年利润两位数增长，也有1/4亏损

中国上市企业的业绩呈现出两极分化态势。2026年上半年（1～6月），中国上市企业的净利润总额同比增长2成。虽然抓住人工智能（AI）需求的半导体企业起到重要拉动作用，但最终亏损的企业也达到四分之一，创历史最高水平。食品及房地产等内需相关企业的经营环境严峻，经济的不平衡在扩大。 《日本经济新闻》对在上海及深圳等中国本土市场上市的企业（不含金融业）中，能够与上年同期进行比较的约5400家企业进行了

三星已在高通骁龙8 Elite Extreme Gen6完成16GB LPDDR6内存验证

据业内人士23日消息，三星电子已在高通下一代移动平台骁龙8 Elite Extreme Gen6上完成16GB LPDDR6内存验证，最高速率可达10.7Gbps。本次验证是三星从新产品开发早期阶段就与全球应用处理器（AP）厂商持续合作的成果。存储厂商即便成功研发出新产品，也必须通过与应用处理器的兼容性、运行稳定性验证流程，才能最终搭载到智能手机中。 三星于2021年推出第七代移动DRAM LPD

单机跑Kimi K3首破5.85毫秒，同等投资Token产能提升10倍！浪潮信息破局Agent算力难题

2026年，Agent的火爆程度空前。而同期Token消耗量的增长更为惊人：从2026年的0.026Peta（千万亿），增长到2030年的152667Peta。Agent数量增长约28倍，Token消耗却增长数百万倍。需求侧增长如此之快，算力供给能接住吗？今年有两个案例十分典型：一是Kimi K3。这个总参数量2.8万亿的模型，权重文件达到1.56TB，普通AI服务器的GPU显存连权重都装不下，官

中国研究人员在半导体领域取得突破，将未来存储器的耐久性提升100倍

2026.09.13 20名中国研究人员开发了一种方法，大幅提高了新兴存储芯片的耐用性。随着人工智能热潮推动对更先进半导体的需求，这可能克服阻碍其在高性能计算和未来人工智能系统中应用的关键可靠性障碍。 研究团队在纤锌矿铁电体（一种可通过切换两种电状态来存储数据的材料）中实现了超过100亿次的写入循环。这一结果大约是该材料先前实现的耐久性的100倍，有助于推进潜在的下一代存储技术。这项突破有望使铁电

刚刚，智谱首个 RSI 成果发布，10 万国产卡用 GLM 造 GLM

两周时间，10 万颗国产 AI 加速器，一个开始优化自己的模型。 就在刚刚，智谱 GLM 首席科学家唐杰在 X 平台分享了一项关于 GLM-5.3-Flash 推理系统优化的研究。 他透露，从 GLM-5.3-Flash 首次运行在国产 AI 加速器上，到完成全部生产流量承载，仅用了两周时间。在这个过程中，系统端到端吞吐能力提升了 3.2 倍。 最让唐杰印象深刻的是，完成大量优化工作的并非只有基础

蔡司高管：中国15年内会造出EUV光刻机 制裁会把他们逼成“技术疯子”

ASML EUV光刻机光学元件独家供应商、德国蔡司集团半导体事业负责人Frank Rohmund近日接受采访时表示，中国要开发出EUV光刻机大约还需要15年。 他称这是一个合理的推测，同时也坦言中国在这方面的实际进展难以量化。 ASML是目前全球唯一能制造EUV光刻机的企业，而EUV技术是生产英伟达AI加速器等最先进芯片不可或缺的关键技术。技术本身越重要，掌握技术的话语权就越大。美国正是利用这一优

台积电亚纳米级1.4纳米晶圆厂获批建厂许可

随着全球半导体先进制程的竞争进入白热化阶段，晶圆代工巨头台积电（TSMC）在推进亚纳米级（Sub-1.4nm）制造技术方面取得了实质性突破。最新行业报告显示，台积电已成功为其规划中的1.4纳米（内部代号为 A14）先进晶圆制造厂获得了相关监管部门的建设许可，标志着台积电与老对手英特尔（Intel）以及三星电子在后2纳米时代的制程巅峰之争进一步升温。 在2纳米制程节点步入量产阶段后，各大半导体巨头纷

AMD Linux内核驱动加速适配GDDR7显存 为下一代RDNA 4显卡铺平道路

随着下一代图形处理器的日益临近，AMD正加快在Linux开源生态中的新硬件铺路工作。最新的AMDGPU Linux内核驱动补丁显示，AMD的工程师们正在积极推进对GDDR7显存技术的支持与底层适配，为即将到来的新一代显卡做好软件准备。 在最新的驱动更新和补丁提交中，AMD针对AMDGPU内核驱动模块引入了专门针对GDDR7显存的探测、频率监控以及功耗管理代码。补丁信息表明，AMD工程师不仅为GDD

1b DRAM单位面积价值现在比台积电2纳米晶圆还高出54%

在人工智能带动全球算力需求爆发的背景下，半导体产业正在出现一个过去几乎难以想象的现象：用于制造DDR5内存的先进DRAM晶圆，如今按单位面积计算的市场价值，已经超过了台积电最先进的2纳米逻辑晶圆。 最新行业分析显示，目前1b DRAM的单位面积价值约为每平方毫米0.654美元，而台积电2纳米（N2）晶圆对应的单位面积价格约为每平方毫米0.424美元。换句话说，同样大小的一块硅片面积，先进DRAM如

T早报｜OpenAI、Anthropic、DeepMind合作AI安全工作；外交部回应AI风险焦虑；梁汝波称字节跳动将加大投资企业市场

阶跃发布语音大模型StepAudio 3 9月15日，阶跃星辰发布 Step Audio 3 系列模型，包括 StepAudio 3 Realtime、StepAudio 3 ASR、StepAudio 3 TTS、StepAudio 3 Gen 和 StepAudio 3 Music。该系列模型主要面向真人级语音生成、完整音频内容生成、实时语音交互、复杂场景语音理解和音乐创作等场景。 腾讯会议联