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中国在无需使用先进光刻设备的情况下，仍在3纳米芯片技术上取得了进展。
中国研究人员在利用较旧的光刻技术将半导体工艺节点推进至3纳米以下方面取得了初步进展，而阿斯麦更先进的极紫外光刻设备仍因美国制裁而被封锁。 这一突破标志着中国在美国出口限制下，为开辟先进芯片制造替代路径所作努力的最新进展。根据现行出口管制规定，荷兰设备巨头阿斯麦被禁止向中国客户出售其最先进的EUV光刻机——这是生产7纳米以下节点芯片的关键设备。 据台湾媒体DigiTimes周四报道，引用中国科学院微
华为成为中国先进芯片国产化道路上的推手
通过投资各类DUV光刻机元组件生产商，这家科技巨头发挥的作用类似于“项目管理”。 在中国力争从自己的半导体供应链中剔除外国技术的计划中，华为(Huawei)处于核心位置，其支持的多家公司所研发的元组件应用于可生产最先进芯片的机器。 据多位知情人士透露，这家中国科技巨头正广泛投资于光刻机制造产业，同时帮助促成相关企业与中芯国际(SMIC)等中国领先晶圆厂的合作，目的是打造能够替代外国供应商的本土供应
瑞银：中国未来十年料难赶上ASML顶尖光刻技术
瑞银集团分析师预计，中国半导体制造能力未来十年内可能仍难取得足够进展，以开发出可替代阿斯麦（ASML）尖端极紫外光刻（EUV）技术的可行方案。 据彭博社报道，“它们（中国）目前的发展阶段，似乎与阿斯麦2004年时相近。” 北京一直向国内晶片产业投入国家资本，以实现自给自足。不过，美国主导的尖端晶片制造设备出口限制，阻碍了这一进程。 总部位于荷兰的阿斯麦，是全球唯一一家生产先进光刻机的厂商，这类设备
中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年
中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估，中国两大存储器企业长江存储（YMTC）和长鑫存储（CXMT）在关键技术领域已实现显著追赶，其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年，DRAM领域约为2年，而高带宽存储器（HBM）领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是，仅在数年前，业内普遍认为中国存储器产业与
蔡司高管：中国15年内会造出EUV光刻机 制裁会把他们逼成“技术疯子”
ASML EUV光刻机光学元件独家供应商、德国蔡司集团半导体事业负责人Frank Rohmund近日接受采访时表示，中国要开发出EUV光刻机大约还需要15年。 他称这是一个合理的推测，同时也坦言中国在这方面的实际进展难以量化。 ASML是目前全球唯一能制造EUV光刻机的企业，而EUV技术是生产英伟达AI加速器等最先进芯片不可或缺的关键技术。技术本身越重要，掌握技术的话语权就越大。美国正是利用这一优
北方华创公布3D DRAM两步刻蚀突破性进展 或助长鑫存储绕过EUV制裁
随着西方对华半导体设备出口管制的持续收紧，中国半导体行业在难以获取先进制程极紫外（EUV）光刻机的情况下，正将更多研发重心转向通过垂直堆叠突破晶体管密度瓶颈。作为中国本土半导体设备制造领域的领军企业，北方华创（Naura Technology Group）近日在IEEE期刊发表学术论文，宣布在下一代存储芯片3D DRAM制造工艺上取得重大技术突破，开发出一种创新的两步循环刻蚀工艺，有望为以长鑫存储
长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机
为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制，中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）与长江存储（YMTC）被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出，两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦（ASML）深紫外（DUV）光刻机及关键零部件，其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来，随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外（EUV
韩媒终于服了！中国玻璃基板商业化速度已超韩国：英伟达芯片要靠它提速40%
快科技9月28日消息在玻璃基板商业化进程上正全面超越韩国。韩企仍在逐项验证工艺、犹豫是否投资量产线时，中国企业已先行搭建产线、产出样品并交由客户测试，商业化节奏明显更快。 玻璃基板被业界视为下一代先进封装的核心材料，主要面向AI计算芯片和数据中心光通信。其优势在于可适配大尺寸矩形面板，材料利用率高，且具备低热膨胀系数、高刚性和低介电损耗特性。 中国企业已率先投产。沃格光电近期已启动二期TGV玻璃基
长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机
中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件，现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备，被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露，1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机，储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺
华为麒麟9050 Pro多核反超A17 Pro，差距缩至3年
原标题：不靠EUV光刻机也能硬刚苹果！华为麒麟9050 Pro多核反超A17 Pro：差距缩至3年快科技9月24日消息，据报道，美国投资研究机构伯恩斯坦最新报告指出，华为麒麟9050 Pro芯片将移动芯片与苹果的技术差距缩小至约三年，而上一代差距约为四年。 该芯片基于中芯国际N+2或N+3工艺制造，制程水平相当于7nm。它没有使用EUV光刻机，而是通过DUV多重曝光与逻辑折叠技术实现性能提升。 伯
ASML供应商称中国在顶级芯片制造工具上落后15年
据德国蔡司集团（Zeiss Group）的一位高管称，中国在开发尖端芯片制造工具方面落后了大约15年。蔡司集团是全球半导体行业的关键供应商。 领导蔡司半导体部门的弗兰克·罗蒙德（Frank Rohmund）在电视上表示，北京需要15年时间才能开发出极紫外（EUV）光刻机，这是一个“合理的假设”，同时他指出，中国的进展难以量化。 芯片制造技术是美国阻止中国获得顶级人工智能芯片的关键目标，因为这两个最
【市场洞察】瑞银：中国AI模型性价比突出 中美差距缩窄至3到6个月
【财新数据专稿】“中国模型在成本优势上面展现出的全球竞争力。中国的模型无论是前期的训练研发阶段，还是后期的推理、使用阶段，展现出来的性价比或者绝对的成本都还是比国外的竞品是显著低的。”瑞银互联网分析师熊玮在瑞银近期举办的2026年A股研讨会上表示。熊玮对中国模型在全球市场获取更多份额保持乐观。 模型能力持续提升，中美差距缩窄至3至6个月过去两三个月间，国内多家领先模型厂商密集发布了新一代产品。其中
尽管被美国技术拒之门外，中国芯片仍在取得进展
尽管美国限制获取尖端半导体技术，中国科技公司仍展示了在芯片制造方面的进展。 阿里巴巴在发布了其号称中国最强大的芯片后股价上涨，这是其在人工智能生态系统的硬件和软件组件领域进行扩张计划的一部分。 在此次发布的前几天，存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）表示其最新的芯片平台已进入量产阶段，该公司正迅速从三星和SK海力士等全球巨头手中夺取国内市场份额。 此外，研究人员也在尖端领域取得突破：中国科学院的科学
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
中国存储制造商CXMT宣称在DRAM生产上取得突破
亚洲简讯据报道，苹果公司曾评估将中国存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）的产品用于iPhone。近日，该公司声称在芯片微缩技术上取得了突破。长鑫存储周日发布消息称，已开始量产采用第五代工艺制造的芯片，该工艺实质上将内存密度提高了一倍，意味着从单片晶圆上切割出的内存芯片裸片数量翻了一番。长鑫存储表示，其关键突破在于将高K金属栅极工艺（一种通过绝缘硅来提高效率的方法）应用于DRAM制造。该公司声称，这一
瑞银称中国未来十年不太可能赶上ASML的顶级设备
瑞银集团分析师预测，中国不太可能在未来十年内快速提升其半导体制造能力，以开发出ASML Holding NV尖端极紫外技术的可行替代品。 由Francois-Xavier Bouvignies领导的瑞银分析师在报告中写道：“他们似乎处于与ASML 2004年相似的阶段。” 北京一直在向国内芯片行业投入国家资本以实现自给自足。但其进展受到华盛顿主导的对尖端芯片制造设备出口限制的阻碍。 总部位于荷兰费
FT报道：中国对标ASML的半导体设备采用蔡司镜头
中国制造自主芯片设备的努力终于有了一个统筹协调者，那就是华为。 据爱莉诺·奥尔科特（Eleanor Olcott）和武子矜（Zijing Wu）为《金融时报》报道，多位知情人士透露，华为正在协调开发的旗舰光刻机仍在使用德国镜头。TNW尚未对此进行独立核实。华为正在投资……
长鑫新技术平台正式量产 提升中国存储晶片竞争力
中国晶片制造商长鑫科技星期天（9月20日）宣布，第五代技术平台正式量产。（路透社档案照） （北京/合肥综合讯）中国晶片制造商长鑫科技宣布第五代动态随机存取存储晶片（DRAM）技术平台实现量产，新型移动存储晶片不仅能容纳更多内存，数据容量也比同类前代产品高出50%。这项进展有望提升中国在全球存储晶片市场的竞争力，更好地与三星电子、SK海力士和美光科技等对手抗衡。综合澎湃新闻、路透社等报道，长鑫科技星
阿斯麦新一代EUV光刻机获得台积电和三星的使用承诺
阿斯麦获顶级芯片制造商承诺使用其最新半导体生产设备，并启动一项更广泛的协议，以满足对更强大AI科技的激增需求。三星电子和台积电计划加入英特尔的行列，分别为不晚于2028年和从2030年开始，采用这家荷兰公司的高数值孔径极紫外（EUV）光刻设备进行大规模生产。 该设备每台单价可达4亿美元。三星是领先的内存芯片制造商，台积电则是英伟达和苹果等一众公司的芯片代工领头羊。 这四家公司还就光罩技术规格的重要
路透：ASML续主导晶片设备市场 客户纷采用High NA
（中央社阿姆斯特丹14日综合外电报导）分析，荷兰晶片设备制造商ASML正延续其市场主导地位，其客户已陆续承诺采用其高数值孔径设备，ASML在荷兰爱因霍芬的新厂上周动工，财务长达森表示，AI热潮已改变客户的心态。 报导，艾司摩尔（ASML）每台造价2亿美元的现有极紫外光曝光机（EUV）是制造先进人工智慧（AI）晶片不可或缺的工具，订单几乎已排满至2027年，同时客户也纷纷承诺采用其下一代每台造价4亿
ASML高管直言：欧洲本土光刻机销量为零，半导体产业面临掉队风险
IT之家 9 月 22 日消息，据彭博社报道，欧洲市值最高的企业阿斯麦（ASML Holding NV）的一名高层表示，该公司并未在欧洲大陆销售任何芯片制造设备；在美国、中国、印度都在大举投入建设本土半导体产业的背景之下，欧洲正面临被甩在身后的风险。 “我们现在在欧洲根本一台设备都卖不出去。原因就是欧洲本土缺少投资，当地没有新建芯片工厂。”阿斯麦负责全球公共事务的执行副总裁弗兰克 · 海姆斯克（F
中国官媒：上下游产业链协同攻关促成国产高端晶片迭代突破
中国科技巨企华为星期一（9月7日）发布Mate XT 2三折叠屏手机，搭载最新的麒麟9050 Pro晶片。这是华为时隔六年再次推出全新麒麟晶片。中国官媒《经济日报》评论文章指出，上下游产业链多年协同攻关促成国产高端晶片的迭代突破。 《经济日报》星期二（9月8日）刊发署名“金观平”的评论文章指出，麒麟9050 Pro是首款采用逻辑折叠技术的高性能晶片打破了传统平面设计思路，实现了晶片性能和能效双重升
中国团队在自主超导量子计算机上实现新突破 传输效率高达98%
据中心架设了“快速路”，有效解决了QRAM扩展的行业难题。相关论文日前发表于国际物理期刊《物理评论X》。 如果把量子计算机比作“智慧城市”，那么量子随机存取存储器（QRAM）就是其中存储和调度数据的“数据中心”。QRAM是实现量子搜索、量子机器学习等算法的重要功能模块，其核心是“量子路由器”——它负责根据地址指令将数据准确送达目标位置。但传统方案随路由网络规模增大，每增加一个节点就需大量标准量子门
长鑫存储第五代DRAM平台正式量产 挑战全球三大巨头格局
中国DRAM存储芯片制造商长鑫存储（CXMT）宣布，其第五代DRAM技术平台已正式进入量产阶段。这一进展被视为中国存储产业发展过程中的重要里程碑，也意味着长鑫存储正在进一步缩小与三星电子、SK海力士和美光等全球领先厂商之间的技术差距。 DRAM是智能手机、个人电脑以及服务器等电子设备运行应用程序所需的核心工作内存。近年来，随着人工智能、高性能计算和移动终端性能持续提升，全球市场对先进DRAM产品的