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「国产存储崛起!中国内存产能占比预计2030年达20%」共 38 条 · 第 1 页
凤凰网科技

国产存储崛起!中国内存产能占比预计2030年达20%

快科技9月22日消息,韩国业内预计,中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右,目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆,就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称,中国企业近年来正加快进入存储器市场,代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前,中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能,同时也在推

09/22
cnbeta

长江存储IPO火速进入已问询状态 市值冲击3万亿

按目前节奏,长江存储有望在今年年底或明年年初正式挂牌上市,届时国产存储双雄长鑫科技与长江存储将齐聚资本市场。 估值定价上,可以用长鑫科技作为参照,长鑫科技7月27日登陆科创板,首日市值3.31万亿元超越工商银行登顶A股,16个交易日后一度突破4万亿元,目前最新市值约3.72万亿元。 据报道,如果到时候长鑫科技继续维持当前的估值与市值水平,那么长江存储潜在的市值规模会在3万亿元人民币以上。 此外未来

09/07
cnbeta

长鑫存储全球DRAM营收份额升至10%

市场调研机构 Counterpoint Research 最新发布的跟踪报告显示,中国存储芯片龙头长鑫存储(CXMT)在全球动态随机存取存储器(DRAM)市场迎来爆发式增长,其营收规模在全球市场的份额已跃升至10%。凭借强劲的业绩表现,长鑫存储正稳固占据全球第四大 DRAM 供应商的位置,并进一步缩小与行业领先者的差距。 本轮业绩的大幅飙升主要得益于人工智能基础设施建设引发的全球内存供应紧张。随着

09/03
cnbeta

全球NAND闪存市场规模二季度再实现70%的环比增长

受人工智能基础设施建设对高容量闪存需求的爆发式拉动,全球NAND闪存市场在2026年迎来了惊人的涨幅。市场研究机构Counterpoint Research的最新报告显示,在第一季度环比增长90%的高基数之上,全球NAND闪存市场规模在第二季度再次实现70%的环比增长。 这一波增长势头几乎完全由售价飙升带动,而非出货量增加;仅在今年第二季度,NAND闪存的合约价环比涨幅就高达55%,这与此前Tre

09/04
财新

【周刊提前读】中国AI应用催生海量算力需求 国产芯片你追我赶崛起中

人工智能(AI)算力需求暴增,中国产AI芯片则迎来一轮发展红利,“得产能者得客户”。 “今年全国算力需求爆发式增长,高端卡一卡难求,变成完全的卖方市场,价格不断抬升,涨幅十分惊人。”杭州市算力资源调度服务平台浙江算力科技有限公司(下称“浙江算力科技”)业务负责人告诉财新,其平台算力已租赁一空,大集群算力产品出现多家客户排队等候的情况。 浙江算力科技为杭州国资企业,通过自建和集中社会闲置算力,统一管

08/29
cnbeta

中国存储芯片技术加速追赶全球领先水平 韩国产业协会称部分领域差距已缩小至1至3年

中国存储芯片产业正在以前所未有的速度缩小与全球领先厂商之间的技术差距。根据韩国半导体产业协会最新评估,中国两大存储器企业长江存储(YMTC)和长鑫存储(CXMT)在关键技术领域已实现显著追赶,其中NAND闪存领域的技术差距已缩小至约1年,DRAM领域约为2年,而高带宽存储器(HBM)领域的差距约为3年。 这一评估结果引发韩国半导体行业广泛关注。值得注意的是,仅在数年前,业内普遍认为中国存储器产业与

09/16
联合早报

长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四

中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器(DRAM)市场的营收占比升至10%,进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三(9月2日)在官网发布的最新行业报告显示,长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率,从去年同期的4%升至10%,位居全球第四。 同期,三星的市占率从33%升至38%,SK海力士从39%降至25%,美

09/06
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长鑫存储和长江存储正在加速进入彼此的核心业务领域

中国存储芯片产业正在迎来新的竞争阶段。长期以来分别深耕不同市场的两家龙头企业——长鑫存储(CXMT)和长江存储(YMTC),正在加速进入彼此的核心业务领域,一场围绕DRAM与NAND两大市场的正面竞争正逐渐展开。 过去几年中,两家公司一直维持着相对清晰的市场分工。长鑫存储主要聚焦DRAM内存芯片,而长江存储则专注于NAND闪存产品。随着人工智能浪潮重塑全球半导体供应链,这种业务边界正在被打破。据产

09/23
凤凰网科技

存储涨价拦不住!中国移动直接砸近10亿元:采购4000万片存储芯片

快科技9月24日消息,据中国移动采购与招标网公告,中国移动通信集团终端有限公司于9月20日发布《2025年至2028年存储芯片合作伙伴动态短名单第二次增补采购项目》资格预审公告。 公告显示,该项目为终端公司及繁星智算提供存储芯片,采购上限为4000万片(非承诺量),预算含税金额约9.76亿元。资格预审有效期至2028年12月31日。 供应商采用合格制,不限定中选数量。资金来源为产品中心及繁星智算2

09/24
cnbeta

SK海力士CEO:内存短缺或将持续至2030年

SK海力士预计,当前的内存短缺局面可能会持续到2030年底,市场目前尚未出现明显的需求放缓迹象。SK海力士首席执行官郭鲁勋在公司位于美国印第安纳州的新封装工厂奠基仪式后表示,即使未来市场开始降温,也更可能表现为供应紧张状况逐步缓解,而不是像过去那样出现内存价格突然崩跌的情况。 该公司此前曾预计,面向普通市场的DRAM供应紧张将持续至2028年,此次最新表态意味着这一预期进一步延长。 郭鲁勋指出,内

08/31
LoopDNS 资讯播报

长鑫存储拟布局闪存领域 应对全球存储芯片短缺

据报道,中国动态随机存取存储芯片龙头企业长鑫存储正筹划进入NAND闪存市场。消息人士透露,该公司计划在北京新厂设立NAND闪存研发生产线并成立研究院,目前已与部分客户就供应计划展开探讨。此举旨在全球存储芯片持续短缺的背景下拓宽客户群体,同时也将使其与三星等外企及国内NAND巨头长江存储展开正面竞争。 在全球人工智能需求爆发与美国出口限制双重推动下,中国存储芯片产业链正加速自主化布局。此前长鑫存储与

09/18 全文见 联合早报
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长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存

据《The Information》报道,中国存储器巨头长鑫存储(CXMT)已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着,中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过,对于长鑫存储而言,这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力,并计划在未来几年继续扩大产能。目前,HBM3E的生产规模仍非常有限,表明相关制造刚刚进入风险试产

08/31
朝鲜日报

三星电子和SK海力士,DRAM产量受制于HBM期间,中国加速渗透通用DRAM市场

2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能(AI)的特殊需求,将生产能力集中在高带宽存储器(HBM)上,而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储(CXMT)迅速占据。22日,市场调研机构集邦咨询的数据显示,长鑫存储(CXMT)全球DRAM市场的占有率(以销售额为准)从今年第一季度的7.6%跃升至第二

09/22
联合早报

长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场

中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。图为长鑫科技位于北京工厂外的标志。(路透社) 中国存储晶片巨头长鑫科技据报拟与中韩企业争抢闪存市场。路透社星期五(9月18日)引述三名知情人士称,在全球供应短缺的背景下,长鑫科技准备进军三星电子、SK海力士等韩国企业主导的NAND闪存市场,以扩大其客户群体。此举也将让专攻动态随机存取存储器(DRAM)的长鑫科技,在快速扩张的NAND闪存领域硬碰

09/18
朝鲜日报

“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”

▲ 7日上午,首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天,KOSPI以6910.78点开盘,较前一个交易日上涨223.57p(3.34%)。/News1 7日,韩国KB证券发布分析报告称,随着人工智能(AI)投资落地,接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士,报告预测将迎来“超强重估”。 当天,“近期全球超大规

09/07
cnbeta

存储芯片涨价压力持续蔓延 分析师警告苹果产品未来两年或仍面临提价压力

全球存储芯片市场正在经历新一轮价格上涨,而这一趋势可能持续影响未来数年的智能手机定价。最新行业分析指出,随着DRAM内存价格不断攀升,包括苹果在内的智能手机厂商将面临越来越大的成本压力,消费者未来购买iPhone时或许还将继续面对价格上涨。 分析人士认为,本轮内存价格上涨与人工智能产业快速扩张密切相关。近年来,大型语言模型、AI推理平台以及数据中心基础设施建设带动了对高性能存储产品的巨大需求,使得

09/17
风向旗参考快讯

长鑫存储、长江存储囤够三年DUV光刻机

中国两大存储芯片巨头长鑫存储与长江存储已从荷兰ASML采购了足够多的DUV光刻机及关键零部件,现有储备量足以支撑未来三年的扩产与日常晶圆制造需求。 此次大规模囤积设备,被视为两家存储巨头为应对日益收紧的半导体设备出口管制、保障产能扩张计划不受供应链中断影响的关键举措。 消息人士透露,1980系列及其他型号的浸没式DUV光刻机,储备战略还延伸至关键零配件与维护耗材。 据称通过多重曝光等复杂的制造工艺

09/10
财新

【行业深度】拆解A股存储芯片产业链中报 繁荣表象下哪些环节盈利分化?

【财新数据专稿】A股存储芯片产业链龙头2026年半年报整体表现出色,但若分季度观察,二季度实际上是细分板块景气度边际变化的关键节点。 2026年,海外原厂(三星、SK海力士、美光)将先进制程产能锁定于HBM、高层数3D NAND及先进DDR5,通用存储供给持续受限。合约价经历多轮修复后,二季度进入高位震荡、涨幅收窄阶段。在存储芯片下游市场,虽然AI服务器正成为新的核心增长极,但占据超五成的智能手机

09/10
凤凰网科技

五项第一!纯国产AI存储首次杀入全球第一梯队:中国芯+中国存储

快科技9月17日消息,据MLCommons官方公布的最新结果,基于兆芯开胜KH-50000处理器的纯国产AI存储方案AS13000G7,在全球权威AI存储基准测试MLPerf Storage V3.0中斩获五项第一,成为业界首个闯入全球第一梯队的全国产AI存储方案。 本次测试覆盖大模型训练Checkpointing、大模型推理KVCache、高性能计算UNet3D三大核心场景,AS13000G7参

09/17
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长鑫存储与长江存储被曝已准备可用三年的ASML DUV光刻机

为了应对日益收紧的半导体制造设备出口管制,中国两大头部存储芯片制造商长鑫存储(CXMT)与长江存储(YMTC)被曝在过去数个季度内展开了大规模战略储备。最新行业调查报告指出,两家芯片巨头已提前采购并储备了充足的阿斯麦(ASML)深紫外(DUV)光刻机及关键零部件,其现有储备量足以支撑未来长达三年的扩产与日常晶圆制造需求。 近年来,随着欧美多国针对先进制程半导体制造设备的限制范围逐步从极紫外(EUV

09/08
联合早报

中国计划到2030年算力供给能力实现大幅增长

(北京讯)中美围绕关键技术持续博弈的背景下,中国官方提出,到2030年,中国电子信息制造业在全球产业格局中要发挥“举足轻重”的作用,重点领域的关键核心技术快速突破,算力供给能力实现大幅增长。 据报道,中国工信部、国家发改委星期二(9月15日)联合发布了《电子信息制造业发展“十五五(2026至2030年)”规划》(简称《规划》)。 《规划》提出,到2030年,中国电子信息制造业的“高质量发展”要取得

09/15
财新

【行业速递】半导体设备板块中报业绩爆发 受益长鑫扩产利好

据专稿】2026年上半年,全球DRAM迎来AI驱动的上行周期,长鑫科技交出上市之后首份财报,营收1503.10亿元,归母净利润776.05亿元,从持续大额亏损一跃成为A股盈利规模前列的制造企业。盈利修复之后,长鑫启动新一轮大规模资本开支,数十亿美元设备采购订单向外释放,半导体设备产业链业绩向好。 A股全部27家半导体设备上市公司半年报披露,板块整体营收566.88亿元,同比增长31.06%,但内部

09/03
cnbeta

长鑫存储二季度利润率反超三星、SK海力士与美光

据《日经亚洲》报道,数据显示,长鑫存储今年第二季度的息税前利润率达到82%,超过SK海力士、美光、三星电子半导体业务等主要存储芯片厂商,成为这一季度全球利润率最高的存储芯片企业。 相关数据来自QUICK FactSet及企业披露。同期,SK海力士息税前利润率为76%,三星电子半导体业务为70%。长鑫存储的营收较上年同期增长约10倍,在长鑫存储、三星、SK海力士、美光、铠侠和闪迪六家企业中增速最高。

09/11
cnbeta

AI吞噬海量数据引爆“复古”需求 磁带存储出货量暴涨57%再迎繁荣

据近乎贪婪的需求推动下,诞生于上世纪90年代的传统存储介质——磁带,如今不仅没有被淘汰,反而迎来了强劲的复兴热潮。此前,已停摆的DOGE项目曾试图以所谓“效率”为由全面淘汰磁带存储,然而市场的实际走向却给出了截然相反的答案。 由慧与(HPE)、IBM和昆腾(Quantum)组成的LTO技术联盟(LTO Consortium)最新数据显示,2026年第一季度LTO兼容磁带介质的总体出货容量同比大幅增

09/04
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