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美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
长鑫存储导入高K金属栅极技术：瞄准1a DRAM节点 2031年月产能或达80万片
中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）已在DRAM晶体管中导入高K金属栅极（HKMG）技术。这项材料与器件层面的升级有望缓解制程微缩所面临的漏电难题，并为其向更先进的1a级DRAM节点推进铺平道路。 随着DRAM器件尺寸持续缩小，传统二氧化硅绝缘层会因厚度过低而逐步失效，电子可能通过量子隧穿效应直接穿过绝缘层，从而造成漏电。为解决这一问题，长鑫存储据称采用了以氧化铪等材料为代表的高介电常数材料，取
美光员工以罢工相威胁 要求分享AI热潮红利
随着人工智能热潮推动存储芯片需求激增，DRAM和NAND闪存制造商的利润大幅攀升。在SK海力士和三星已向员工发放丰厚奖金后，公司何时才能让员工分享这波红利。 台湾媒体近日报道，美光旗下两大主要工会对公司利润快速膨胀背景下的员工薪酬水平表示不满。工会可能以罢工相威胁，这不仅可能扰乱本已紧张的全球存储芯片供应，还可能进一步推高各类科技产品的价格。 工会主席林哲瑞指出，美光的利润已在AI浪潮中创下新高。
台积电加速扩充2纳米产能：2027年中月产能目标11万片 增速明显超过3纳米时期
随着人工智能和高性能计算芯片需求持续爆发，台积电正在加快先进制程产能扩张步伐。最新供应链消息显示，台积电计划在2027年进一步扩大2纳米和3纳米制程产能，其中2纳米的扩产速度将明显高于3纳米，预计到2027年年中，2纳米月产能将提升至约11万片晶圆，而3纳米月产能则达到约21万片。 按照目前的规划，台积电截至2026年底的2纳米月产能预计约为9万片，3纳米月产能则达到约18万片。到了2027年年中
SK海力士在印第安纳州启动40亿美元内存枢纽建设
SK海力士公司周四为其位于印第安纳州的先进内存封装工厂举行了奠基仪式，这标志着华盛顿方面旨在重建国内供应链和战略性重要行业制造业的广泛运动中的一个里程碑。 这座位于西拉法叶的工厂耗资超过40亿美元，占地133.5英亩，将是SK海力士在美国的首个高带宽内存封装基地。其洁净室预计将于2028年10月投入使用，下一代HBM的大规模生产计划于2029年下半年开始，首席执行官郭鲁正在活动上表示。全面投产后，
台积电工人争取提高奖金上限 台湾美光员工逾八成支持罢工
在三星内存芯片工厂员工成功争取到更高奖金后，美光位于台湾的工厂员工也开始寻求类似待遇。美光台湾工会今年7月曾召开会议，研究三星员工罢工事件及其谈判结果。工会成员向表示，如果管理层无法满足诉求，员工可能进一步采取罢工行动。 今年7月的美光工会会议主要讨论了员工对罢工的疑问，同时征询了员工对公司奖金政策的意见。目前，美光奖金最高上限为工资的200%。工会还承诺向参会者介绍三星员工今年早些时候发起的罢工
ASML启动埃因霍温新园区建设 远期可容纳2万个工作岗位
荷兰光刻机制造商ASML于9月8日启动埃因霍温Brainport Industries Campus North新园区建设。项目将分期开发，总建筑面积预计约35万平方米；首期计划2029年完工，可容纳至少3000名员工，并引入面向TWINSCAN光刻系统的新型生产模式。 首期整合生产、物流和办公活动BIC North是ASML在荷兰Brainport地区建设的第二座大型工业园区。项目落成后，将与公
又见存储巨头“天量奖金”：美光最高发68个月奖金
美光科技宣布向中国台湾员工发放创纪录奖励，但工会拒绝接受并维持罢工威胁，劳资博弈进入关键阶段。 美光科技周五宣布，中国台湾员工将获得相当于35至68个月薪酬的2026财年奖励，最低现金补偿为170万新台币（约合5.38万美元）。 美光指出，在经历了一个“对公司而言非凡的年份”后，全球超过6万名员工将获得2026财年的奖励，本次向员工发放的薪酬力度为历年来最高。 然而，代表美光中国台湾约三分之二员工
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
长鑫存储释放合作信号 与苹果供应链合作传闻进一步升温
围绕苹果与中国DRAM制造商长鑫存储（CXMT）的合作传闻，在持续数月的反复猜测后再次出现重要进展。长鑫存储近日在回应相关问题时表示，公司对与全球顶级客户开展合作持开放态度，并强调其产品已具备与国际主流供应商同台竞争的能力。市场普遍认为，这是迄今为止长鑫存储对于潜在苹果合作关系最接近正面确认的一次表态。 根据公开消息，苹果近年来一直在寻找更多内存供应来源，以增强与现有供应商谈判时的主动权。目前苹果
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
【行业速递】半导体设备板块中报业绩爆发 受益长鑫扩产利好
据专稿】2026年上半年，全球DRAM迎来AI驱动的上行周期，长鑫科技交出上市之后首份财报，营收1503.10亿元，归母净利润776.05亿元，从持续大额亏损一跃成为A股盈利规模前列的制造企业。盈利修复之后，长鑫启动新一轮大规模资本开支，数十亿美元设备采购订单向外释放，半导体设备产业链业绩向好。 A股全部27家半导体设备上市公司半年报披露，板块整体营收566.88亿元，同比增长31.06%，但内部
特斯拉人形机械人丨Optimus产量传提升10倍
特斯拉人形机械人Optimus产量传提升10倍。(路透资料图片) 科技新闻网站The Information引述消息人士指出，近数月特斯拉(Tesla)旗下Optimus人形机械人产量提升约10倍，但仍难以实现稳定规模化量产，其产线面临机械人复杂手部组件、自动化设备、供应链受限等多重难题。 消息人士说，相比在第二季小批量试产阶段，每周产量仅几十台Optimus，特斯拉在8月每周已可生产数百台Opt
长鑫科技利润率高达82%，位居第一
在面向人工智能（AI）的需求激增的存储芯片领域，中国企业正迅速追赶竞争对手。7月上市的长鑫科技集团（CXMT）在4月～6月营业利润率高达82%，在各大企业之中最高。正在改变此前由韩美日企业占据全球大部分份额的存储芯片市场的格局。 日本经济新闻比较了韩国三星电子、SK海力士、美国美光科技（3～5月）、铠侠控股、美国闪迪以及长鑫科技（4～6月）的财报。基于QUICK FactSet及各公司资料的数据，
ASML推进High-NA EUV大尺寸掩膜方案 目标2033年量产并提升40%效率
ASML正与客户合作开发适用于下一代 High-NA EUV 光刻设备的更大尺寸掩膜版，这项调整有望让该系统更适合用于最大型的 AI 和数据中心芯片。 该公司表示，现有 EUV 设备可打印面积约达 800 平方毫米的芯片，已足以覆盖英伟达、Google等厂商面向先进数据中心硬件设计的处理器和加速器。 High-NA EUV 是 ASML 的下一代主力光刻平台，能够打印比现有 EUV 更精细的特征，
Amkor将亚利桑那州芯片封装园区投资规模提升至120亿美元
Amkor正在将其在亚利桑那州建设的芯片封装园区规模扩大约两倍。该公司于周二宣布了第二阶段计划。 该计划在原计划的3.3万平方米无尘室基础上增加了6万平方米，使园区总面积达到约9.3万平方米，并将计划总投资提升至约120亿美元。施工于 […] 开始
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为