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三星将半数4纳米产能投入HBM4底层芯片生产
随着人工智能产业持续推动高带宽存储需求增长，三星电子正在进一步加码HBM4布局。根据韩国媒体披露的信息，三星晶圆代工业务部门已将其4纳米工艺产能中的相当大一部分专门用于HBM4底层芯片（Base Die）制造，其中占比据称已达到整个4纳米产能的一半左右。 HBM4是当前最新一代高带宽内存技术，也是未来高性能AI加速器的重要组成部分。与此前几代产品相比，HBM4对于底层芯片的重要性进一步提高。这部分
三星计划2027年大幅扩充HBM4与HBM4E产能 预计相关产量至少翻倍
随着人工智能数据中心对高带宽内存的需求持续增长，三星电子正加快扩充下一代HBM产能。最新消息显示，三星计划在2027年将HBM4系列产品的产量至少提高一倍，其中包括第六代高带宽内存HBM4以及后续的HBM4E。与此同时，三星还在明显增加HBM生产过程中所需的玻璃载板处理能力，这被业内视为公司正在为更大规模的高堆叠HBM生产提前准备。 据半导体行业消息人士透露，三星计划将明年外包的玻璃载板清洗量提高
三星计划2027年将HBM4和HBM4E产能翻倍
据业内消息人士透露，三星电子计划在明年（2027年）将其HBM4和HBM4E高带宽内存芯片的产量翻倍以上。 公司计划将用于晶圆减薄的关键支撑材料——玻璃载板的月外包清洗量从今年的2万片增加到明年的5万片。此次产能扩张主要集中在12层及更高堆叠的产品上。 三星此前已于2月开始量产HBM4，并于5月向包括英伟达在内的客户提供了HBM4E样品。预计明年HBM总产量将从每月约18万片晶圆增加到25万片。
三星开发8层HBM4E产品 瞄准英伟达NVHBM供应
三星电子正在开发一款符合英伟达要求的8层HBM4E产品，力求在其定制化高带宽内存NVHBM的供应中争取关键角色。该产品将堆叠高度从最初规划的12层和16层版本降低，而英伟达的目标速度规格为17-18Gbps，比三星最初HBM4E样品14.4Gbps的速度高出约20%。 据ChainCatcher报道，8层设计专为英伟达公开的NVLink优化型NVHBM而打造，此举被视为一种降低制造难度和良率压力的
三星公布下一代存储器战略：HBM5性能目标提升至HBM4E两倍
三星电子计划将下一代高带宽存储器（HBM）HBM5的性能提升至HBM4E的2倍，而后续一代产品zHBM的性能目标则达到HBM4E的8倍。三星将以3D结构创新为核心，争夺下一代存储器市场的主导权。 三星电子DS部门存储器事业部产品企划团队负责人崔长锡1日公布了三星下一代存储器战略。 三星电子目前正在开发HBM5，目标是相比HBM4E将性能提升2倍、每瓦性能提升20%，同时将热阻降低20%，以满足AI
三星电子将不再自行扩产传统DDR5模组 新增产能全部转向外包
三星电子正在调整传统内存模组的生产策略。随着人工智能相关产品对先进封装产能的需求持续增长，三星计划将新增的传统内存模组产能全部交由外部合作伙伴扩充，自身则把有限的后端生产空间和设备集中用于高带宽内存（HBM）等高价值产品。 据业内消息人士透露，三星近期正在大力要求旗下外包半导体封装测试（OSAT）合作伙伴扩大生产线，以满足传统内存模组不断增长的需求。与其自行扩建用于PC、服务器和笔记本电脑的DDR
美光计划将HBM产能扩大一倍 到今年年末将月产约10万片
美光计划将高带宽内存（HBM）产能较去年扩大一倍。公司将在年底前推进激进的设备投资，强化新一代HBM——HBM4 12层产品的供货能力。此举意在补齐相较于三星电子、SK海力士的HBM产能短板，提升市场份额。 据3日业内消息，美光计划至今年年底，HBM产能（以晶圆为统计口径）最多每月新增6万片。美光去年HBM月产量维持在4‑5万片的水平，今年的净增量将超过去年的原有产能。 “美光正在开展大规模设备投
三星电子和SK海力士，DRAM产量受制于HBM期间，中国加速渗透通用DRAM市场
2026-09-22 10:05▲ 长鑫存储的存储器半导体图片。/长鑫存储 三星电子和SK海力士为了应对人工智能（AI）的特殊需求，将生产能力集中在高带宽存储器（HBM）上，而智能手机、笔记本电脑等使用的通用DRAM市场的空位被中国长鑫存储（CXMT）迅速占据。22日，市场调研机构集邦咨询的数据显示，长鑫存储（CXMT）全球DRAM市场的占有率（以销售额为准）从今年第一季度的7.6%跃升至第二
SK海力士考虑采用英特尔晶圆代工生产HBM4E基础裸片
据韩国《先驱报》报道，英特尔晶圆代工业务有望赢得SK海力士HBM4E内存基础裸片的制造订单。报道称，SK海力士正考虑改变目前仅依赖台积电的供应模式，转而采取台积电与英特尔双重供应策略，而英特尔晶圆代工可能获得其中相当大的一部分订单。 HBM4E内存支持在基础裸片上集成定制逻辑，并在其上方堆叠DRAM裸片。此前，SK海力士在这一应用上只考虑台积电，如今英特尔也进入了候选名单。 通过这种设计，客户可以
三星瞄准后工序打造日韩AI半导体联盟
| 在韩国三星电子研究基地的开业仪式上合影留念的该公司CEO全永铉（右起第4人）等人（9月8日，横滨市西区） |韩国半导体巨头三星电子9月8日在横滨市举行了人工智能（AI）半导体研发基地的开业仪式。三星将与在半导体组装设备和材料领域占据全球最大份额的日本企业展开合作，提升产品性能。AI半导体竞争正从单一企业转向跨越国界的企业联盟。 “加速韩国与日本的技术交流，成为共同推动下一代封装产业发展的原动力
三星最新愿景：将AI系统的响应速度提升10倍
IT之家 9 月 17 日消息，据韩媒《The Chosun Daily》报道，日，在美国加州圣克拉拉会议中心举行的“AI 基础设施峰会”上，AI 内存的未来成为讨论话题。 半导体企业还在峰会上公布了新产品路线图。三星电子希望借助上个月发布的下一代 AI 内存 zHBM，将 AI 加速器的响应速度提升 10 倍。 三星电子美国公司“现有对话式 AI 系统每秒为每位用户处理 100 个词元（Toke
“三星海力士存储库存不足10天…明年或现库存枯竭的空前事态”
▲ 7日上午，首尔中区韩亚银行交易室的屏幕上显示着KOSPI与KOSDAQ指数。当天，KOSPI以6910.78点开盘，较前一个交易日上涨223.57p（3.34%）。/News1 7日，韩国KB证券发布分析报告称，随着人工智能（AI）投资落地，接下来存储半导体市场将面临史无前例的供给短缺。针对近期经历股价调整进入低估区间的三星电子与SK海力士，报告预测将迎来“超强重估”。 当天，“近期全球超大规
SK海力士加速先进1c DRAM量产布局 预计明年成为公司最大规模存储工艺
随着人工智能、高性能计算和下一代移动设备对先进内存需求持续增长，韩国存储芯片巨头SK海力士正加快向最新一代1c DRAM工艺转型。最新产业消息显示，公司正在大规模调整产能结构，计划将越来越多的DRAM产品迁移至第六代10纳米级1c工艺节点生产，并有望在未来数个季度内确立该工艺的主导地位。 数据显示，2026年第一季度，1c DRAM仅占SK海力士整体DRAM产量的约10%；第二季度提升至约13%。
传三星计划上调DRAM与NAND闪存报价
据半导体行业与供应链最新消息透露，全球存储芯片巨头三星电子正计划在即将到来的季度谈判中，全面上调面向智能手机制造商的移动端 DRAM 内存与 NAND 闪存芯片供应价格。这一潜在的涨价举措反映了当前全球存储芯片市场的供需紧俏格局，同时也可能对下游智能手机终端的整机成本与定价策略产生连锁反应。 行业分析指出，推动此次存储芯片价格上调的核心动因在于半导体产能结构的深层转变。随着全球人工智能大模型训练与
美芯片生产加速 三星台积电面临人才争夺战
美国政府加速发展本土芯片生产，与此同时，三星、台积电等芯片大厂在美扩产，半导体产业面临人才短缺挑战。麦肯锡（McKinsey）与SEMI基金会最新报告显示，到2030年，美国半导体产业可能面临高达15.7万名工人缺口。三星位于美国德州奥斯汀的半导体部门执行副总裁乔恩‧泰勒（Jon Taylor）对CNBC表示，目前最大担心是人才培养跟不上。麦肯锡数据显示，全美每年工程岗位毕业生中，仅3%进入半导体
长鑫HBM量产遇挫：据报良率跌至25% HBM3最终测试近八成不合格
长鑫存储（CXMT）在前沿高带宽内存（HBM）的攻坚道路上面临严峻的良率考验。据科技媒体wccftech引述行业供应链调查及韩国产业界最新披露的报告显示，长鑫存储在试产针对人工智能算力芯片的8层堆叠HBM3内存颗粒时遭遇严重工艺瓶颈，综合良率长期徘徊在25%至30%的低位区间，若叠加极为严苛的最终封测与性能评估环节，下线的芯片产品中甚至有近80%未能通过终检测试，实际综合产出率面临巨大挑战。 作为
AI需求引发历史性短缺 三星与SK海力士内存库存跌破10天
全球人工智能产业的爆发式扩张正在半导体供应链端掀起一场前所未有的资源争夺战。根据供应链最新行业调查报告显示，全球存储芯片双雄三星电子与SK海力士的常规内存库存水平已发生断崖式下跌，两家巨头的现货库存可用天数双双跌破10天的极端警戒线，这标志着全球存储芯片市场正陷入近年来罕见的历史性供应短缺。 在传统的半导体产销周期中，存储芯片制造商通常会将安全库存水位维持在4至6周甚至更长时间，以平抑市场供需波动
“三星、海力士、美光3强格局成形，中企难以打破”
2026-09-22 14:48 “AI（人工智能）半导体领域的3强格局难以打破。靠巨额投资或政府补贴买不到经历数十年积累的工艺技巧。”▲ Roundhill Investments首席执行官（CEO）戴夫·马扎表示：“建设AI基础设施所需的半导体生产牢牢掌握在三星电子、SK海力士、美光手中”，“哪怕中国半导体企业上市也难以撼动这一格局。”/Roundhill Investments提供 Ro
高通发布两款2纳米工艺手机芯片 押注智能体应用
【财新网】当地时间9月22日高通2026骁龙峰会上，高通宣布，手机旗舰产品线首次同时推出两款芯片产品，分别为第六代骁龙8至尊版和第六代骁龙8超级至尊版。两款芯片CPU（中央处理器）、GPU（图形处理器）和NPU（神经网络处理器）的基础架构相同，均采用台积电2纳米工艺，这也是高通首次将2nm工艺引入手机平台。 相比至尊版，超级至尊版芯片采用了更先进的Offset PoP散热优化封装技术，帮助芯片在
报告：三星扩大全球DRAM市场领先优势 份额达39%
市场研究机构集邦咨询（TrendForce）周一发布的一份行业报告显示，2026年第二季度，三星电子以营收口径计算占据全球动态随机存取存储器（DRAM）市场39.4%的份额，在全球人工智能热潮下进一步扩大领先优势。 这份报告显示，这家韩国头部存储芯片厂商4‑6月DRAM营收环比大增63.4%，达到609.8亿美元；其市场份额较一季度的38.5%有所提升。 韩国SK海力士位列第二，市场份额为24.9
长鑫科技全球DRAM营收市占率升至10% 稳居第四
中国存储晶片巨头长鑫科技在全球动态随机存取存储器（DRAM）市场的营收占比升至10%，进一步缩小与三星、SK海力士和美光三大厂商的差距。 市场调研机构Counterpoint Research星期三（9月2日）在官网发布的最新行业报告显示，长鑫科技今年第二季度的全球DRAM营收市占率，从去年同期的4%升至10%，位居全球第四。 同期，三星的市占率从33%升至38%，SK海力士从39%降至25%，美
长鑫存储已开始小批量生产HBM3E内存
据《The Information》报道，中国存储器巨头长鑫存储（CXMT）已开始小批量生产HBM3E内存。这意味着，中国存储器制造商目前仍落后于正逐步转向HBM4E生产的韩国企业约两代。不过，对于长鑫存储而言，这仍是一个重要里程碑。 长鑫存储预计将在今年年底前实现每月约35万片DRAM晶圆的制造能力，并计划在未来几年继续扩大产能。目前，HBM3E的生产规模仍非常有限，表明相关制造刚刚进入风险试产
国产存储崛起！中国内存产能占比预计2030年达20%
快科技9月22日消息，韩国业内预计，中国存储器生产能力占全球的比重到2030年将提升至20%左右，目前这一比例约为10%出头。 这意味着全球每生产5片DRAM晶圆，就有1片来自中国。韩媒将此视为对三星电子和SK海力士的实质性威胁。 报道称，中国企业近年来正加快进入存储器市场，代表企业包括中国最大DRAM厂商长鑫存储和NAND厂商长江存储。 目前，中国存储器企业的扩产已不只是单纯增加产能，同时也在推
三季报在即，三星电子和海力士面临“极高预期”，考验“全球AI交易”
AI驱动的强劲需求和新一代存储技术的推进，韩国两大芯片巨头三星电子和SK Hynix正处于全球半导体“超级周期”的中心。随着这两家公司第三季度财报临近，其业绩表现将成为全球市场检验“AI交易”盈利持久性的关键试金石。 市场目前对两家巨头的业绩抱有极高预期。据《首尔经济日报》引述FnGuide的数据，第三季度三星电子预计将实现199.1万亿韩元的营收和105.6万亿韩元的营业利润，而SK Hynix